Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЭтрон Технология, Инк.(102)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Длина чередующегося пакета | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EM6HE16EWAKG-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM68B08CWAH-25H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 60-ТФБГА | 4 недели | 1,7 В~1,9 В | 512М 64М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GD08EWUF-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 78-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GE16EWAKG-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 4 недели | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GE08EW9G-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HC16EWKG-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 96-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GD08EWAHH-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 4 недели | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HE16EWAKG-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13,5 мм | 7,5 мм | 96 | 4 недели | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||
| EM68A16CBQC-25IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 84-ТФБГА | 4 недели | 1,7 В~1,9 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM63A165BM-5IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 4 недели | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 10 нс | 268435456 бит | |||||||||||
| EM6GE16EWAKG-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 4 недели | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6AA160BKE-4H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 60-ТФБГА | 4 недели | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 250 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HC16EWKG-12IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 96-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6AA160TSE-4IG | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 250 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GE16EWXD-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GC08EWUG-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 78-ВФБГА | 4 недели | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HC08EWUG-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 78-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM639165BM-5H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТФБГА | 4 недели | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HD08EWAHH-12IH | Этрон Технология, Инк. | $8,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HC08EWUG-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 78-ВФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HE08EW3F-12H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | 78-ТФБГА | 4 недели | 1,283 В~1,45 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM68B16CWQK-25IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 84-ТФБГА | 4 недели | 1,7 В~1,9 В | 512М 32М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM68C16CWQG-25H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 4 недели | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15нс | 1073741824 бит | ||||||||||||
| EM6GD08EWAHH-10IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 4 недели | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM639165TS-5G | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 4 недели | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM68A16CBQC-25H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 84-ТФБГА | 4 недели | 1,7 В~1,9 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6HE08EW8D-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ63А165ТС-5Г | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 4 недели | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 10 нс | 268435456 бит | 0,045А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248 | Да | |||||||||
| EM639165BM-5IH | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 54-ТФБГА | 4 недели | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 4,5 нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM6GE08EW9G-10H | Этрон Технология, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 4 недели |
