Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули памяти(3684)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Напряжение питания | Терминал Питч | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Скорость передачи данных | Размер | Тип | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT8HTF3264HY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf3264hy40eb3-datasheets-5732.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | Нет | 400 МГц | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-40BDB | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 184-УДИММ | Без свинца | 184 | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664AG-335DB | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-265ГБ | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264AY-53EB4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664AG-40BDB | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464ay40bd3-datasheets-4252.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472AY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 9 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 50 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264HY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf3264hy53eb3-datasheets-5721.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 533 МГц | 8 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872AY-53EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264HY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf3264hy667b3-datasheets-5723.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF3272AY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | 9 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF3272Y-40EB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 55°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | Другие микросхемы памяти | 2,07 мА | Не квалифицированный | 400 кбит/с | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 600 пс | 200 МГц | 32MX72 | 72 | 0,045А | ОБЩИЙ | |||||||||||||
| MT8HTF12864AY-53EA9 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hy53eb3-datasheets-4687.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 400 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-53EB4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF3272Y-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872y40ea1-datasheets-4707.pdf | 240-РДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 400 кбит/с | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT1672AG-13ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 3,6 В | 3В | 168 | 133 МГц | 5 | 128 МБ | SDRAM | 133 МГц | 5,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53EB9 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-667B9 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 200-SODIMM | 1,8 В | Без свинца | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 667 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | ДРАМ | 1,76 мА | Не квалифицированный | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||
| MT5VDDT872AG-265B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272ag40bf1-datasheets-4288.pdf | 184-УДИММ | Содержит свинец | 184 | 64 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 667 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ4ЛСДТ464АГ-133Г6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664ay13ed1-datasheets-4038.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 3,6 В | 3В | 168 | 133 МГц | 4 | 32 МБ | SDRAM | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8LSDT3264AY-13ED2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16lsdt6464ag133d2-datasheets-4415.pdf | 168-УДИММ | 28,6 мм | 3,3 В | Без свинца | 3,6 В | 3В | 168 | Нет | 133 МГц | 8 | 256 МБ | SDRAM | 64б | 133 МГц | 5,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT472AG-133G6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 168 | Нет | 133 МГц | 32 МБ | SDRAM | 72б | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hy53eb3-datasheets-4687.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 533 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HDY-53EA3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 200 | неизвестный | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 65°С | ДРАМ | 1,8 В | 2мА | Не квалифицированный | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 267 МГц | 128MX64 | 64 | 8589934592 бит | 0,04А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||
| MT8LSDT3264HG-133D2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8lsdt3264hg133d2-datasheets-4689.pdf | 144-SODIMM | 31,8 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 3,6 В | 3В | 144 | Нет | 133 МГц | 8 | 256 МБ | SDRAM | 64б | 133 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HDY-40EA3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 16 недель | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 400 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | ДРАМ | 1,92 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64 | 0,04А | 0,6 нс | ОБЩИЙ |
