Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС6К2008А-55СИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c2008a55tintr-datasheets-5747.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 8 недель | 32 | да | неизвестный | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 55нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025B-15JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7084 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025b12jintr-datasheets-6044.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | 3,6 В | 3В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 15нс | 1048576 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М32МД1-5БИН | Альянс Память, Инк. | $5,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m32md15bcn-datasheets-6651.pdf | 90-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4098A-12JCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 83 МГц | 4,5 В~5,5 В | 44-СОЮ | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-15TCN | Альянс Память, Инк. | $5,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | 3,6 В | 3В | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 15нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-20ДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 10 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-СОЮ | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 20нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 20нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К8008А-45БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c8008a45zin-datasheets-4426.pdf | 48-ВФБГА | 8 недель | 48 | да | неизвестный | 2,7 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3LB-12BINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К4008-55БИН | Альянс Память, Инк. | $4,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c400855stin-datasheets-3230.pdf | 36-ТФБГА | 8 мм | 3В | 36 | 8 недель | Нет СВХК | 36 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 36 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 0,00003А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1024C-12ТДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,683 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024c12jin-datasheets-2986.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 10 недель | да | 3A991.B.2.B | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПДСО-J32 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 12нс | 1048576 бит | 12 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32096A-10TCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32096a10tin-datasheets-6372.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 10 нс | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-6БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6bin-datasheets-3666.pdf | 90-ТФБГА | 3,3 В | 8 недель | 90 | 64 Мб | да | Нет | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | 10б | ДРАМ | Параллельно | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4098A-12JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 12нс | 4194304 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М8Д2-25БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d225bin-datasheets-4341.pdf | 60-ТФБГА | 8 недель | да | неизвестный | 1,7 В~1,9 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3Л-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3l12ban-datasheets-5759.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | неизвестный | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д2-25БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d225bintr-datasheets-2361.pdf | 60-ТФБГА | 8 недель | да | неизвестный | 1,7 В~1,9 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 57,5 нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М32МД2А-25БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md2a18bin-datasheets-6431.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3256A-15JCN | Альянс Память, Инк. | 2,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | Нет | 3В~3,6В | 28-СОЮ | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 15нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C256A-10TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256a10jcn-datasheets-6028.pdf | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 8 мм | 28 | 8 недель | 28 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,55 мм | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 10 нс | 262144 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС7К3256А-15ДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3256a12tcn-datasheets-6096.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3/е6 | МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 28 | 3,6 В | 3В | 40 | 0,04 мА | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 15нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C256A-20JCN | Альянс Память, Инк. | $2,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c256a10jcn-datasheets-6028.pdf | 28-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | 4,5 В~5,5 В | 28-СОЮ | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 20нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 20нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16SA-7B2CN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 60-ВФБГА | 10,1 мм | 6,4 мм | 60 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M16MD1A-5BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16md1a5bcn-datasheets-1546.pdf | 60-ВФБГА | 8 недель | 1,7 В~1,9 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C164A-15PCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c164a15jintr-datasheets-6691.pdf | 28-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 35,306 мм | 7,62 мм | 28 | 8 недель | совместимый | 8542.32.00.41 | 1 | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДИП-Т28 | 64Кб 8К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 15нс | 65536 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M8D2-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d225bin-datasheets-4341.pdf | 60-ТФБГА | 8 недель | да | неизвестный | 1,7 В~1,9 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C32098A-12TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c32098a20tin-datasheets-0668.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ16 | 16 | 12нс | 2097152 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C1G8MD3L-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 78-ТФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8Гб 1Г х 8 | Неустойчивый | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C512M16D3L-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 96-ТФБГА | 8 недель | неизвестный | 1,283 В~1,45 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1616-55БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655bintr-datasheets-5543.pdf | 48-ЛФБГА | 8 недель | 48 | Параллельно | 2,7 В~3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1616-70БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c161655bintr-datasheets-5543.pdf | 48-ЛФБГА | 3В | Без свинца | 60 мА | 8 недель | 48 | 16 Мб | 1 | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 70нс |
