Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Код HTS | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Рабочая температура - соединение | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Производитель: | Категория продукта: | РоХС: | Тип: | Стиль монтажа: | Упаковка/Чехол: | Если - Прямой ток: | Пиковое обратное напряжение: | Минимальная рабочая температура: | Максимальная рабочая температура: | Ряд: | Упаковка: | Бренд: | Ir – обратный ток: | Продукт: | Тип продукта: | Количество заводской упаковки:Количество заводской упаковки: | Подкатегория: | Технология: |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FR30B02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 75°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 12 | Прямой | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 2,54 мм | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 100В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 100В | 30А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1 В при 30 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР30М05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 1кВ | 1кВ | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 1кВ | 30А | 1 | 1000В | 25 мкА при 800 В | 1 В при 30 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С85ГР | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s85gr-datasheets-1219.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 180°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 85А | 1,05 кА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,65 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 400В | Стандартная, обратная полярность | 400В | 85А | 1 | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 85 А | -65°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S320J | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s320j-datasheets-1633.pdf | ДО-205АБ, ДО-9, шпилька | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | 320А | 4,7 кА | ОДИНОКИЙ | 0,16 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 600В | 600В | Стандартный | 600В | 320А | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 300 А | -60°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S320QR | GeneSiC Полупроводник | $59,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s320qr-datasheets-1814.pdf | ДО-205АБ, ДО-9, шпилька | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | 320А | 4,7 кА | ОДИНОКИЙ | 0,16 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 1,2 кВ | 1,2 кВ | Стандартная, обратная полярность | 1,2 кВ | 320А | 1200В | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 300 А | -60°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N6095 | GeneSiC Полупроводник | $15,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1N6095 | 1 | О-МУПМ-Д1 | 25А | 800А | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1,8 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 25А | 1 | 2 мА при 20 В | 580 мВ при 25 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR40JR02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 125°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 40А | 500А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,8 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 600В | 250 нс | 250 нс | Стандартная, обратная полярность | 600В | 40А | 1 | 25 мкА при 100 В | 1 В при 40 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР3580Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 35А | 600А | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 80В | Шоттки, Обратная полярность | 80В | 35А | 1 | 1,5 мА при 20 В | 840 мВ при 35 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР7020 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | Нет СВХК | 2 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Д1 | 70А | 1В | 1 кА | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 200В | 75 нс | Стандартный | 200В | 70А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1 В при 70 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР5040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mur5040r-datasheets-2185.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 175°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 600А | ОДИНОКИЙ | АНОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 75 нс | Стандартная, обратная полярность | 400В | 50А | 1 | 400В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 50 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5834R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1N5834R | 1 | О-МУПМ-Д1 | 40А | 750 мВ | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800А | 1 мкА | 40В | Шоттки, Обратная полярность | 40В | 40А | 1 | 20 мА при 10 В | 590 мВ при 40 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР7540 | GeneSiC Полупроводник | $23,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 75А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 75А | 1 | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 75 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР6040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 60А | 700А | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки, Обратная полярность | 40В | 60А | 1 | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 60 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С300З | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s300z-datasheets-3464.pdf | ДО-205АБ, ДО-9, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | 180°С | 1 | Выпрямительные диоды | О-МУПМ-H1 | 6,85 кА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,16 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | Стандартный | 2кВ | 300А | 6850А | 1 | 2000В | 10 мкА при 1600 В | 1,2 В при 300 А | -60°К~180°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURH10005 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murh10005-datasheets-4590.pdf | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 800А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 50В | 75 нс | Стандартный | 50В | 100А | 2000А | 1 | 50В | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРХ10010 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murh10010-datasheets-4642.pdf | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 14 | Прямой | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 4,2 мм | 800А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 75 нс | Стандартный | 100В | 100А | 2000А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4592 | GeneSiC Полупроводник | $36,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n4592-datasheets-4679.pdf | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | 1N4592 | 150°С | 1 | О-МУПМ-H1 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,35 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 6500мкА | Стандартный | 600В | 150А | 3000А | 1 | 600В | 6,5 мА при 600 В | 1,5 В при 150 А | -60°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГКН130/12 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 165А | 2500А | 1200В | 22 мА при 1200 В | 1,5 В при 60 А | -40°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3291A | GeneSiC Полупроводник | $36,23 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3291a-datasheets-4761.pdf | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | 1N3291 | 150°С | 1 | О-МУПМ-H1 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,4 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 24000мкА | Стандартный | 400В | 100А | 2300А | 1 | 400В | 24 мА при 400 В | 1,5 В при 100 А | -40°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ12020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | Д-67 | 1 | 6 недель | Нет СВХК | 1 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 120А | 650 мВ | 2кА | 1 мкА | АНОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки, Обратная полярность | 20 В | 120А | 1 | 4 мА при 20 В | 650 мВ при 120 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ20030 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 200А | 3кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 200А | 1 | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 200 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ20030Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 8 | Прямой | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 4,57 мм | 200А | 3кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки, Обратная полярность | 30 В | 200А | 1 | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 200 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР8035Р | GeneSiC Полупроводник | $23,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 80А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 35В | Шоттки, Обратная полярность | 35В | 80А | 1 | 1 мА при 35 В | 750 мВ при 80 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР85ДР02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 125°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 85А | 1,369 кА | ОДИНОКИЙ | АНОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 200В | 200 нс | 200 нс | Стандартная, обратная полярность | 200В | 85А | 1 | 25 мкА при 100 В | 1,4 В при 85 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ10SLT12-214 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ГБ10SLT12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ30020Л | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh30020l-datasheets-5816.pdf | Д-67 | 1 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 20 В | 300А | 4000А | 1 | 20 В | 3 мА при 20 В | 580 мВ при 300 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ15020RL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh15020rl-datasheets-2859.pdf | Д-67 | 1 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки, Обратная полярность | 20 В | 150А | 2000А | 1 | 20 В | 3 мА при 20 В | 580 мВ при 150 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA08JT17-247 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-ga08jt17247-datasheets-6677.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 91 Вт | 28нс | 50 нс | 73 нс | 8А | 1700В | 48 Вт Тс | 250 м Ом при 8 А | 8А Тс 90°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7639-GA | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~225°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-2n7639ga-datasheets-2829.pdf | ТО-257-3 | 18 недель | 3 | EAR99 | Другие транзисторы | 15А | N-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 172 Вт Тс | 1534пФ при 35В | 105 мОм при 15 А | 15А Тс 155°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЖ808 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | GeneSiC Полупроводник | Мостовые выпрямители | Подробности | Однофазный мост | Сквозное отверстие | КБЖ | 8 А | 800 В | - 55 С | + 150 С | КБЖ | Масса | GeneSiC Полупроводник | 8 А | Мостовой выпрямитель | Мостовые выпрямители | 250 | Диоды и выпрямители | Си |
