Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактGigaDevice Semiconductor (HK) Limited(438)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество функций | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Программирование напряжения | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD25LQ16CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq16cigr-datasheets-0772.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25VE40CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ve40ctig-datasheets-4209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,1 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD20CUIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld20ctigr-datasheets-4719.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 97 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ20CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq20cigr-datasheets-8620.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q32CBIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q32ctigr-datasheets-6954.pdf | 24-ТБГА | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD5F1GQ4UFYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f1gq4rf9igr-datasheets-8257.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q64CQIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q64cwigr-datasheets-1259.pdf | 8-XDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ128ДВИГР | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7921.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q40CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q40csigr-datasheets-2487.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ80CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq80csigr-datasheets-0488.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||
| GD25D10CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25d05ctigr-datasheets-7920.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 50 мкс, 4 мс | |||||||||||||||||||||||||
| ГД9ФУ1Г8Ф2АМГИ | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 3,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd9fu1g8f2amgi-datasheets-1987.pdf | 48-TFSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | |||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ32DWIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq32dwigr-datasheets-1317.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 4 недели | 1,65 В~2 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q64CFIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q64cwigr-datasheets-1259.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4 недели | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||
| GD25Q16CTJGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q16ctegr-datasheets-0983.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ40CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq10ctigr-datasheets-9470.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LD20COIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25ld20ctigr-datasheets-4719.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — двойной ввод/вывод | 97 мкс, 6 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ20CSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | /files/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq20csigr-datasheets-8620.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ20CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq20cigr-datasheets-8620.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD5F1GQ4RF9IGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd5f1gq4rf9igr-datasheets-8257.pdf | 8-VLGA Открытая площадка | 4 недели | 1,7 В~2 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q64CPIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q64cwigr-datasheets-1259.pdf | 8-DIP (0,260, 6,60 мм) | 6 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ128DSIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq128dyigr-datasheets-8222.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4 недели | 1,65 В~2 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25Q80CSIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 0,63 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25q80cnigr-datasheets-3454.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | 8 | 4 недели | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX1 | 1 | 50 мкс, 2,4 мс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | ||||
| GD25WD80CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd80ceigr-datasheets-4912.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ10CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq10ctigr-datasheets-9470.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ80CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq80csigr-datasheets-0488.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ32ДНИГР | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq32dwigr-datasheets-1317.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 6 недель | 1,65 В~2 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 120 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2,4 мс | |||||||||||||||||||||||||
| GD25WD05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25wd05ctigr-datasheets-7938.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~3,6 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 100 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | |||||||||||||||||||||||||||
| GD25VQ16CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25vq16ctig-datasheets-8240.pdf | 8-XFDFN Открытая площадка | 6 недель | 2,3 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||
| GD25LQ80CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/gigadevicesemiconductorhklimited-gd25lq80csigr-datasheets-0488.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 недели | 1,65 В~2,1 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 2,4 мс |
