Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Калибр проводов/кабелей | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Длина кабеля | Скорость | Материал диодного элемента | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБУ6Б | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 6А | 175А | 5 мкА | 5А | 100В | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ106Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | 1А | 30А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5А | 800В | Однофазный | 1 | 1А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП208 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbp208-datasheets-0375.pdf | 4-СИП, КБП | 4 | 4 недели | EAR99 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | 2А | 60А | 10 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10А | 800В | Однофазный | 1 | 2А | 800В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЖ408Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | 4-СИП, КБЖ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 27 | Прямой угол | 5,05 кВ | КБЖ | 600 мкм | 4А | 120А | 5 мкА | 5А | 800В | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР34 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-кв., БР-3 | 4 недели | 280Ом | 3 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 3А | 50А | 10 мкА | 10А | 400В | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ10К | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 10А | 220А | 5 мкА | 5А | 800В | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР68 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-кв., БР-6 | 4 недели | 6 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 6А | 125А | 10 мкА | 10А | 800В | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БР810 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-кв., БР-8 | 4 недели | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 32 AWG | 8А | 125А | 10 мкА | 2м | 10А | 1кВ | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ1001 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | 4-СИП, КБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 20 | Прямой | 5,05 кВ | 400 мкм | 10А | 300А | 10 мкА | 10А | 100В | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,05 В при 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC5002W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | 4-Квадратный, GBPC-W | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 400А | 50А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 25 А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC1508T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpc1508t-datasheets-2476.pdf | 4-Квадратный, КБПК-Т | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 7,5 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC2504W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, KBPC-W | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБПЦ-В | 25А | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC25005T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-gbpc25005t-datasheets-2519.pdf | 4-Квадратный, GBPC | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 300А | 25А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 7,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBPC2508W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-Квадратный, KBPC-W | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБПЦ-В | 25А | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3501W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-Квадратный, GBPC-W | 4 | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 4 | Не квалифицирован | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 0,000005мкА | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБУ8А | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБУ | 4 недели | 4 | 6 | Прямой | 250,25кВ | КБУ | 2 мм | 8А | 300А | 10 мкА | 10А | 50В | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П100А-80 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | Модуль 5-СМД | 18 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 6 | Мостовые выпрямительные диоды | 100А | 1,2 кА | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ | 10 мкА | 800В | 800В | Трехфазный | 10 мА при 800 В | 1,15 В при 100 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П75А-60 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | Модуль 5-СМД | 18 недель | 800А | 10 мкА | 600В | Трехфазный | 10 мкА при 600 В | 75А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ20040 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 200А | 1 | 100А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ30040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 300А | 2,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки, Обратная полярность | 40В | 300А | 1 | 150А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 150 А | 300А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТА30080(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | Три башни | 10 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 800В | 25 мкА при 200 В | 1,2 В при 300 А | 300А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ12060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-249АБ | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 2 | Р-ПСФМ-Д3 | 120А | 1,2 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 120А | 1 | 60А | 2 мА при 20 В | 750 мВ при 120 А | 120 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТА40060(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-msrta40080a-datasheets-4157.pdf | Три башни | 10 недель | Общий катод | Три башни | 400А | 4,15 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 25 мкА | 600В | 600В | Стандартный | 600В | 400А | 600В | 25 мкА при 600 В | 1,2 В при 400 А | 400А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР500150CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr500150ct-datasheets-9877.pdf | Башня-близнец | 2 | 4 недели | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 150 В | 250А | 3500А | 1 | 3 мА при 150 В | 880 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР20060CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 4 | Прямой | 600,6кВ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 4,2 мм | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 200А | 1 | 100А | 5 мА при 20 В | 750 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР20020CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки | 20 В | 200А | 1 | 100А | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР12060CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 14 | Прямой | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 1 мм | 120А | 800А | 1 мкА | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 120А | 1 | 60А | 3 мА при 20 В | 750 мВ при 60 А | 120 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ200200Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt200200r-datasheets-0006.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 200В | 100А | 1500А | 1 | 1 мА при 200 В | 920 мВ при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40030CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | 3кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 400А | 1 | 200А | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR10040CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-mur10040ctr-datasheets-0064.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 90 нс | Стандартный | 400В | 100А | 1500А | 1 | 50А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 50 А | 100 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода |
