Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Количество контактов	Дополнительная функция	Поверхностный монтаж	Количество вариантов	Количество элементов	Выходное напряжение	Тип выхода	Прямой ток-Макс.	Особенности монтажа	Конфигурация	Время отклика-Макс.	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
TLP785(Y-TP6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-СМД, Крыло Чайки		УТВЕРЖДЕНО УЛ	НЕТ	1	1		Транзистор	0,025А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ	ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт		1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-GRL,E)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-BL-SD,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	200% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785(D4-YH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)		ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE		1	1		Транзистор	0,025А		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	150% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785(D4-Y-F6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-Y-TP6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки			НЕТ	1	1		Транзистор	0,025А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ			5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRLT6TC,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC4N280NSZX	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие		Трубка	1 (без блокировки)	округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS			6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов	6			1		30 В	Транзистор с базой					500 В (среднеквадратичное значение)		500мВ				100 мА		100 мА		10% при 10 мА
TLP781(Д,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(ГРЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)		УЛ ПРИЗНАЛ		1	1		Транзистор	0,025А		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-YH,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия		2014 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-FUN,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП785Ф(Д4Б-Т7,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781Ф(ГБ-ТП7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(Д4-ГРЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)		ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		1	1		Транзистор	0,025А		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4GHF7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781(Д4,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия		2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4-YH-TP6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4BLF7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	200% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(GRH-TP6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4YHT7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GRF7TC,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-GRL,F,W	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4-GR,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)		ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE	ДА	1	1		Транзистор	0,025А	ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ	ОДИНОКИЙ	0,000003 с	5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт		1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(LF7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(D4-GRH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)		ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE	НЕТ	1	1		Транзистор	0,025А		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт		1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(Д4-ГРЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2008 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)			НЕТ	1	1		Транзистор	0,025А				5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП785(Д4Б-Т6,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-BLL,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)		ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		1	1		Транзистор	0,025А		ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В	200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781(ГРЛ-ТП6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				1			Транзистор					5000 В (среднеквадратичное значение)			1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В	100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии