Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDND27YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 85°С | 1670 лм тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| СИ-B8A131560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Т | 1 (без ограничений) | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8a071280ww-datasheets-3413.pdf | 4 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL-B8T3N80LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 560,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 22,4 В | 4000К | 191 лм/Вт | 55°С | 6110lm Тип | 1,43А | 2.2А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||
| СИ-B8V341560WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-F562A | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 560 мм | 5,20 мм | 18 мм | Белый, Теплый | С разъемом | 24,7 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,7 В | 3000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 4310 лм Тип | 1,35 А | Плоский | 80 | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZU2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | 2302лм 2287лм~2317лм | 540 мА | 970 мА | Куполообразный | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 167 лм/Вт | 85°С | Тип: 3069 лм | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 85°С | 2728lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH27YZT3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 113 лм/Вт | 85°С | 3562 лм Тип | 900 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 11,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNB27YHU22K | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 25°С | 2394лм 2191лм~2596лм | 540 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 138 лм/Вт | 85°С | 5152lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 4751lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND2VYZTVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | 1533lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDND28YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 111 лм/Вт | 85°С | 1379 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZR3J6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,38А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | Тип 2756lm | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZT3J2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 7 недель | 8541.40.20.00 | 1,38А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 85°С | 2337lm Тип | 540 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHW2FH | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 430 мА | 115° | Квадрат | 36,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 25°С | 1008лм 933~1083лм | 240 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZP3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 5804lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZR3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 85°С | 5036lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWH2HDNC08YHW2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC020C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 84 лм/Вт | 85°С | 1570 лм тип. | 540 мА | 810мА | Плоский | 92 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWH2HDNC08YHU2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC020C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 96 лм/Вт | 85°С | 1780 лм тип. | 540 мА | 810мА | Плоский | 92 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZV2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | 5108lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNC25YHW32H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,3 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 151 лм/Вт | 25°С | 3865лм 3760лм~3970лм | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZP3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk25yzv3d2-datasheets-7662.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 85°С | 6138lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWH2HDNE05YHT3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040C | Поднос | 19,00 мм Д x 16,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 1,62 А | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 85°С | 4760 лм Тип. | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWW1HDNC27YHW22F | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,3 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 109 лм/Вт | 25°С | 2785лм 2285лм~3285лм | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| SL-B8U1N30LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 11,1 В | 3500К | 183 лм/Вт | 55°С | 2030 лм Тип | 1А | 1,6А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL231ZR3R2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 115° | Квадрат | 52В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 8683lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 70 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZR3Q7 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 115° | Квадрат | 52В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 85°С | 8113lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWW1HDND2VYHU33P | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,62 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 25°С | 3826лм 3367лм~4285лм | Плоский | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 52В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 85°С | 8812lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм |
