Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Входной ток	Ширина	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	Утверждающее агентство	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Ведущая презентация	Код Pbfree	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Текущий	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Напряжение	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Количество цепей	Поставщик пакета оборудования	Максимальное выходное напряжение	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Максимальный входной ток	Прямой ток-макс.	Особенности монтажа	Время подъема	Осень (тип.)	Конфигурация	Время отклика-Макс.	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Темный ток-Макс.	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
8430060000	Вайдмюллер		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	DIN-рейка	DIN-рейка	-25°К~50°К	Масса	Непригодный			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-4058570000-datasheets-8112.pdf	Модуль			Без свинца																1						24В			Транзистор																		5А			24В
TLP781F(ГБ-LF7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC844IJ1J00F	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-30°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-30°С	переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS	1997 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844ij1-datasheets-6942.pdf	16-ДИП (0,300, 7,62 мм)			Без свинца				16											200мВт	4	200мВт	4	4	16-ДИП		80В	50 мА	1,4 В	Транзистор				18 мкс	18 мкс			5000 В (среднеквадратичное значение)				200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс	50 мА	50 мА		50 мА	80В		20% при 1 мА	300% при 1 мА		200 мВ
TLP785(D4-GRH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)										ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE									1		1							Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-YH,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(ТЕЛС,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(GRH-TP7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GRT7FD,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRT6-SD,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785(D4-Y-T6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(YH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)										УТВЕРЖДЕНО УЛ							НЕТ		1		1							Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRL-TP6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2017 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки				14 недель													НЕТ		1		1							Транзистор		0,025А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ					5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
ТЛП781(Д4-ЛФ6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(БЛЛ,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)										УЛ ПРИЗНАЛ									1		1							Транзистор		0,06А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В		200% при 5 мА	400% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-FUNGR,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-FUN,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		50% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4GRH-T7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)							4		да	ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ	Нет			е3	Олово (Вс)			250 мВт	1	250 мВт	1					60 мА		Транзистор	60 мА					ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)		5В			80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс				50 мА			150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(Y-TP6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2014 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки							4										НЕТ	250 мВт	1		1					16 мА		Транзистор			КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ					5000 В (среднеквадратичное значение)				400мВ	80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА				80В		50% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс
ТЛП781Ф(ГРЛ-ТП7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	200% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(BL-LF6,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		200% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(YH-TP7,Ф)	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-СМД, Крыло Чайки																	НЕТ	250 мВт	1		1							Транзистор	60 мА	0,025А	КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ					5000 В (среднеквадратичное значение)					80В	50 мА	1,15 В	2 мкс 3 мкс				50 мА			75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785(GRH,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)										УТВЕРЖДЕНО УЛ							НЕТ		1		1							Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В		150% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC3H711NIP0F	Острая микроэлектроника	0,22 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)	100°С	-30°С	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2005 г.		4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм)			Без свинца				4				Нет							170 мВт	1	170 мВт	1	1	4-мини-квартира	80В	80В	10 мА	1,4 В	Транзистор	10 мА			18 мкс	18 мкс			2500 В (среднеквадратичное значение)		6В		200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс	10 мА	50 мА		50 мА	80В		140% при 500 мкА	350% при 500 мкА		200 мВ
ПК844X1J000F	Острая микроэлектроника		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-30°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток	Соответствует RoHS	2006 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc844ij1-datasheets-6942.pdf	16-ДИП (0,300, 7,62 мм)			Без свинца				16			УЛ ПРИЗНАЛ			неизвестный	е2	Олово/Медь (Sn/Cu)			200мВт		200мВт	4				80В	50 мА		Транзистор				18 мкс	18 мкс			5000 В (среднеквадратичное значение)				200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс		50 мА				100нА	50% при 1 мА	150% при 1 мА
TLP785(D4YH-F6,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		75% при 5 мА	150% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP785F(Д4-ГБ,Ф	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)										ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE							ДА		1		1							Транзистор		0,025А	ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ			ОДИНОКИЙ	0,000003 с	5000 В (среднеквадратичное значение)	0,24 Вт						1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781F(D4-FUNGB,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К		1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,400, 10,16 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	600% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
PC357NTJ000F	Острая микроэлектроника	0,36 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	1997 год		4-СМД, Крыло Чайки	20 мА	5,3 мм	Без свинца		UL	Неизвестный	4	2,54 мм			Нет	5А		е2	Олово/Медь (Sn/Cu)	80В		170 мВт		170 мВт	1			80В	80В	50 мА		Транзистор	50 мА			18 мкс	18 мкс	ОДИНОКИЙ		3750 В (среднеквадратичное значение)		6В	80В	200 мВ	80В	50 мА	1,2 В	4 мкс 3 мкс		50 мА					50% при 5 мА	600% при 5 мА		200 мВ
TLP785F(GR-TP7,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf	4-СМД, Крыло Чайки										УТВЕРЖДЕНО УЛ									1		1							Транзистор		0,025А				ОДИНОКИЙ		5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА		80В	50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ
TLP781(D4GRT6-FD,F	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf	4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																			1									Транзистор								5000 В (среднеквадратичное значение)							1,15 В	2 мкс 3 мкс	60 мА			50 мА	80В		100% при 5 мА	300% при 5 мА	3 мкс, 3 мкс	400мВ

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии