Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Количество контактов | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HYS72T128000HR-3S-B | Кимонда | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | КМОП | 333 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/qimonda-hys72t128000hr3sb-datasheets-3852.pdf | 240-DIMM | Без свинца | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 65°С | 1,9 В | 1,7 В | 40 | Другие микросхемы памяти | 1,8 В | 3,3 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 мкс | 128MX72 | 72 | 9663676416 бит | 0,72 А | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||
HYB25D512800CE-5 | Кимонда | $7,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/qimonda-hyb25d512800ce6-datasheets-0577.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 66 | 66 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 2,6 В | 0,23 мА | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 мкс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | 0,0046А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||
HYB25D512800CE-6 | Кимонда | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/qimonda-hyb25d512800ce6-datasheets-0577.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 66 | 66 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.28 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 2,5 В | 0,205 мА | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 166 мкс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 536870912 бит | 0,0046А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||
HYB18T1G800BF-3S | Кимонда | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/qimonda-hyb18t1g800bf3s-datasheets-0824.pdf | 68-ТФБГА | 17 мм | 10 мм | Без свинца | 68 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 68 | 1,9 В | 1,7 В | 40 | 1,8 В | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б68 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 мкс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||
HYB25D128800CE-6 | Кимонда | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/qimonda-hyb25d128800ce6-datasheets-4564.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 66 | 66 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.02 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,3 В | 40 | 2,5 В | 0,215 мА | Не квалифицирован | 128Мб 16М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 166 мкс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX8 | 8 | 134217728 бит | 0,0045А | ОБЩИЙ | 4096 | 248 | 248 | |||||||||||
HYS72T128420HFA-3S-B | Кимонда | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | 333 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/qimonda-hys72t128420hfa3sb-datasheets-3827.pdf | 240-DIMM | 133 мм | 30,4 мм | Без свинца | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,8 В | 1 мм | 240 | ДРУГОЙ | 95°С | 1,9 В | 1,7 В | 40 | Другие микросхемы памяти | 1,51,8 В | 5,34 мА | Не квалифицирован | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 мкс | 128MX72 | 9663676416 бит | ОБЩИЙ | 8192 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.