Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Контактное сопротивление | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБРТА80040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 40В | 400А | 6000А | 1 | 1 мА при 40 В | 720 мВ при 400 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА60060R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 600А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 300А | 1 | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА500100Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 7 недель | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 500А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки | 100В | 250А | 1 | 1 мА при 100 В | 840 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА60020R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 7 недель | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 600А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки | 20 В | 300А | 1 | 3 мА при 20 В | 580 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ400150Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 150 В | 200А | 3000А | 1 | 1 мА при 150 В | 880 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА80045RL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 6000мкА | Шоттки | 45В | 400А | 6000А | 1 | 6 мА при 45 В | 600 мВ при 400 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ8340М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-fst8340m-datasheets-4863.pdf | Д61-3М | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 80А | 750 мВ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800А | 1 мкА | 40В | Шоттки | 40В | 80А | 1 | 40А | 1,5 мА при 20 В | 650 мВ при 80 А | 80 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURF10040 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murf10040-datasheets-8655.pdf | ТО-244АБ | 2 | 4 недели | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 75 нс | Стандартный | 400В | 100А | 1500А | 1 | 50А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 50 А | 100 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURF20010R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-murf20010r-datasheets-8752.pdf | ТО-244АБ | 2 | 4 недели | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 800А | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 75 нс | Стандартный | 100В | 200А | 2000А | 1 | 100А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | 200А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3892 | GeneSiC Полупроводник | $8,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 1N3892 | ДО-4 | 12А | 90А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 300В | 300В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 400В | 12А | 400В | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 12 А | 12А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GC20MPS12-220 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-2 | 14 недель | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1298пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 18 мкА при 1200 В | 1,8 В при 20 А | 94А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N2131AR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-1n2131ar-datasheets-9411.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1N2131AR | 200°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 60А | 1,05 кА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,65 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 200В | Стандартная, обратная полярность | 200В | 60А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 60 А | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ01SLT06-214 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Обеспечить регресс | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | ДО-214АА, СМБ | 18 недель | Нет СВХК | 2 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ГБ01SLT06 | 175°С | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 3,55 °С/Вт | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650В | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 650В | 1А | 1А | 76пФ @ 1В 1МГц | 10 мкА при 6,5 В | 2 В при 1 А | 1 А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR30J02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 125°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 600В | 200 нс | 250 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1 В при 30 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25JR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s25jr-datasheets-8908.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 175°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 25А | 373А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 600В | Стандартная, обратная полярность | 600В | 25А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3890 | GeneSiC Полупроводник | $33,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3890-datasheets-9060.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1N3890 | ДО-4 | 12А | 90А | 2 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 100В | 100В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 100В | 12А | 100В | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 12 А | 12А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н3209 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3209-datasheets-9208.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1Н3209 | ДО-5 | 15А | 297А | 0,65 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 100В | 100В | Стандартный | 100В | 15А | 100В | 10 мкА при 50 В | 1,5 В при 15 А | 15А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н1189Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n1189r-datasheets-9283.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1Н1189Р | 190°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 35А | 595А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,25 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 500В | 500В | Стандартная, обратная полярность | 600В | 35А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,2 В при 35 А | -65°К~190°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| S40VR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s40vr-datasheets-9320.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 40А | 595А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 1,25 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1,4 кВ | 1,4 кВ | Стандартная, обратная полярность | 1,4 кВ | 40А | 1 | 1400В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 40 А | -65°К~160°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР16Б02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, шпилька, сквозное отверстие | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 75°С | 0°С | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 6 | Прямой угол | 6мОм | ВЕРХНИЙ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 3,96 мм | 16А | 225А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 100В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 100В | 16А | 1 | 25 мкА при 100 В | 900 мВ при 16 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| С6Д | GeneSiC Полупроводник | $5,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s6d-datasheets-9637.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 167А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 200В | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 6А | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| S6QR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s6qr-datasheets-9674.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 167А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1,2 кВ | 1,2 кВ | Стандартная, обратная полярность | 1,2 кВ | 6А | 1 | 6А | 1200В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| С16ГР | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s16gr-datasheets-9762.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 16А | 370А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 400В | Стандартная, обратная полярность | 400В | 16А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 16 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR6G02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 135А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 2,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 400В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 400В | 6А | 1 | 6А | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 6 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR6GR02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 135А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 2,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 400В | 200 нс | 200 нс | Стандартная, обратная полярность | 400В | 6А | 1 | 6А | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 6 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR20J02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, шасси, шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 6 | Прямой | 250,25кВ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 5,08 мм | 20А | 250А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 0,6 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 600В | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 600В | 20А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1 В при 20 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FR6GR05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 135А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 2,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 400В | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 400В | 16А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 6 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР2520 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mur2520-datasheets-0992.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Д1 | 25А | 500А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 75 нс | Стандартный | 200В | 25А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1 В @ 25 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР2540 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mur2540-datasheets-1039.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 500А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 75 нс | Стандартный | 400В | 25А | 1 | 400В | 10 мкА при 50 В | 1,3 В при 25 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР30КР05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 800В | 800В | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 800В | 30А | 1 | 25 мкА при 800 В | 1 В при 30 А | -40°К~125°К |
