Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМикрон Технология(4828)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Выходные характеристики | Тактовая частота | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT16HTF12864HZ-667G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664hz667h1-datasheets-0176.pdf | 200-SODIMM | 200 | 200 | Нет | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | DRAM | 1,8 В | 1,976 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 128MX64 | 64 | 8589934592 бит | 0,112А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDCAE004SAF-1B1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | RealSSD™ | Винт | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mtfdcae008saf1b1it-datasheets-0142.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 5В | 5,25 В | 4,75 В | 10 | USB | 32 ГБ | неизвестный | 8542.31.00.01 | 5В | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Р-XXMA-X | 4ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 33 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVF25672PDZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt18hvf25672pdz667h1-datasheets-0272.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 667 МГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | 256MX72 | 72 | 19327352832 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272AKZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microntechnologyinc-mt18jsf51272akz1g4d1-datasheets-0307.pdf | 244-МиниУДИММ | 82 мм | 1,5 В | 244 | 1,575 В | 1,425 В | 244 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 1,5 В | 0,6 мм | 244 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | Другие микросхемы памяти | 3,573 мА | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 512MX72 | 72 | 38654705664 бит | ОБЩИЙ | 8192 | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18KSF25672AZ-1G4G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microntechnologyinc-mt18ksf25672az1g4g1-datasheets-0338.pdf | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36HTF1G72PZ-80EC1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt36htf1g72pz667c1-datasheets-0346.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,8 В | 240 | 5 недель | 1,9 В | 1,7 В | 240 | да | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 800 МГц | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 36 | Другие микросхемы памяти | 8 ГБ | DDR2 SDRAM | 72б | 800 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | 0,4 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4HTF12864HZ-667C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt4htf3264hz667g1-datasheets-0388.pdf | 200-SODIMM | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8LSDT1664AY-133G3 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 65°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8lsdt1664ay133g3-datasheets-0431.pdf | 168-УДИММ | 3,3 В | 168 | 3,6 В | 3В | 168 | Нет | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 128 МБ | SDRAM | 64б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16MX64 | 64 | 0,016А | 5,4 нс | ОБЩИЙ | 4096 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8LSDT3264HY-133D2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | 133 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt8lsdt3264hg133d2-datasheets-4689.pdf | 144-SODIMM | 3,3 В | 10 недель | 3,6 В | 3В | 144 | Нет | 133 МГц | 8 | 256 МБ | SDRAM | 64б | 133 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF12864HZ-667H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf25664hz667c1-datasheets-0432.pdf | 200-SODIMM | 67,6 мм | 1,8 В | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | да | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | Нет | 667 МГц | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ЗИГ-ЗАГ | 260 | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | 8 | DRAM | 2,24 мА | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 64б | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 64 | 0,056А | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9JDF25672PZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt9jdf25672pz1g4d1-datasheets-0518.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 1,575 В | 1,425 В | 240 | 1 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,333 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 1,5 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | DRAM | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 667 МГц | 256MX72 | 72 | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTFDCAE008SAJ-1N1IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Винт | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 5В | Модуль | 5В | 5,25 В | 4,75 В | 10 | USB | 64 ГБ | неизвестный | 8542.31.00.01 | 5В | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 260 | 5В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | Не квалифицирован | Р-XXMA-X | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ДИСКОВЫЙ ДИСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HTF6472RHZ-667G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt9htf12872rhz80eh1-datasheets-0504.pdf | 200-СОРДИММ | 1,8 В | Без свинца | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 667 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 9 | DRAM | 1,26 мА | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 72б | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 64MX72 | 72 | 4831838208 бит | 0,063А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8JTF25664AZ-1G1D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt8jtf12864az1g4g1-datasheets-0444.pdf | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464HDZ-667G1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864hdz800h1-datasheets-0436.pdf | 200-SODIMM | 1,8 В | Без свинца | 200 | 1,9 В | 1,7 В | 200 | Нет | 667 МГц | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | DRAM | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 64б | 667МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 333 МГц | 64MX64 | 64 | 4294967296 бит | 0,056А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4VDDT3264HY-335J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Розетка | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microntechnologyinc-mt4vddt3264hy335f2-datasheets-4060.pdf | 200-SODIMM | 2,5 В | 200 | 2,7 В | 2,3 В | 200 | Нет | 333 МГц | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 4 | DRAM | 1,62 мА | 256 МБ | ГДР SDRAM | 64б | 333 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 167 МГц | 64 | 0,7 нс | ОБЩИЙ | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АСФ1Г72ПФ1З-2Г1Т11АА | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/microntechnologyinc-mta18asf1g72pf1z2g1t11aa-datasheets-0685.pdf | 288-NVDIMM | 288 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА16АТФ2Г64ХЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/microntechnologyinc-mta16atf2g64hz2g6b1-datasheets-0701.pdf | 260-SODIMM | 5 недель | 260 | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8KTF25664AZ-1G6K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt8ktf51264az1g6p1-datasheets-0672.pdf | 240-УДИММ | 240 | 12 недель | 240 | 800 МГц | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | DRAM | 1,35 В | 1,248 мА | Не квалифицирован | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256MX64 | 64 | 17179869184 бит | 0,096А | 0,225 нс | ОБЩИЙ | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА36АДС4Г72ПЗ-2Г3Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta36ads4g72pz2g3b1-datasheets-0725.pdf | 288-РДИММ | 7 недель | 288 | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АСФ2Г72ПЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/microntechnologyinc-mta18asf2g72pz2g3b1-datasheets-0708.pdf | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 288 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | 2GX72 | 72 | 154618822656 бит | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА16АТФ1Г64АЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta16atf1g64az2g6b1-datasheets-1149.pdf | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | Р-XDMA-N288 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 1GX64 | 64 | 68719476736 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA4ATF51264AZ-2G3H1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mta4atf51264az2g3b1-datasheets-0723.pdf | 288-УДИММ | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18КСФ1Г72ПДЗ-1Г4П1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72pdz1g4p1-datasheets-1213.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 4 мм | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | Р-XDMA-N240 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA608ALQ64G72M2SZ-1S6G1B5 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA18ASF1G572PDZ-2G6221 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 288-РДИММ | 12 ГБ | DDR4 SDRAM | 2,666 ГТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA36ASF4G72PZ-2G6J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 6 недель | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2,666 ГТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36JSF1G72PZ-1G4D1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36jsf1g72pz1g4d1-datasheets-1342.pdf | 240-РДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDVF12872DY-335J1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy335j1-datasheets-1368.pdf | 184-РДИММ | 2,5 В | 184 | Нет | 333 МГц | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 72б | 333 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ36КСЗФ1Г72ЛЗ-1Г4М1А5 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt36kszf1g72lz1g4m1a5-datasheets-1393.pdf | 240-LRDIMM | 133,35 мм | 240 | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 1 мм | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1333 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ |
