Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТриаковые оптоизоляторы(1635)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Достичь соответствия кода | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Среднеквадратичный ток (Irms) | Время подъема | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Удерживай ток | Обратное напряжение проба | Время включения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Напряжение – выключенное состояние | Ток — удержание (Ih) | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Схема пересечения нулей | Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) | Статическое dV/dt (мин) | Входной триггерный ток, номинальный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP3064(TP1,SC,F,T) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3064d4tp1scf-datasheets-1817.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | БСИ, СЕМКО, УР | Нет | 1,4 В | 1,7 В | 1 | 100 мА | 30 мА | 1,4 В | Триак | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 6мА | 100 мА | 600В | Да | 3мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SH21YFZBF | Острая микроэлектроника | $8,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3sh21yfzbf-datasheets-4762.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 4 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | 1 | 1 | 100 мА | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Да | 7мА | 1кВ/мкс | 7мА | ||||||||||||||||||||||||
| PC3SF21YTZAF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3sf21ytzaf-datasheets-4763.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 6 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 420В | 50 мА | 1,2 В | Триак | 50 мкс | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 600В | 3,5 мА | 100 мА | Да | 10 мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||
| TLP260JTPRPF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp260jtprpf-datasheets-4765.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | УР | 4 | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 70 мА | 50 мА | Триак | 30 мкс | 70 мА | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 1 мА | 5В | 70 мА | 600В | 1 тип мА. | Нет | 10 мА | 500 В/мкс (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП525Г-2(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp525gf-datasheets-6488.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 10 недель | УР | 8 | 1,15 В | 1,3 В | 2 | 80 мА | 400В | 80 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 80 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мкА | 5В | 1,15 В | Тип 200 мкА. | Нет | 10 мА | 200 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SD21YXPCF | SHARP/Цокольная технология | 1,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sd21ntzc-datasheets-4560.pdf | 6-СМД | 20 мА | 7,12 мм | Без свинца | CSA, UR, VDE | 6 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | 1,2 В | 1,4 В | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 100 мА | 800В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 50 мкс | 100 мА | 50 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 3,5 мА | Да | 5мА | 500 В/мкс | 5мА | ||||||||||||||||||
| PC3ST11NSZCF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3st11nszcf-datasheets-5832.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | ЦГА, УР | 4 | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 100 мА | 420В | 50 мА | Триак | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Нет | 5мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3043(С,К,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3043scf-datasheets-4768.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 20 мА | Без свинца | 12 недель | БСИ, СЕМКО, УР | 6 | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 300мВт | 1 | 330мВт | 1 | 1 | 6-DIP (разрез), 5 выводов | 400В | 100 мА | 20 мА | 1,15 В | Триак | 50 мА | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 1,15 В | 50 мА | 400В | Тип 600 мкА. | 100 мА | Да | 5мА | 200 В/мкс | ||||||||||||||||
| PC3ST11NSZAF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3st11nszbf-datasheets-4753.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ЦГА, УР | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 1 | 100 мА | 100 мА | 50 мА | Триак | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Нет | 10 мА | 1кВ/мкс | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| TLP3042SCF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3043scf-datasheets-4768.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 8 недель | БСИ, СЕМКО, УР | 1 | 6-DIP (разрез), 5 выводов | Триак | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 50 мА | 400В | Тип 600 мкА. | 100 мА | Да | 10 мА | 200 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD11NTZDF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc3sd11ytzah-datasheets-1679.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | ЦГА, УР | 5 | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 100 мА | 420В | 50 мА | Триак | 100 мкс | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 600В | 3,5 мА | Нет | 1кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3ST11NSZDF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | ЦГА, УР | 4 | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 100 мА | 420В | 50 мА | Триак | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Нет | 3мА | 1кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SF21YVZBF | SHARP/Цокольная технология | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 6 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 100 мА | 560В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 50 мкс | 100 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 800В | 3,5 мА | Да | 7мА | 500 В/мкс | 7мА | |||||||||||||||||||||||
| PC4SF21YVZCF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sf21yvzcf-datasheets-4759.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 6 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 560В | 100 мА | 50 мА | 1,2 В | Триак | 50 мА | 50 мкс | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 800В | 3,5 мА | 100 мА | Да | 5мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||
| PC3SH11YFZAF | Острая микроэлектроника | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3sh11yfzaf-datasheets-4760.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 4 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 1 | 100 мА | 420В | 100 мА | 50 мА | Триак | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Нет | 10 мА | 1кВ/мкс | 10 мА | ||||||||||||||||||||||
| TLP160J(У,Ц,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp160jtprucf-datasheets-1893.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 16 недель | УР | 4 | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 70 мА | 70 мА | 25 мА | Триак | 50 мА | 100 мкс | 70 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1 мА | 5В | 30 мкс | 1,15 В | 600В | 1 тип мА. | Нет | 10 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| PC3SD11NXZDF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3sd11nxzdf-datasheets-5817.pdf | 6-СМД | Без свинца | ЦГА, УР | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 100 мА | 420В | 50 мА | Триак | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Нет | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3SF11YVZBF | SHARP/Цокольная технология | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 20 мА | 7,12 мм | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | Неизвестный | 6 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 1,2 В | 1,4 В | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 100 мА | 600В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 100 мкс | 100 мА | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 3,5 мА | Нет | 7мА | 1кВ/мкс | 7мА | |||||||||||||||||||
| FODM3051V | ОН Полупроводник | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3051r3v-datasheets-4624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | БСИ, CSA, UL, VDE | 4 | 1 | 250мВт | 1 | 4-СМД | 70 мА | 420В | 60 мА | 1,2 В | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300 мкА | 1,2 В | 60 мА | 70 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 15 мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||
| FODM3052R4 | ОН Полупроводник | 0,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3051r3v-datasheets-4624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | БСИ, CSA, UL | 4 | 1 | 250мВт | 1 | 4-СМД | 70 мА | 420В | 60 мА | 1,2 В | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300 мкА | 1,2 В | 60 мА | 70 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 10 мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||
| PC3SF21YVZAF | SHARP/Цокольная технология | 3,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3sf21yvzaf-datasheets-5803.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 5 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | 1,2 В | 1,4 В | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 100 мА | 420В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Да | 10 мА | 1кВ/мкс | 10 мА | |||||||||||||||||||||
| PC3SF11YVZAF | SHARP/Цокольная технология | $3,81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 2 (1 год) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 5 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 420В | 100 мА | 50 мА | 1,2 В | Триак | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 100 мА | 600В | 3,5 мА | 100 мА | Нет | 10 мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||
| PC3SF11YTZBF | SHARP/Цокольная технология | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpsocletechnology-pc3sf11ytzbf-datasheets-4752.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 50 мА | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | Неизвестный | 5 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 1,2 В | 1,4 В | 170 мВт | 1 | 100 мА | 600В | 100 мА | 50 мА | Триак | 50 мА | 100 мкс | 100 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 3,5 мА | Нет | 7мА | 1кВ/мкс | 7мА | |||||||||||||||||||||
| PC3ST11NSZBF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3st11nszbf-datasheets-4753.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | ЦГА, УР | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 1 | 100 мА | 420В | 50 мА | Триак | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 600В | 3,5 мА | Нет | 7мА | 1кВ/мкс | 7мА | |||||||||||||||||||||||||
| PC3ST21NSZCF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3st21nszbf-datasheets-4633.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | ЦГА, УР | 4 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 4-ДИП | 100 мА | 420В | 50 мА | 1,2 В | Триак | 50 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 100 мА | 600В | 3,5 мА | 100 мА | Да | 5мА | 1кВ/мкс | |||||||||||||||||||||
| PC4SF11YVZBF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sf11yvzbf-datasheets-4755.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | 5 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 560В | 50 мА | 1,2 В | Триак | 100 мкс | 100 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 800В | 3,5 мА | 100 мА | Нет | 7мА | 50 В/мкс | |||||||||||||||||||||
| FODM3053R3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3051r3v-datasheets-4624.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | БСИ, CSA, UL | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 600В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 5мА | 1кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4SD11YXPCF | SHARP/Цокольная технология | 1,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4sd11ntzcf-datasheets-2595.pdf | 6-СМД | Без свинца | CSA, UR, VDE | 5 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 1,2 В | 1,4 В | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 100 мА | 560В | 100 мА | 50 мА | Триак | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 6В | 100 мкс (макс.) | 1,2 В | 100 мА | 800В | 3,5 мА | Нет | 5мА | 50 В/мкс | 5мА | ||||||||||||||||||||||
| PC3SF21YVZBF | Острая микроэлектроника | $6,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc3sf21yvzbf-datasheets-5785.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 20 мА | 7,12 мм | Без свинца | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, СЕМКО, УР, VDE | Неизвестный | 5 | Нет | 1,2 В | 1,4 В | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 6-ДИП | 100 мА | 600В | 100 мА | 50 мА | 1,2 В | Триак | 50 мА | 50 мкс | 100 мА | 50 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,5 мА | 6В | 50 мкс (макс.) | 1,2 В | 50 мА | 600В | 3,5 мА | 100 мА | Да | 7мА | 1кВ/мкс | |||||||||||
| FODM3023R3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm3011r3v-datasheets-4617.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | БСИ, CSA, UL | 1 | 4-СМД | Триак | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мкА, тип. | 70 мА | Нет | 5мА | 10 В/мкс (тип.) |
