Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR32160B-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 14 недель | 90 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 12нс | 536870912 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Д-6БЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 60 | 10 недель | 60 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,37 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ12836А-7.5ТКИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlf12836a75tqitr-datasheets-9469.pdf | 100-LQFP | 100 | 3,135 В~3,465 В | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16320Э-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 12 недель | 54 | 512 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 100 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF12836A-6.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | да | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 133 МГц | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 40 | 2,5/3,33,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 нс | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,035А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Э-6ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 66 | 512 Мб | 166 МГц | 2,3 В~2,7 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 13б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416GALL-55TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ41М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 0,95 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,32 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS102436B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПС12836А-200Б2И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 3,3 В | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | 4 | 200 МГц | 210 мА | 3,135 В~3,465 В | 119-ПБГА (14х22) | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | 17б | СРАМ | Параллельно | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД51236А-200Б3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lpd51236a200b3-datasheets-1590.pdf | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,425 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LV12816L-10LQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-LQFP | 3,3 В | 44 | 2 Мб | 1 | 65 мА | 3,135 В~3,6 В | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ6416-10БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 3,3 В | 48 | 1 Мб | 1 | 130 мА | 3,135 В~3,6 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 16б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ2568Л-10ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv2568l10tltr-datasheets-1651.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 44 | 44 | 2 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 60 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ6416-10ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,63 В | 3,135 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 130 мА | 3,135 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 16б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К256-70У | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 2,8448 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62c25670u-datasheets-0683.pdf | 28-СОП | 5В | 28 | 28 | 256 КБ | нет | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 60 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 28 | 30 | 5В | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 70нс | 0,0002А | 8б | 70 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б3И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ТФБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 165 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,135 В | 0,28 мА | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ102418-6.5ТК-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SRAM – синхронный, SDR | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 133 МГц | 3,135 В~3,465 В | 100-ТКФП (14x20) | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ2568БЛЛ-70ХИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 1,25 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv2568bll55blitr-datasheets-9315.pdf | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 8 мм | 32 | 32 | нет | 3A991.B.2.A | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 70нс | 2097152 бит | 0,00001А | 70 нс | ОБЩИЙ | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ЛВ1024Л-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is63lv1024l12jl-datasheets-7623.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 32 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 32 | 3,45 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ЛВ1024Л-10ДЖЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is63lv1024l12jl-datasheets-7623.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | 32 | 1 Мб | 1 | 160 мА | 3,15 В~3,45 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ЛВ25616АЛ-12ТА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is64lv25616al12tla3tr-datasheets-3670.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 44 | 4 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 120 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160А-75БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Соответствует RoHS | 90-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 185 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,0024А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Б-6ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 250 мА | 66 | Нет СВХК | 66 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | 250 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 10 | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15нс | 0,025А | 32 МБ | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Э-6Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Б-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 86 | 86 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25672-200Б1ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $68,76 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,95 мм | Соответствует ROHS3 | 209-БГА | 22 мм | 3,3 В | 209 | 209 | 18 Мб | да | 8 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 600 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 209 | 3,465 В | 3,135 В | 40 | 18Мб 256К х 72 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ72 | 72 | 0,075А | 72б | синхронный | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-7БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 3,3 В | 60 | 60 | 16 Мб | нет | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 150 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 2048 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Б-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ЛФБГА | 13 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 180 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Е-7БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 3,3 В | 60 | 16 Мб | Нет | 150 мА | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно |
