Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | 10 | Р-ПБГА-Б48 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 10 нс | 8388608 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Г-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 8 недель | 90 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,065 мА | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is64wv25616bll10ctla3tr-datasheets-6529.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | 1 | Нет | 65 мА | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 0,8 мм | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 370 мА | 60 | 8 недель | 60 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLF12836EC-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | 117 МГц | 1 | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | 2,5/3,33,3 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV2568EDBLL-10CTLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 10 недель | 44 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | ИНН | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 0,05 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 нс | 2097152 бит | 0,015А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800ДЖ-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | Р-ПБГА-Б90 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320Д-25ДБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 512 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Ф-5БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-15ХБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,5 В | 267 мА | 6 недель | 96 | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Е-5ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 66 | 8 недель | 66 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 200 МГц | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16320С-3ДБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 250 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 0,011А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ12816ДБЛЛ-12КТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,90 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv12816dbll10tlitr-datasheets-6956.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 10 недель | 44 | 2 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 60 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Е-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 66 | 10 недель | 66 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 166 МГц | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ256АЛ-10ДЖЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv256al10jlitr-datasheets-8574.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 100 МГц | 1 | 35 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 28 | 3,63 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 10 нс | 0,00005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv6416eebll10tlitr-datasheets-7055.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 25 мА | 8 недель | 3,6 В | 2,4 В | 44 | Параллельно | 2,4 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV12816EBLL-45TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ16 | 16 | 45нс | 2097152 бит | 45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К256АЛ-45УЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2,84 мм | Соответствует ROHS3 | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 5В | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 25 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 28 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 45нс | 8б | 45 нс | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61wv51216edbll8tli-datasheets-7511.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 8нс | 8388608 бит | 0,015А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ102416ФБЛЛ-10Т2ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $10,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 6 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46LR16320C-6BLA2-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM — мобильный LPDDR | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 1,8 В | 60 мА | 14 недель | 1,95 В | 1,7 В | 60 | Параллельно | 512 Мб | 166 МГц | 110 мА | 1,7 В~1,95 В | 60-ТФБГА (8х10) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS51218B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 12 недель | 3,135 В~3,465 В | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV51216BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $7,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 8 недель | 44 | 8 Мб | да | 1 | 1 | 95 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | Не квалифицирован | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-75ЭТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | 86 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С86400Д-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $15,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 200 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416EDBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16640Б-3ДБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | 220 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | АЭК-Q100 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 |
