Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС42С16320Д-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | Нет СВХК | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 170 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Э-5БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r86400e5bi-datasheets-1425.pdf | 60-ТФБГА | 2,3 В~2,7 В | 60-ТФБГА (8x13) | 512М 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К1024АЛ-35ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 5В | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | 32 | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 35 нс | 8б | 35 нс | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Г-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 143 МГц | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16640Б-25ДБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,88 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | 240 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД102418А-200Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LP6432A-133TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,91 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20,1 мм | 1,45 мм | 14,1 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 2 Мб | да | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 190 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 40 | 2Мб 64К х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4нс | 133 МГц | 16б | СРАМ | Параллельно | 64КХ32 | 0,04А | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД51236А-200Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS34MW01G164-БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 63-ВФБГА | 11 мм | 9 мм | 63 | 8 недель | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | 10 | Р-ПБГА-Б63 | 1Гб 64М х 16 | Энергонезависимый | 1,8 В | ВСПЫШКА | Параллельно | 64MX16 | 16 | 45нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ51236А-6.5Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512А-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $21,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,5 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВП102418-200Б3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ5128БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,54 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 100 МГц | 1 | 40 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 0,008А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ51236-6.5Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256АЛ-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 96 | 6 недель | 96 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП51236-250Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 3,135 В~3,465 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128Д-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,65 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПД102418А-250Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — четырехпортовый, синхронный | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 2,6 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43QR16256B-083RBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR4 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43qr16256b083rbl-datasheets-6216.pdf | 96-БГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 1,2 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС51236А-200Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 165 | 2,375 В~2,625 В | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVH8M8ALL-166B1LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 10 недель | 24 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 64Мб 8М х 8 | Неустойчивый | 166 МГц | ПСРАМ | Параллельно | 8MX8 | 8 | 36нс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ102418А-6.5Б3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 18 Мб | нет | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА, ПРОТОЧНАЯ | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | 133 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 0,06А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512Б-125КБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $20,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43tr16512bl125kbli-datasheets-7588.pdf | 96-ТФБГА | 14 мм | 10 мм | 96 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-Б96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 8589934592 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР81280Б-3ДБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | 84 | 60 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 333 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | 220 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | АЭК-Q100 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 17б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Г-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 268435456 бит | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ51236А-7.5Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 18 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА, ПРОТОЧНАЯ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,135 В | 0,25 мА | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,075А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС51236А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,125А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV6416EEBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 48 | 1 | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 10 нс | 0,004А | 10 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ25672-6.5Б1И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 22 мм | 14 мм | 209 | 209 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 209 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,65 мА | Не квалифицирован | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В |
