Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БАС56 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bas56bk-datasheets-6360.pdf | ТО-253-4, ТО-253АА | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 0,35 Вт | 60В | 100 мкА | 60В | 6нс | Стандартный | 60В | 100 нА при 60 В | 1 В @ 200 мА | 200 мА постоянного тока | -65°К~150°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMMR1-10 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmmr106trpbfree-datasheets-0876.pdf | СОД-123Ф | 17 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1000В | Стандартный | 30А | 1А | 6пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHD3595 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhd3595trpbfree-datasheets-6447.pdf | СОД-123 | 98 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 150 В | 3 мкс | Стандартный | 4А | 0,15 А | 860пФ @ 1В 1МГц | 150 В | 1 нА при 125 В | 1 В @ 200 мА | 150 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPD1001 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpd1001atrpbfree-datasheets-1676.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 42 недели | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 90В | 50 нс | Стандартный | 6А | 0,25 А | 35пФ @ 0В 1МГц | 90В | 100 нА при 90 В | 1 В @ 200 мА | 250 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦММШ1-40Л | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmmsh140l-datasheets-6100.pdf | СОД-123Ф | 2 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | Шоттки | 1А | 70пФ @ 10В 1МГц | 40В | 500 мкА при 40 В | 450 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||
| UF4002 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-uf4005tr-datasheets-1406.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 50 нс | Стандартный | 1А | 20пФ @ 4В 1МГц | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||
| CMSH3-100MA TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmsh340matr13pbfree-datasheets-1796.pdf | ДО-214АС, СМА | 28 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100В | Шоттки | 80А | 3А | 280пФ @ 4В 1МГц | 100В | 500 мкА при 100 В | 850 мВ при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CMSH1-150HE TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsh1200hetr13pbfree-datasheets-6255.pdf | ДО-214АС, СМА | 14 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 В | Шоттки | 30А | 1А | 150 В | 50 мкА при 150 В | 900 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМШ1-20М ТР13 ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmsh140mtr13pbfree-datasheets-5522.pdf | ДО-214АС, СМА | 28 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20 В | Шоттки | 30А | 1А | 100пФ @ 4В 1МГц | 20 В | 500 мкА при 20 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР1У-10М ТР13 ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmr1u01mtr13pbfree-datasheets-6776.pdf | ДО-214АС, СМА | 14 недель | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 1000В | 100 нс | Стандартный | 30А | 1А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL914 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll914trpbfree-datasheets-8188.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 13 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 4нс | Стандартный | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 5 мкА при 75 В | 1 В @ 10 мА | 250 мА постоянного тока | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMIDSH1-3 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmidsh13trpbfree-datasheets-4521.pdf | СК-90, СОД-323Ф | 28 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 70пФ @ 4В 1МГц | 30В | 100 мкА при 30 В | 520 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМШ3-60 БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsh320tr13pbfree-datasheets-4860.pdf | ДО-214АБ, СМК | 12 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60В | Шоттки | 150А | 3А | 278пФ при 0 В 1 МГц | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5817 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5817trpbfree-datasheets-5888.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 20 В | 1 мА при 20 В | 450 мВ при 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPD5001 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpd5001sbkpbfree-datasheets-6340.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 120 В | 50 нс | Стандартный | 6А | 0,4 А | 35пФ @ 0В 1МГц | 120 В | 100 нА при 90 В | 1,25 В @ 400 мА | 400 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMR2U-04 БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cmr2u04tr13pbfree-datasheets-1840.pdf | ДО-214АА, СМБ | 26 недель | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400В | 50 нс | Стандартный | 50А | 2А | 28пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 2 А | 2А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPD1001 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpd1001atrpbfree-datasheets-1676.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 90В | 50 нс | Стандартный | 6А | 0,25 А | 35пФ @ 0В 1МГц | 90В | 100 нА при 90 В | 1 В @ 200 мА | 250 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMR2U-06 БК ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cmr2u04tr13pbfree-datasheets-1840.pdf | ДО-214АА, СМБ | 26 недель | совместимый | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600В | 100 нс | Стандартный | 50А | 2А | 28пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4002СП БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4002sptr-datasheets-6374.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | ДО-41 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLLRH-06 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cllrh06bk-datasheets-6460.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.70 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 600В | Стандартный | 10А | 0,5 А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 400В | 1,1 В при 500 мА | 500 мА | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||
| ЦРШ2-5 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-crsh26bk-datasheets-6474.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | Шоттки | 75А | 1 | 2А | 170пФ @ 4В 1МГц | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 2 А | 2А | -65°К~125°К | |||||||||||||||||
| УФ4005 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-uf4005tr-datasheets-1406.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 75нс | Стандартный | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||
| CR3F-060 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3f020bk-datasheets-6658.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 250 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 40пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||
| CN649 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cn645tr-datasheets-0477.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.70 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 2 | 150°С | 1 | Не квалифицирован | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 0,6 Вт | Стандартный | 0,4 А | 11пФ @ 12В 1МГц | 600В | 200 нА при 600 В | 1 В @ 400 мА | 400 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||
| UF4004 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-uf4005tr-datasheets-1406.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 50 нс | Стандартный | 1А | 20пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||
| CN645 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cn645tr-datasheets-0477.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.70 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 2 | 150°С | 1 | Не квалифицирован | O-XALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 0,6 Вт | Стандартный | 0,4 А | 11пФ @ 12В 1МГц | 225В | 200 нА при 225 В | 1 В @ 400 мА | 400 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||
| CR3-020ГПП БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 200А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||
| CR3-100ГПП ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1000В | Стандартный | 200А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||
| CPD93V-1N3600-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cpd93v1n3600ct-datasheets-4374.pdf | умереть | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 6нс | Стандартный | 2,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 50В | 100 нА при 50 В | 1 В @ 200 мА | 200 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR250-4 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr2504bk-datasheets-7859.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.70 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 175°С | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | Стандартный | 0,25 А | 30пФ @ 4В 1МГц | 4000В | 5 мкА при 4000 В | 5 В @ 200 мА | 200 мА | -65°К~150°К |
