Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактEM68B08CWAH-25H
ИС-память
- Производитель: Этрон Технология, Инк.
- НЕТ: 273-EM68B08CWAH-25H
- Упаковка: 60-ТФБГА
- Техническая спецификация:
- Запас: 7004
- Описание: Память микросхемы (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Срок выполнения заказа на заводе | 4 недели |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 60-ТФБГА |
| Рабочая температура | 0°С~95°С ТК |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус детали | Активный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Технология | SDRAM-DDR2 |
| Напряжение питания | 1,7 В~1,9 В |
| Размер | 512М 64М х 8 |
| Тип | Неустойчивый |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время доступа | 400пс |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
