Альянс Память, Инк.

Альянс Память, Инк.(2556)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Напряжение питания Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Размер памяти Тип памяти Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Организация Ширина памяти Время цикла записи — Word, Page Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Обратная распиновка Напряжение в режиме ожидания-мин. Режим доступа
AS4C4M16D1A-5TAN АС4К4М16Д1А-5ТАН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°C~105°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16d1a5tantr-datasheets-6040.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 66 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,65 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G66 64Мб 4М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 4MX16 16 15нс 67108864 бит
AS4C64M16D3A-12BCN АС4К64М16Д3А-12БКН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3a12bin-datasheets-5107.pdf 96-ВФБГА 13 мм 8 мм 96 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 1Гб 64М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 64MX16 16 15нс 1073741824 бит
AS4C256M8D3A-12BCNTR AS4C256M8D3A-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~90°К ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bcn-datasheets-5471.pdf 78-ВФБГА 8 недель 1,425 В~1,575 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M8D3L-12BANTR AS4C256M8D3L-12БАНТР Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поверхностный монтаж -40°К~105°К ТС Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3l12bantr-datasheets-5236.pdf 78-ВФБГА 1,283 В~1,45 В 2Гб 256М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M16D3A-12BCNTR AS4C256M16D3A-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3a12bcn-datasheets-5229.pdf 96-ВФБГА 1,425 В~1,575 В 96-ФБГА (8х13) 4 ГБ 256 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C512M8D3A-12BCNTR AS4C512M8D3A-12BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12bcn-datasheets-2977.pdf 78-ВФБГА 1,425 В~1,575 В 4Гб 512М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C16M32MS-6BIN АС4К16М32МС-6БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильная SDRAM СИНХРОННЫЙ 1 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16ms7bcn-datasheets-5867.pdf 90-ВФБГА 13 мм 8 мм 90 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В Р-ПБГА-Б90 512Мб 16М х 32 Неустойчивый 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 16MX32 32 15нс 536870912 бит
AS4C64M32MD2A-25BCN АС4К64М32МД2А-25БКН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3556.pdf 134-ВФБГА 8 недель 1,14 В~1,95 В 2Гб 64М х 32 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C256M32MD2-18BCN АС4К256М32МД2-18БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -25°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m32md218bin-datasheets-3495.pdf 134-ВФБГА 8 недель 1,2 В 1,8 В 134-ФБГА (11,5х11,5) 8Гб 256М х 32 Неустойчивый 533 МГц ДРАМ
AS4C8M16D1A-5TIN АС4К8М16Д1А-5ТИН Альянс Память, Инк. 3,20 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d1a5tin-datasheets-2929.pdf 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 22,22 мм 10,16 мм 66 8 недель да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 2,3 В~2,7 В ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,5 В 0,65 мм 2,7 В 2,3 В НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G66 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 8MX16 16 15нс 134217728 бит
AS4C8M32MSA-6BIN АС4К8М32МСА-6БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM – мобильная версия СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m32msa6bin-datasheets-3814.pdf 90-ВФБГА 13 мм 8 мм 90 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ совместимый 1 ДА 1,14 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б90 256Мб 8М х 32 Неустойчивый 5,5 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 8MX32 32 15нс 268435456 бит
AS4C64M8D3-12BIN АС4К64М8Д3-12БИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~95°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d312bcn-datasheets-6627.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 8 мм 78 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б78 512Мб 64М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 64MX8 8 536870912 бит
CY62256NLL-70PXC CY62256NLL-70PXC Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать МоБЛ® Сквозное отверстие 0°C~70°C ТА Трубка 1 (без ограничений) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-cy62256nll70pxc-datasheets-3555.pdf 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) 8 недель 4,5 В~5,5 В CY62256 28-ПДИП 256Кб 32К х 8 Неустойчивый 70нс СРАМ Параллельно 70нс
AS4C128M16D3B-12BCN АС4К128М16Д3Б-12БКН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3b12bcn-datasheets-4490.pdf 96-ВФБГА 13 мм 8 мм Без свинца 96 8 недель да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,425 В~1,575 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,8 мм 1,575 В 1,425 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс 2147483648 бит
AS7C4098A-15TCN AS7C4098A-15TCN Альянс Память, Инк. $5,45
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) Без свинца 8 недель 5,5 В 4,5 В 44 Параллельно 4 Мб 1 Нет 4,5 В~5,5 В 44-ЦОП2 4Мб 256К х 16 Неустойчивый 15нс 18б СРАМ Параллельно 15нс
AS1C8M16PL-70BIN АС1К8М16ПЛ-70БИН Альянс Память, Инк. $5,38
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) PSRAM (псевдо SRAM) СИНХРОННЫЙ/АСИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c8m16pl70bin-datasheets-5822.pdf 49-ВФБГА 4 мм 4 мм 49 10 недель 1 ДА 1,7 В~1,95 В НИЖНИЙ 1,8 В 0,5 мм 1,95 В 1,7 В С-ПБГА-Б49 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 70нс ПСРАМ Параллельно 4MX16 16 67108864 бит
AS4C512M16D3LB-12BCN АС4К512М16Д3ЛБ-12БКН Альянс Память, Инк. $22,75
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m16d3lb12bcn-datasheets-6328.pdf 96-ТФБГА 13,5 мм 9 мм 96 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В Р-ПБГА-Б96 8Гб 512М х 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 512MX16 16 15нс 8589934592 бит
AS4C128M16D2-25BIN АС4К128М16Д2-25БИН Альянс Память, Инк. $13,91
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~95°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR2 СИНХРОННЫЙ 1,2 мм Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d225bcn-datasheets-4166.pdf 84-ТФБГА 13,5 мм 1,8 В 84 8 недель 84 2 ГБ 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 8542.32.00.36 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,8 мм 1,9 В 1,7 В НЕ УКАЗАН 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 400 пс 400 МГц 14б ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс
AS4C64M8D3L-12BCN АС4К64М8Д3Л-12БЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~95°C ТА Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d3l12bcn-datasheets-9009.pdf 78-ВФБГА 10,5 мм 8 мм 78 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б78 512Мб 64М х 8 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 64MX8 8 536870912 бит
AS4C128M16D3LA-12BCN АС4К128М16Д3ЛА-12БКН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°С~95°С ТК Поднос 3 (168 часов) SDRAM-DDR3L СИНХРОННЫЙ 1 мм Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3la12bcn-datasheets-2019.pdf 96-ВФБГА 13 мм 8 мм 96 да 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,283 В~1,45 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,35 В 0,8 мм 1,45 В 1,283 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б96 2 ГБ 128 М x 16 Неустойчивый 20нс 800 МГц ДРАМ Параллельно 128MX16 16 15нс 2147483648 бит
AS6C1016-55ZIN АС6К1016-55ЗИН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c101655zin-datasheets-6241.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) Без свинца 44 8 недель 44 1 Мб да 1 EAR99 1 ДА 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 0,8 мм 44 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,06 мА Не квалифицирован 1Мб 64К х 16 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 16б СРАМ Параллельно 16 55нс 0,00002А 55 нс ОБЩИЙ
AS4C128M32MD2A-25BIN АС4К128М32МД2А-25БИН Альянс Память, Инк. $10,91
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К ТС Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR2 СИНХРОННЫЙ 1 мм Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m32md2a18bin-datasheets-6431.pdf 134-ВФБГА 11,5 мм 10 мм 134 8 недель 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. 1 ДА 1,14 В~1,95 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 1,2 В 0,65 мм 1,3 В 1,14 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-В134 4Гб 128М х 32 Неустойчивый 400 МГц ДРАМ Параллельно 128MX32 32 15нс 4294967296 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
AS6C62256-55SCN АС6К62256-55СКН Альянс Память, Инк. 2,80 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Трубка 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 3,048 мм Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c6225655sin-datasheets-2494.pdf 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) 3,3 В Без свинца 28 8 недель 28 256 КБ да 1 EAR99 Нет 1 е3/е6 МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛОВО ВИСМУТ ДА 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 250 3,3 В 28 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,045 мА 256Кб 32К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15б СРАМ Параллельно 32КХ8 8 55нс 0,00002А 55 нс ОБЩИЙ ДА
AS4C32M16MD1A-5BCN АС4К32М16МД1А-5БКН Альянс Память, Инк. $4,34
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТДж Поднос 3 (168 часов) SDRAM — мобильный LPDDR СИНХРОННЫЙ 1 мм Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16md1a5bcn-datasheets-1546.pdf 60-ВФБГА 9 мм 8 мм 60 8 недель 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ 1 ДА 1,7 В~1,9 В НИЖНИЙ НЕ УКАЗАН 0,8 мм 1,95 В 1,7 В НЕ УКАЗАН Р-ПБГА-Б60 512Мб 32М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 32MX16 16 15нс 536870912 бит
AS4C8M16D1-5BCNTR AS4C8M16D1-5BCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM-DDR Не соответствует требованиям RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15bin-datasheets-1916.pdf 60-ТФБГА 8 недель неизвестный 2,3 В~2,7 В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 128Мб 8М х 16 Неустойчивый 700пс 200 МГц ДРАМ Параллельно 15нс
AS4C16M16SA-7TCNTR AS4C16M16SA-7TCNTR Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SDRAM Не соответствует требованиям RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16sa7tcn-datasheets-3641.pdf 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) Без свинца 8 недель неизвестный 3В~3,6В НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 256Мб 16М х 16 Неустойчивый 5,4 нс 166 МГц ДРАМ Параллельно 14 нс
AS7C1025B-15JCNTR AS7C1025B-15JCNTR Альянс Память, Инк. $3,09
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 3,7084 мм Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) 20,955 мм 10,16 мм 32 8 недель 32 да 1 е3/е6 ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 245 1,27 мм 32 5,5 В 4,5 В 40 1Мб 128К х 8 Неустойчивый СРАМ Параллельно 128КХ8 8 15нс 1048576 бит 15 нс
AS6C2008A-55SIN АС6К2008А-55СИН Альянс Память, Инк. 3,53 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) SRAM — асинхронный 2,997 мм Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c2008a55tintr-datasheets-5747.pdf 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) 32 8 недель 32 2 Мб да 1 1 ДА 2,7 В~5,5 В ДВОЙНОЙ 260 32 5,5 В 2,7 В 40 3/5 В 0,06 мА Не квалифицирован 2Мб 256К х 8 Неустойчивый 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 18б СРАМ Параллельно 256КХ8 8 55нс 0,00002А 55 нс ОБЩИЙ
AS7C1025B-15JIN AS7C1025B-15ДЖИН Альянс Память, Инк. 3,30 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) 85°С -40°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) 8 недель 5,5 В 4,5 В 32 Параллельно 1 Мб 1 Нет 4,5 В~5,5 В 32-СОЮ 1Мб 128К х 8 Неустойчивый 15нс 17б СРАМ Параллельно 15нс
AS7C3513B-12TCN АС7К3513Б-12ТЦН Альянс Память, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°C~70°C ТА Поднос 3 (168 часов) 70°С 0°С SRAM — асинхронный Соответствует ROHS3 1993 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3513b15tcntr-datasheets-6384.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 18,52 мм 1,05 мм 10,26 мм 3,3 В Без свинца 8 недель 3,6 В 44 Параллельно 512 КБ 1 83 МГц 3В~3,6В 44-ЦОП2 512Кб 32К х 16 Неустойчивый 12нс 15б СРАМ Параллельно 12нс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.