Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Напряжение пробоя | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Удерживать ток | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение – обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Зажимное напряжение-Макс. | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Неповторяющийся Pk в рабочем состоянии | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Импеданс-Макс | Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние – выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Время выключения, коммутируемое цепью-ном. | Среднеквадратичное значение тока во включенном состоянии, максимальный ток | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P4SMA170CA TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | Общего назначения | Нет | 189В | 1,4 А | 275В | 170 В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA150A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 179,8 В | Нет | 167В | 1,6А | 243В | 150 В | 1 | 400 Вт | 243В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA130CA БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | Общего назначения | Нет | 144В | 1,9 А | 209В | 130 В | 400 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA220A ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | совместимый | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 261,8 В | 220В | Нет | 242В | 1,1А | 356В | 220В | 1 | 400 Вт | 356В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA170A ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | совместимый | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 203,25 В | Нет | 189В | 1,4 А | 275В | 170 В | 1 | 400 Вт | 275В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMB78CA ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1smb22catr13pbfree-datasheets-5326.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 8 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 10 | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 93,2 В | КРЕМНИЙ | 78В | 600 Вт | Нет | 86,7 В | 4,7А | 126В | 78В | 600 Вт | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPS5062 ТР Ч | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmps5064trpbfree-datasheets-6407.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPS053-CS92D-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~125°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cps053cs92dct20-datasheets-3325.pdf | умереть | 400В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 10 А при 50 Гц | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,7 В | 1 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218-55B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs21855b-datasheets-3275.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 55А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 150 мА | 500 А | 200В | СКР | 200В | 200В | 55А | 1,5 В | 500 А при 100 Гц | 80 мА | Стандартное восстановление | 2В | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218I-30N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs218i30b-datasheets-3293.pdf | ТО-218-3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 30А | 75 мА | 800В | 30А | 1,5 В | 400 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартное восстановление | 2,1 В | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н691А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | 2 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | О-МУПМ-Д2 | 25А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 5мА | 50 мА | 150 А | 700В | СКР | 700В | 700В | 25А | 2В | 200 А при 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 4,5 мА | 100 В/мкс | 20 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218-35N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs21835d-datasheets-3277.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 75 мА | 400 А | 800В | СКР | 800В | 800В | 35А | 1,5 В | 400 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартное восстановление | 2,2 В | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218-55P | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs21855b-datasheets-3275.pdf | ТО-218-3 | 3 | да | 8541.30.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ОДИНОКИЙ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 55А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 150 мА | 1200В | СКР | 1кВ | 1200В | 55А | 1,5 В | 500 А при 100 Гц | 80 мА | Стандартное восстановление | 2В | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-25P | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22025m-datasheets-3558.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | 25000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 50 мА | ТО-220АБ | 250 А | 1000В | СКР | 1кВ | 1000В | 25А | 1,5 В | 30 мА | Стандартное восстановление | 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP232V-2N4416A-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218-45B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 45А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 45А | 1,5 В | 300 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ48-25M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq4825m-datasheets-2702.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 25А | Одинокий | 100 мА | 600В | 25А | 1,5 В | 250 А при 100 Гц | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4M-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d2-datasheets-2648.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-25N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22025d-datasheets-2771.pdf | ТО-220-3 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25А | Одинокий | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 25А | 2,5 В | 60 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-40МФУ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-3 | ТО-220-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-8M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i8d-datasheets-2875.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | 25 мА | ТО-220АБ | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 8А | 1,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-8M3 СЛ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2208m3sl-datasheets-2932.pdf | ТО-220-3 | Одинокий | 600В | 8А | 1,3 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ3P-40M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p40d-datasheets-3280.pdf | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | ТРИАК | 50 мА | 600В | 500 В/мкс | 40А | 2,5 В | 5 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4393-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~175°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4393ct20-datasheets-4329.pdf | умереть | 8 недель | умереть | 14пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 мА при 20 В | 100 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246Б | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ176 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmpfj175tr-datasheets-4360.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 18 недель | да | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 250Ом | P-канал | 1 В при 10 нА | 30В | 2 мА при 15 В | 250Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLZDA3V3 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmlzda6v2bk-datasheets-1331.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | совместимый | ±6,06% | ДА | Диоды опорного напряжения | 1 пара общего анода | 250 мВт | 0,25 Вт | 3,3 В | 6,1% | 5мА | стабилитрон | 95Ом | 95Ом | 5 мкА при 1 В | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5241B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 11В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 2 мкА при 8,4 В | 900 мВ при 10 мА | 11В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5240B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 10 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5248B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 18В | 5% | 7мА | стабилитрон | 21 Ом | 21 Ом | 100 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 18В |
