Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактGigaDevice Semiconductor (HK) Limited(438)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Код HTS | Количество функций | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Программирование напряжения | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD25D10CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ16CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VE40CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve40ctig-datasheets-4209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,1 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ40COIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq10ctigr-datasheets-9470.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q40CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q40csigr-datasheets-2487.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q64CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q64cwigr-datasheets-1259.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q256DBIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q256dyigr-datasheets-9506.pdf | 24-ТБГА | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD5F2GQ4UEYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f2gq4uf9igr-datasheets-1940.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q127CBIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q127cyigr-datasheets-7848.pdf | 24-ТБГА | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 12 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q80CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q80cnigr-datasheets-3454.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 4 недели | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX1 | 1 | 50 мкс, 2,4 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | |||||||
| GD25WD40CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd40ctig-datasheets-4973.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LX256EBIRY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lx256ebiry-datasheets-5918.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 1,65 В~2 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 200 МГц | ВСПЫШКА | SPI — восьмеричный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q64CYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q64cwigr-datasheets-1259.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ256ДИИГР | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq256dwigr-datasheets-9435.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld05ctigr-datasheets-3401.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 55 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ16C8IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq16cigr-datasheets-0772.pdf | 8-XFLGA Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD80CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld80csigr-datasheets-4222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 60 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD80CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld80csigr-datasheets-4222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 60 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q20COIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q20ceigr-datasheets-3772.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ20CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq20cigr-datasheets-8620.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD5F1GQ4UEYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f1gq4rf9igr-datasheets-8257.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ64CVIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq64csig-datasheets-2752.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 4 недели | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 2В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX1 | 1 | 2,4 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | ||||
| GD25Q127CZIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 24-ТБГА | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 12 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q40CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q40csigr-datasheets-2487.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||||
| GD25WD40CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd40ctig-datasheets-4973.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | |||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q64CWIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | $2,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q64cwigr-datasheets-1259.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q32CSJGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q32ctigr-datasheets-6954.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD20CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld20ctigr-datasheets-4719.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 97 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ16CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq16cigr-datasheets-0772.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс |
