Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТриаковые оптоизоляторы(1635)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Достичь соответствия кода | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Удерживай ток | Обратное напряжение проба | Время включения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Напряжение – выключенное состояние | Ток — удержание (Ih) | Максимальное напряжение во включенном состоянии | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Схема пересечения нулей | Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) | Статическое dV/dt (мин) | Входной триггерный ток, номинальный | Пиковый импульсный ток | Входной триггерный ток-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FODM3062R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3083r2-datasheets-6352.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | кУЛ, УЛ | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Да | 10 мА | 600 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3062R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3083r2-datasheets-6352.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | кУЛ, УЛ | совместимый | 1 | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Да | 10 мА | 600 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3063R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3083r2-datasheets-6352.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | кУЛ, УЛ | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В Макс. | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Да | 5мА | 600 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД4218Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 59,987591мг | кУЛ, ФИМКО, УЛ | 6 | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | 300 мА | 300 мА | 30 мА | Триак | 60 мкс | 0,3 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 6В | 1,28 В | 300 мА | 800В | 500 мкА | 3В | 800В | Нет | 1,3 мА | 10 кВ/мкс | 0,75 мА | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3011R2_NF098 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3011r1nf098-datasheets-4790.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | КУР, УР | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 250 В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 10 мА | 10 В/мкс (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3011R1_NF098 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3011r1nf098-datasheets-4790.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | КУР, УР | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 250 В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 10 мА | 10 В/мкс (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД4118Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 59,987591мг | ЦСА, УЛ | 6 | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | 300 мА | 30 мА | Триак | 0,07А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 6В | 60 мкс | 1,25 В | 300 мА | 800В | 500 мкА | 3В | 800В | Да | 1,3 мА | 10 кВ/мкс | 0,65 мА | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3062 | ОН Полупроводник | $21,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3083r2-datasheets-6352.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 154,986843мг | кУЛ, УЛ | 4 | 1 | 300мВт | 70 мА | 600В | 70 мА | 60 мА | Триак | 70 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300 мкА | 6В | 1,5 В Макс. | 600В | 300 мкА, тип. | Да | 10 мА | 600 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3053R1_NF098 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3011r1nf098-datasheets-4790.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | КУР, УР | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 5мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD21YXPDF | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3sd21yxzdf-datasheets-2590.pdf | 6-СМД | Без свинца | CSA, UR, VDE | 6 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 100 мА | 420В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мкс | 100 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 600В | 3,5 мА | Да | 3мА | 1кВ/мкс | 3мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил440-5 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4404-datasheets-4800.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | BSI, CSA, cUR, UR | 6 | 1 | 330мВт | 6-ДИП | 100 мА | 400В | 60 мА | 1,6 В | Триак | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1 мА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 400В | 1 тип мА. | 100 мА | Нет | 10 мА | 50 В/мкс (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД4116Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 59,987591мг | ЦСА, УЛ | 6 | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | 300 мА | 30 мА | Триак | 0,07А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 6В | 60 мкс | 1,25 В | 300 мА | 600В | 500 мкА | 3В | Да | 1,3 мА | 10 кВ/мкс | 0,65 мА | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP361J(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp361jf-datasheets-4817.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | УР | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | 100 мА | 100 мА | 50 мА | Триак | 25 мА | 100 мкс | 100 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 30 мкс | 1,15 В | 600В | Тип 600 мкА. | 3В | 600В | Да | 10 мА | 200 В/мкс | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SF11YTZBF | SHARP/Цокольная технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sf11yvzbf-datasheets-4755.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 5 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 1,2 В | 1,4 В | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 1 | 100 мА | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 800В | 3,5 мА | Нет | 7мА | 50 В/мкс | 7мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3052R1_NF098 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fodm3011r1nf098-datasheets-4790.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | КУР, УР | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 10 мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3082 | ОН Полупроводник | $21,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3083r2-datasheets-6352.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 154,986843мг | кУЛ, УЛ | 4 | 1 | 300мВт | 70 мА | 70 мА | 60 мА | Триак | 70 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300 мкА | 6В | 1,5 В Макс. | 800В | 300 мкА, тип. | Да | 10 мА | 600 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SD21YXPDF | SHARP/Цокольная технология | $5,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sd21ntzc-datasheets-4560.pdf | 6-СМД | 20 мА | 7,12 мм | CSA, UR, VDE | Неизвестный | 6 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | 1,2 В | 1,4 В | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 1 | 100 мА | 800В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 50 мкс | 50 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 3,5 мА | Да | 3мА | 500 В/мкс | 3мА | ||||||||||||||||||||||||||
| FODM3012R1_NF098 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3011r1nf098-datasheets-4790.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | КУР, УР | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 250 В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 5мА | 10 В/мкс (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил440-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4404-datasheets-4800.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | BSI, CSA, cUR, UR | 6 | 1 | 330мВт | 6-ДИП | 100 мА | 400В | 60 мА | 1,6 В | Триак | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1 мА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 400В | 1 тип мА. | 100 мА | Нет | 15 мА | 50 В/мкс (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил440-6 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4404-datasheets-4800.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | BSI, CSA, cUR, UR | 6 | 1 | 330мВт | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 400В | 100 мА | 60 мА | 1,6 В | Триак | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1 мА | 5В | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 400В | 1 тип мА. | 100 мА | Нет | 5мА | 50 В/мкс (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД410Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 59,987591мг | ЦСА, УЛ | 6 | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — выходы триггерного устройства | 300 мА | 30 мА | Триак | 0,07А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 6В | 60 мкс | 1,25 В | 300 мА | 600В | 500 мкА | 3В | Да | 2мА | 10 кВ/мкс | 0,65 мА | 3А | 0,002А | |||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD11NXPCF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc3sd11ytzah-datasheets-1679.pdf | 6-СМД | Без свинца | ЦГА, УР | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 6-СМД | 100 мА | 420В | 50 мА | 1,2 В | Триак | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 100 мА | 600В | 3,5 мА | 100 мА | Нет | 5мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD21YXPLF | Острая микроэлектроника | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3sd21yxzdf-datasheets-2590.pdf | 6-СМД | Без свинца | CSA, UR, VDE | 6 | 1 | 6-СМД | 600В | 1,2 В | Триак | 50 мкс | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 600В | 3,5 мА | 100 мА | Да | 1кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SF11YVZAF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sf11yvzbf-datasheets-4755.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 5 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 560В | 50 мА | 1,2 В | Триак | 100 мкс | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 800В | 3,5 мА | 100 мА | Нет | 10 мА | 50 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161G(У,Ц,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp161gucf-datasheets-4780.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | Без свинца | 16 недель | УР | 4 | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 70 мА | 280В | 70 мА | 50 мА | Триак | 70 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 1,15 В | 400В | Тип 600 мкА. | Да | 10 мА | 200 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM3053R4V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3051r3v-datasheets-4624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | БСИ, CSA, UL, VDE | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 5мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3062(С,К,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3063scf-datasheets-2492.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 20 мА | 12 недель | БСИ, СЕМКО, УР | 6 | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 300мВт | 1 | 6-DIP (разрез), 5 выводов | 100 мА | 600В | 100 мА | 50 мА | 1,15 В | Триак | 50 мА | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 1,15 В | 50 мА | 600В | Тип 600 мкА. | 100 мА | Да | 10 мА | 200 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| TLP3064(TP1,SC,F,T) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3064d4tp1scf-datasheets-1817.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | БСИ, СЕМКО, УР | Нет | 1,4 В | 1,7 В | 1 | 100 мА | 30 мА | 1,4 В | Триак | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 6мА | 100 мА | 600В | Да | 3мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC3031SDM | ОН Полупроводник | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3033sr2m-datasheets-5710.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | UL | 6 | 250мВт | 1 | 175В | 60 мА | Триак | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 400 мкА | 6В | 1,25 В | 250 В | 400 мкА, тип. | Да | 15 мА | 1кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP168J(TPR,U,C,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp168jtprucf-datasheets-4785.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | Без свинца | 16 недель | УР | 4 | Нет | 1,4 В | 1,7 В | 1 | 1 | 1 | 6-МФСОП, 4 отведения | 70 мА | 420В | 70 мА | 20 мА | 1,4 В | Триак | 20 мА | 70 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 1,4 В | 20 мА | 600В | Тип 600 мкА. | 70 мА | Да | 3мА | 200 В/мкс |
