| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWHAHDNA25YZV3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 163 лм/Вт | 85°С | 499 лм, тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZT2A6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 230 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 85°С | 385 лм тип. | 90 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZU3E0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | Тип: 768 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | Тип 744lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 85°С | 1024 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | Тип: 924 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZV3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | $3,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 162 лм/Вт | 85°С | Тип: 994 лм | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 146 лм/Вт | 85°С | 895 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZW2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 151 лм/Вт | 85°С | Тип 1845lm | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN828YHU3CC | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 105 лм/Вт | 25°С | 668лм 601лм~734лм | 180 мА | Плоский | 95 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 1710 лм Тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZU3H8 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 85°С | 1932lm Тип. | 450 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDN947YHU3FG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 13,5 мм | 1,50 мм | 13,5 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 430 мА | 36,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 36,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 25°С | 1050лм 929~1171лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||
| SPHWHAHDNC25YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 85°С | 1519 лм Тип | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHW3CG | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 118 лм/Вт | 25°С | 754 лм 698 лм~810 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZW2H2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 109 лм/Вт | 85°С | 1359 лм Тип. | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D Gen2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 1580 лм тип. | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||
| SL-B8R1N30LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $10,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 280,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 11,1 В | 5000К | 193 лм/Вт | 55°С | 2140 лм Тип | 1А | 1,6А | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| СИ-N8V2513B0WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $5,66 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Раунд-060Д | Поднос | Диаметр 62,00 мм | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | 3,70 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 700 мА | 35,5 В | 115° | Плоский | Круглый | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 123 лм/Вт | 25°С | 3040 лм Тип | 700 мА | 700 мА | Плоский | 80 | |||||||||||
| SL-B8R7NK0L2WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | LT-F564A | Масса | 558,80 мм Д x 40,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slb8t7nk0l2ww-datasheets-4041.pdf | 558,8 мм | 5,90 мм | 40 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 1,5 А | 48В | Плоский | Линейная световая полоса | 49,6 В | 5000K 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 122 лм/Вт | 25°С | Тип 9050 лм | 1,5 А | Плоский | 80 | |||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZV3K2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 1,84А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 136 лм/Вт | 85°С | 3389 лм Тип | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNE28YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 101 лм/Вт | 85°С | 1575 лм Тип. | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNF27YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | 2594lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHHAHDNH28YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 103 лм/Вт | 85°С | 3212lm Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZV2M2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 121 лм/Вт | 85°С | 4525 лм Тип | 1,08А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 5520 лм тип. | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNK27YZT2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 85°С | 4979 лм Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDND2VYZVVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 107 лм/Вт | 85°С | 1334lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZV3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс Макадама | 127 лм/Вт | 85°С | 1970lm Тип. | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZW2H9 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,15 А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 85°С | 2065 лм Тип | 450 мА | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.