Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество регистров | Количество входов | Тактовая частота | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Количество выделенных входов | Всего бит оперативной памяти | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCMXO640E-5TN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 600 МГц | 14 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | Нет СВХК | 100 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 14 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 74 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 3,5 нс | 74 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200HC-6TG144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 388 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-1200 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 17,3 КБ | 107 | ВСПЫШКА | 8 КБ | 108 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640E-4TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 14 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 14 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO640 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 4,2 нс | 113 | 320 | МАКРОКЛЕТКА | 640 | ФЛЕШ ПЛД | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-6TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 79 | 80 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ2-6Е-6ТН144И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 357 МГц | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3BN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 420 МГц | 23 мА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛФБГА, КСПБГА | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 23 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | LCMXO2280 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 211 | СРАМ | 5,1 нс | 211 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-1SG32C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 32-UFQFN Открытая площадка | 5 мм | 5 мм | 1,2 В | Без свинца | 32 | 8 недель | EAR99 | 104 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | НЕ УКАЗАН | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 21 | ВСПЫШКА | 0Б | 22 | 22 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-3UMG64C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 64-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 1,2 В | Без свинца | 64 | 8 недель | 64 | да | EAR99 | 150 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 44 | 45 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256HC-5MG132C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 132 | 8 недель | да | EAR99 | 323 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 55 | 56 | 56 | 128 | 256 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-640E-6MG121C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-ВФБГА | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 8 КБ | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000UHC-4FG484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 82 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 2,5 В | Без свинца | 484 | 8 недель | Нет СВХК | 484 | 92 КБ | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 25,5 КБ | 278 | 7,24 нс | 279 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HE-5FTG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 323 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 206 | 207 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000ZE-2FG484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 278 | 279 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HC-6BG332I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 332-ФБГА | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Без свинца | 332 | 8 недель | 332 | да | EAR99 | Нет | 388 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 68,8 КБ | 278 | ВСПЫШКА | 30 КБ | 279 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-7000HE-5FG484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 189 мкА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 323 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | LCMXO2-7000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 68,8 КБ | 334 | 335 | 3432 | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-8FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 18 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | 3,1 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-17 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 92 КБ | 222 | 87,5 КБ | 222 | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 716800 | 2125 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-4TG100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 1,84 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 2,5 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 657,000198мг | Нет СВХК | 100 | 147 КБ | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 5,9 КБ | 78 | ВСПЫШКА | 2,3 КБ | 7,24 нс | 79 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 18432 | 80 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR1K | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 0,567 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 81-УФБГА, ВЛЦП | 3,797 мм | 3,693 мм | Без свинца | 81 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б81 | 63 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-1200UHC-4FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 56 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | LCMXO2-1200 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 20,5 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 7,24 нс | 207 | 640 | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||
| ICE40HX4K-TQ144 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ HX | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 1,45 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 1,319103г | 144 | 80 КБ | EAR99 | Нет | 533 МГц | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,2 В | 0,5 мм | ICE40 | Программируемые вентильные матрицы | 10 КБ | 107 | 10 КБ | 107 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-4FTG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 269 МГц | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | Нет СВХК | 256 | 74 КБ | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 7,24 нс | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20SE-6FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-20 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 193 | 34,5 КБ | 193 | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-35EA-8FN484I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 89,3 мА | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | EAR99 | Нет | 500 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ3-35 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 174,4 КБ | 295 | 165,9 КБ | 295 | 33000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1358848 | 4125 | 0,281 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-20SE-7FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | 484 | да | EAR99 | 420 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-20 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 39,8 КБ | 331 | 34,5 КБ | 331 | 21000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 20000 | 282624 | 2625 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HE-6MG132I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 1,2 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 27,8 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 11,5 КБ | 105 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-5FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 2,5 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | 21,3 КБ | 206 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HE-5FTG256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 1 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 206 | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-2BG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 21,3 КБ | 206 | 207 | 207 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200E-4TN144I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 18 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 18 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO1200 | 144 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 113 | СРАМ | 4,4 нс | 113 | 600 | МАКРОКЛЕТКА | 1200 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 9421 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HE-6BG256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 128 мкА | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 8 недель | да | EAR99 | 133 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,8 мм | LCMXO2-4000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 27,8 КБ | 206 | 207 | 207 | 2160 | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 94208 | 540 |
