Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули памяти(3684)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Высота | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МТ4ВДДТ1664ХГ-335Ф3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hg335f2-datasheets-4238.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 333 МГц | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | ДРАМ | 1,76 мА | Не квалифицированный | 128 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700 пс | 167 МГц | 64 | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-26AG4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264ay335g6-datasheets-4240.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 184 | Нет | 266 МГц | 256 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36ВДФ12872Г-262Г3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-РДИММ | 184 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ДРАМ | 2,5 В | 8,46 мА | Не квалифицированный | Р-ПДМА-Н184 | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 133 МГц | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | 0,75 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT1664HG-26AB2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | Содержит свинец | 200 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264AY-667B6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 667 МГц | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF3264AY-667B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | Без свинца | 240 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264HDY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf3264hdy40eb3-datasheets-4650.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 200 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ДРАМ | 1,8 В | 1,44 мА | Не квалифицированный | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,04А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT1664HG-26AC3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 200 | Нет | 266 МГц | 128 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5VDDT3272AY-40BF1 | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt5vddt3272ay335f1-datasheets-4110.pdf | 184-УДИММ | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 533 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT1672AG-13ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 3,6 В | 3В | 168 | 133 МГц | 5 | 128 МБ | SDRAM | 133 МГц | 5,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53EB9 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT864AG-26AB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt864ag26ab1-datasheets-4632.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | Содержит свинец | 184 | 64 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT1664AG-13ED1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664ay13ed1-datasheets-4038.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 3,6 В | 3В | 168 | Нет | 133 МГц | 4 | 128 МБ | SDRAM | 64б | 133 МГц | 5,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT864HG-265B2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/micron-mt4vddt864hg265b2-datasheets-5687.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 200 | Нет | 266 МГц | 64 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ5ВДДТ1672ХГ-265Ф3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hy335f2-datasheets-4254.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | Содержит свинец | 200 | 128 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264AY-40EB4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT1672AG-133D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 168 | Нет | 133 МГц | 128 МБ | SDRAM | 72б | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF6464AY-40EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt4htf1664ay40eb1-datasheets-4555.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF6464AY-53EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt4htf1664ay40eb1-datasheets-4555.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT5LSDT472AG-13EG6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt5lsdt872ag133g1-datasheets-4629.pdf | 168-УДИММ | 25,4 мм | Содержит свинец | 168 | 32 МБ | SDRAM | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDT12872DY-265D2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/micron-mt18vddt12872dy265d2-datasheets-5690.pdf | 184-DIMM | Без свинца | 184 | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264AY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 400 МГц | 8 | 256 МБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4LSDT464LHG-13EG4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt4lsdt1664hg13ed1-datasheets-4598.pdf | 144-SODIMM | 25,4 мм | Содержит свинец | 144 | 32 МБ | SDRAM | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HY-53EA3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf12864hy53ea3-datasheets-5691.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 200 | да | Нет | 533 МГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | ДРАМ | 2,32 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 267 МГц | 128MX64 | 64 | 8589934592 бит | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||
| MT36LSDT25672G-13EC2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt36lsdf12872g133d1-datasheets-4551.pdf | 168-РДИММ | 43,2 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 168 | Нет | 133 МГц | 2 ГБ | SDRAM | 72б | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HY-40EA3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/micron-mt8htf12864hy40ea3-datasheets-5693.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 200 | да | Нет | 400 МГц | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | ДРАМ | 2,08 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128MX64 | 64 | 8589934592 бит | 0,6 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF1664HY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 200 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 30 | ДРАМ | 1,8 В | 1,04 мА | Не квалифицированный | 128 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 16MX64 | 64 | 1073741824 бит | 0,02 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||
| МТ5ВДТ1672ХГ-335Ф3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hg40bf2-datasheets-4286.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 200 | 200 | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 333 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | 235 | 2,5 В | 0,6 мм | 200 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2,7 В | 2,3 В | 30 | ДРАМ | 2,2 мА | 128 МБ | ГДР SDRAM | 72б | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 16MX72 | 72 | 1207959552 бит | 0,02 А | 0,9 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||
| MT4VDDT864HG-26AB2 | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hg335f2-datasheets-4238.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | Содержит свинец | 200 | 64 МБ | ГДР SDRAM | 266МТ/с |
