Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE2M50E-6FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 357 МГц | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 8 недель | Нет СВХК | 484 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 24000 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70E-5FN672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 8 недель | 672 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-70 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 146 КБ | 500 | 129 КБ | 500 | 311 МГц | 68000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M100E-6FN900I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М100 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 688,8 КБ | 416 | 663,5 КБ | 416 | 357 МГц | 95000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 100000 | 5435392 | 11875 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M70E-7FN900C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 8 недель | 900 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 584,9 КБ | 416 | 566,8 КБ | 416 | 420 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 4642816 | 8375 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50E-5F484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | Нет | 311 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-4FT256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 23 мА | 1,55 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-ЛБГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 10 недель | 256 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,5 В И 3,3 В. | Нет | 550 МГц | 8542.39.00.01 | 23 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LCMXO2280 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 211 | СРАМ | 4,4 нс | 4,4 нс | 211 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-7F484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 420 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,304 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFEC33E-3FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 340 МГц | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕК33 | 484 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 78,6 КБ | 360 | 53КБ | 360 | 32800 | 4096 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 434176 | 0,56 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15C-5FN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 400 МГц | 2,1 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 16 недель | 256 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,8 В | 1 мм | LFXP15 | 256 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 48,1 КБ | 188 | 40,5 КБ | 188 | 1932 КЛБС | 15000 | 1875 г. | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1932 год | 1932 год | 331776 | 0,44 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6C-3F256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 10 недель | 256 | нет | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFXP6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 11,9 КБ | 188 | 9 КБ | 188 | 720 КЛБС | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFECP6E-3FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭКП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfec1e3tn100c-datasheets-8118.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | да | EAR99 | 340 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЕКП6 | 484 | 40 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 14,6 КБ | 224 | 11,5 КБ | 224 | 6100 | 768 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 768 | 94208 | 0,56 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280E-5T100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 20 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 100 | нет | EAR99 | 600 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 20 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO2280 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 73 | СРАМ | 3,6 нс | 73 | 1140 | МАКРОКЛЕТКА | 2280 | ФЛЕШ ПЛД | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6E-7F256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 420 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 190 | 6,9 КБ | 190 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,304 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-40E-5F672I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 672-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | LFXP2-40 | 672 | 540 | 110,6 КБ | 40000 | 906240 | 5000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-128/64-10YNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,4 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 100-БКФП | 20 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 100 | 10 недель | 5,25 В | 4,75 В | 100 | да | EAR99 | ДА | Нет | 125 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 0,65 мм | М4А5-128 | 100 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 264 | В системном программировании | 2 | ДА | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064ZE-7TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 241 МГц | 80 мкА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 1,9 В | 1,7 В | 48 | EAR99 | ДА | 80 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4064 | 48 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 4 | В системном программировании | 4 | ДА | 1,7 В~1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064V-75TN44I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 12 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 1 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 44 | да | EAR99 | ДА | 12 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | LC4064 | 44 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 30 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 388 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 2 | ДА | 3В~3,6В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-5TN176C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 176-LQFP | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Без свинца | 176 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 176 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4256 | 176 | 40 | Программируемые логические устройства | 128 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 388 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-32/32-10ВНЦ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-TQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 10 недель | 3,6 В | 3В | 44 | да | EAR99 | ДА | Нет | 100 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | М4А3-32 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | 32 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 160 | 1250 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-3FTN256BC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 384,6 МГц | 12,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | LC4256 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 160 | ЭСППЗУ | 3 нс | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 16 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4064V-5TN48I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 12 мА | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 9.071791г | 3,6 В | 3В | 48 | да | EAR99 | ДА | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4064 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 2,5 нс | 64 | МАКРОКЛЕТКА | 160 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048Е-90ЛТН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048e90ltn-datasheets-2328.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 128 | 8 недель | да | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,4 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 12,5 нс | 71 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4384V-75FTN256I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 13,5 мА | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 256 | да | EAR99 | ДА | 178,57 МГц | 8542.39.00.01 | 13,5 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | LC4384 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 192 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 384 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 7,5 нс | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4512V-5FTN256C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 227,27 МГц | 14 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 256-ЛБГА | 3,3 В | Без свинца | 256 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 256 | да | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 14 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | LC4512 | 256 | 40 | Программируемые логические устройства | 208 | ЭСППЗУ | 5 нс | 5 нс | 512 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 4 | ДА | 3В~3,6В | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А5-256/128-65YNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 5В | Без свинца | 208 | 5,25 В | 4,75 В | да | EAR99 | ДА | 200 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 0,5 мм | М4А5-256 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 128 | ЭСППЗУ | 6,5 нс | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 14 | ДА | 4,75 В~5,25 В | 6,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4128ZE-7TCN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000ZE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 178,57 МГц | 2мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4032ze7tn48c-datasheets-8771.pdf | 100-LQFP | 1,8 В | Без свинца | 100 | 1,9 В | 1,7 В | 100 | EAR99 | ДА | 2мА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,5 мм | LC4128 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 64 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 128 | 8 | В системном программировании | ДА | 1,7 В~1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4032C-5TN48C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000C | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,8 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 1,8 В | Без свинца | 48 | 1,95 В | 1,65 В | 48 | да | EAR99 | ДА | 400 МГц | 1,8 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | LC4032 | 48 | 40 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 5 нс | 128 | 800 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 4 | ДА | 1,65 В~1,95 В | 5нс | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ20В8К-10ЛДЖИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®20В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 83,3 МГц | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal20v8b25lp-datasheets-1591.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 5В | Без свинца | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | Нет | 130 мА | е0 | КВАД | ДЖ БЕНД | 5В | 1,27 мм | ГАЛ20В8 | 28 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 12 | 64 | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1048E-100LT | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000E | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1048e90ltn-datasheets-2328.pdf | 128-LQFP | 14 мм | 14 мм | 128 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,4 мм | ИСПЛСИ 1048 | 128 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G128 | 96 | 12,5 нс | 71 МГц | 8000 | 192 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 8 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 2032А-150ЛТ48 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 2000A | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi2032a110lj44-datasheets-1904.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | нет | EAR99 | ДА | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | ИСПЛСИ 2032 | 48 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 32 | 111 МГц | 1000 | 32 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5,5 нс | 8 |
