Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС45С16800Ф-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 8 недель | 54 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVC2M16EALL-7010BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 4,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 54 | 10 недель | 54 | 3A991.B.2.A | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 70 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-250Б3Л-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ204816БЛЛ-10ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 10 нс | 33554432 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPD51236A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 200 МГц | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ102416БЛЛ-25МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $29,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 8 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 25нс | 16б | 25 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512АЛ-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,35 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,333 ГГц | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ЛФ25636А-7.5ТКЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | да | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 117 МГц | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 40 | 2,5/3,33,3 В | 0,225 мА | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,09А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV102416BLL-10CTLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $62,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 48 | 10 недель | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 140 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,05А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18320А-33ВБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 20нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49РЛ18320-107ЭБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 168-ЛБГА | 13,5 мм | 168 | 14 недель | 168 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 933 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,28 В~1,42 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 1 мм | 168 | 1,42 В | 1,28 В | 1,35 В | 2,89 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ22М36А-300М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102436Б-166Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3,5 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102436Б-250Б3Л-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДП2Б44М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 75497472 бит | 0,45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А-500М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А1-500М3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 12 недель | 165 | 72 Мб | 2 | 1 | 1,2А | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 36 | 0,36 А | 36б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВПС204818Б-166Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 44 | 2,4 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46LR32160C-6BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 130 мА | 90 | 14 недель | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 12нс | 536870912 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP25636B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS102418B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128АЛ-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 255 мА | 96 | 96 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | 0,02 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256АЛ-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 240 мА | 96 | 10 недель | 96 | 4ГБ | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 180 мА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 667 МГц | 18б | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 0,016А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16128К-3ДБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1,8 В | 0,485 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | АЭК-Q100 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | 0,03 А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-200Б3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256АЛ-125КБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 261 мА | 10 недель | 96 | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 48 | да | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 225 | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | 0,05 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 10 нс | 4194304 бит | 0,015А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10T2LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $7,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 10 нс | 8388608 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД16640С-18БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ |
