Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули памяти(3684)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество портов | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Размер | Тип | Ширина шины данных | Скорость | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT16HTF25664AY-53EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 240 | Нет | 533 МГц | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf6464hdy53eb3-datasheets-4368.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 533 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | ДРАМ | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 267 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT5VDDT3272HG-335F2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272hg40bf2-datasheets-4286.pdf | 200-SODIMM | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864HY-40EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf12864hy40eb3-datasheets-4372.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 200 | 400 МГц | 16 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 400 МТ/с | 60 пс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ5ВДДТ3272АГ-335Ф1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt5vddt3272ag40bf1-datasheets-4288.pdf | 184-УДИММ | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDVF6472Y-335F4 | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt9vdvf6472g335f4-datasheets-4318.pdf | 184-РДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AY-40BF1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay40bf1-datasheets-4348.pdf | 184-УДИММ | 133,35 мм | 31,8 мм | 3,18 мм | 2,6 В | Без свинца | 184 | 2,7 В | 2,5 В | 184 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,6 В | 1,27 мм | 184 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 9 | Другие микросхемы памяти | 4,05 мА | Не квалифицированный | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||
| MT9HVF6472Y-53EB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 244-МДИММ | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF6472G-40BF1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472g40bf1-datasheets-4350.pdf | 184-РДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264HY-335G3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf | 200-SODIMM | 31,8 мм | 2,5 В | Без свинца | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 333 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | ДРАМ | Не квалифицированный | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 32MX64 | 64 | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472AY-667B3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf6472ay667b3-datasheets-4352.pdf | 240-УДИММ | 30 мм | Без свинца | 240 | 667 кбит/с | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDVF6472Y-335D4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 184-РДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16ВДТ12864АГ-40БФ3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-УДИММ | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864HY-53EB3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microntechnologyinc-mt16htf12864hy40eb3-datasheets-4372.pdf | 200-SODIMM | 30 мм | Без свинца | 200 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AY-40BG4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay40bf1-datasheets-4348.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | 2,6 В | Без свинца | 184 | 2,7 В | 2,5 В | 184 | 400 МГц | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | Другие микросхемы памяти | 4,23 мА | Не квалифицированный | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 32MX72 | 72 | 0,036А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272AY-335G4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-УДИММ | 31,8 мм | 2,5 В | Без свинца | 184 | 2,7 В | 2,3 В | 184 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 333 МГц | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 184 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 9 | Другие микросхемы памяти | Не квалифицированный | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 32MX72 | 72 | 0,036А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||
| MT8VDDT6464AY-40BF3 | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt8vddt6464ay40bd3-datasheets-4252.pdf | 184-УДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT3272HY-335G2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-SODIMM | 2,5 В | Без свинца | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 333 МГц | 9 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ВДВФ12872Г-40БФ4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf | 184-РДИММ | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-667B8 | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/micron-mt8htf6464ay667b8-datasheets-5568.pdf | 240-УДИММ | 1,8 В | Без свинца | 1,9 В | 1,7 В | 240 | 667 МГц | 8 | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF12872KY-40EA1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872ky40ea1-datasheets-4292.pdf | 244-МиниRDIMM | 30 мм | 1,8 В | Без свинца | 244 | Нет | 400 МГц | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AG-335F1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-УДИММ | 184 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | Другие микросхемы памяти | 2,5 В | 3645 мА | Не квалифицированный | Р-ПДМА-Н184 | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AY-335F1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-УДИММ | 133,35 мм | 31,8 мм | 2,5 В | Без свинца | 184 | 2,7 В | 2,3 В | 184 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 333 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 184 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 9 | Другие микросхемы памяти | 3645 мА | 512 МБ | ГДР SDRAM | 72б | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,045А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||
| MT9VDVF6472Y-40BF4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 184-РДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HDG-40BF2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hdg335f2-datasheets-4242.pdf | 200-SODIMM | 200 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ДРАМ | 2,6 В | 1,94 мА | Не квалифицированный | Р-ПДМА-Н200 | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,04А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16ВДФ12864ХГ-335Ф2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-SODIMM | 38,1 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | 333 МГц | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 16 | ДРАМ | 4,64 мА | Не квалифицированный | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128MX64 | 64 | 8589934592 бит | 0,08А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT3264AG-40BG6 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464ay40bd3-datasheets-4252.pdf | 184-УДИММ | 184 | не_совместимо | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2,6 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | ДРАМ | 2,6 В | 3,76 мА | Не квалифицированный | Р-ПДМА-Н184 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | 32MX64 | 64 | 2147483648 бит | 0,032А | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HY-40BF2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hy335f2-datasheets-4334.pdf | 200-SODIMM | 512 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36ВДФ25672Y-335F2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf | 184-РДИММ | 2 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9ВДВФ6472Г-335Д4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 184-РДИММ | 512 МБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с |
