Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Входной ток	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	Количество контактов	Код Pbfree	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Количество цепей	Максимальное выходное напряжение	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Максимальный входной ток	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Максимальное	Особенности монтажа	Время подъема	Конфигурация	Время отклика-Макс.	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение проба	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Текущий коэффициент передачи	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Темный ток-Макс.	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
ТЛП127(СОНИ-ТПЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
PC724V0NSZX	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие			Трубка	Непригодный				Не соответствует требованиям RoHS	2004 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc724v0nszxf-datasheets-7147.pdf			Содержит свинец		6									1			1		35В									4 мкс						200 мВ					80 мА
TLP127(ТАЙКО-ТПЛ,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
ТЛП781Ф(АББ-ТП7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки					да	УЛ ПРИЗНАЛ			е3	Олово (Вс)			1		1						Транзистор			0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			80В	50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC714V0NSZX	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие			Трубка	Непригодный	100°С	-25°С		Не соответствует требованиям RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc714v0yszx-datasheets-7386.pdf	ОКУНАТЬ		Содержит свинец				УЛ ПРИЗНАЛ		неизвестный	е0	Олово/Свинец (Sn/Pb)			1		1		80В	80В		1,2 В			Транзисторный выход оптопара	0,05А	5000В		4 мкс	ОДИНОКИЙ					200 мВ					50 мА	50%
TLP781F(YH-LF7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP127(ТРОЙНИК-TPLS,F)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP781(D4GRH-TP6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	1996 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки											НЕТ		1		1						Транзистор			0,025А		КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ				5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP127(HIT-TPL,F)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP785(YH-TP6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf	4-СМД, Крыло Чайки						УТВЕРЖДЕНО УЛ					НЕТ		1		1						Транзистор			0,025А		КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт				1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			80В	50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4SANGBT7F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП127(КОСД-ТПЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
ТЛП785Ф(Д4Б-Ф7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-Y,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2008 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)	16 мА			4			Нет					250 мВт	1	250 мВт	1			80В	60 мА		Транзистор	60 мА								5000 В (среднеквадратичное значение)		5В	80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс								50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП127(С410,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP785F(ГРЛ-Ф7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP187(V4-TPL,E	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS			6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода						ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE							1		1						Дарлингтон			0,05А				ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ		3750 В (среднеквадратичное значение)					1,25 В	40 мкс 15 мкс	50 мА		4000%	300В	150 мА	300В	200нА	1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP781(D4-GB-LF6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки			12 недель								ДА		1		1						Транзистор			0,025А						5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GR7PSE,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП127(ПСИОН-ТПР,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP781F(D4-GR-FD,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP127(ДЕЛ-ТПЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP785F(D4GRT7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			/files/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP127(КАНО-У,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP781F(GRH,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(ГРЛ,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)						УТВЕРЖДЕНО УЛ					НЕТ		1		1						Транзистор			0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт				1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			80В	50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781Ф(Д4,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)													1								Транзистор									5000 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP127(V4-TPL,U,F)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В
TLP785F(БЛ,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)						ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE					ДА		1		1						Транзистор			0,025А		ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ		ОДИНОКИЙ	0,000003 с	5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт				1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			80В	50 мА	80В		200% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП127(МБССМ2-ТЛ,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия				6-SMD (4 вывода), крыло чайки													1								Дарлингтон									2500 В (среднеквадратичное значение)					1,15 В	40 мкс 15 мкс	50 мА				150 мА	300В		1000% при 1 мА		50 мкс, 15 мкс	1,2 В

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии