Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
АС4К4М16Д1А-5ТАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16d1a5tantr-datasheets-6040.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 15нс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К64М16Д3А-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3a12bin-datasheets-5107.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS4C256M8D3A-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~90°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bcn-datasheets-5471.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS4C256M8D3L-12БАНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bantr-datasheets-5236.pdf | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS4C256M16D3A-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12bcn-datasheets-5229.pdf | 96-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 96-ФБГА (8х13) | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS4C512M8D3A-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12bcn-datasheets-2977.pdf | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К16М32МС-6БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf | 90-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 15нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К64М32МД2А-25БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К256М32МД2-18БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m32md218bin-datasheets-3495.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,2 В 1,8 В | 134-ФБГА (11,5х11,5) | 8Гб 256М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К8М16Д1А-5ТИН | Альянс Память, Инк. | 3,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d1a5tin-datasheets-2929.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К8М32МСА-6БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m32msa6bin-datasheets-3814.pdf | 90-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15нс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К64М8Д3-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~95°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d312bcn-datasheets-6627.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY62256NLL-70PXC | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МоБЛ® | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3555.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 8 недель | 4,5 В~5,5 В | CY62256 | 28-ПДИП | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 70нс | СРАМ | Параллельно | 70нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К128М16Д3Б-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3b12bcn-datasheets-4490.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | Без свинца | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS7C4098A-15TCN | Альянс Память, Инк. | $5,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП2 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 15нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС1К8М16ПЛ-70БИН | Альянс Память, Инк. | $5,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | СИНХРОННЫЙ/АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c8m16pl70bin-datasheets-5822.pdf | 49-ВФБГА | 4 мм | 4 мм | 49 | 10 недель | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,5 мм | 1,95 В | 1,7 В | С-ПБГА-Б49 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 70нс | ПСРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К512М16Д3ЛБ-12БКН | Альянс Память, Инк. | $22,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m16d3lb12bcn-datasheets-6328.pdf | 96-ТФБГА | 13,5 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15нс | 8589934592 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К128М16Д2-25БИН | Альянс Память, Инк. | $13,91 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d225bcn-datasheets-4166.pdf | 84-ТФБГА | 13,5 мм | 1,8 В | 84 | 8 недель | 84 | 2 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К64М8Д3Л-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~95°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d3l12bcn-datasheets-9009.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К128М16Д3ЛА-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3la12bcn-datasheets-2019.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС6К1016-55ЗИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c101655zin-datasheets-6241.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3В | Без свинца | 44 | 8 недель | 44 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | Не квалифицирован | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 0,00002А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
АС4К128М32МД2А-25БИН | Альянс Память, Инк. | $10,91 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md2a18bin-datasheets-6431.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 4Гб 128М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX32 | 32 | 15нс | 4294967296 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС6К62256-55СКН | Альянс Память, Инк. | 2,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,048 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c6225655sin-datasheets-2494.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 3,3 В | Без свинца | 28 | 8 недель | 28 | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3/е6 | МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 250 | 3,3 В | 28 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,045 мА | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 55нс | 0,00002А | 55 нс | ОБЩИЙ | ДА | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||
АС4К32М16МД1А-5БКН | Альянс Память, Инк. | $4,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16md1a5bcn-datasheets-1546.pdf | 60-ВФБГА | 9 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS4C8M16D1-5BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15bin-datasheets-1916.pdf | 60-ТФБГА | 8 недель | неизвестный | 2,3 В~2,7 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS4C16M16SA-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa7tcn-datasheets-3641.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 8 недель | неизвестный | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 14 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AS7C1025B-15JCNTR | Альянс Память, Инк. | $3,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7084 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 15нс | 1048576 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС6К2008А-55СИН | Альянс Память, Инк. | 3,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2,997 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c2008a55tintr-datasheets-5747.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 3В | 32 | 8 недель | 32 | 2 Мб | да | 1 | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 55нс | 0,00002А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
AS7C1025B-15ДЖИН | Альянс Память, Инк. | 3,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 15нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АС7К3513Б-12ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1993 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3513b15tcntr-datasheets-6384.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,52 мм | 1,05 мм | 10,26 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 512 КБ | 1 | 83 МГц | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 512Кб 32К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 12нс |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.