Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Код HTS | Контактное сопротивление | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FR30J02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 125°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 600В | 200 нс | 250 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1 В при 30 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||
| S25JR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s25jr-datasheets-8908.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 175°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 25А | 373А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 600В | Стандартная, обратная полярность | 600В | 25А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3890 | GeneSiC Полупроводник | $33,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3890-datasheets-9060.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1N3890 | ДО-4 | 12А | 90А | 2 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 100В | 100В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 100В | 12А | 100В | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 12 А | 12А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н3209 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3209-datasheets-9208.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1Н3209 | ДО-5 | 15А | 297А | 0,65 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 100В | 100В | Стандартный | 100В | 15А | 100В | 10 мкА при 50 В | 1,5 В при 15 А | 15А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н1189Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n1189r-datasheets-9283.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1Н1189Р | 190°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 35А | 595А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,25 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 500В | 500В | Стандартная, обратная полярность | 600В | 35А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,2 В при 35 А | -65°К~190°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S40VR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s40vr-datasheets-9320.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 40А | 595А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 1,25 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1,4 кВ | 1,4 кВ | Стандартная, обратная полярность | 1,4 кВ | 40А | 1 | 1400В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 40 А | -65°К~160°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФР16Б02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, шпилька, сквозное отверстие | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 75°С | 0°С | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 6 | Прямой угол | 6мОм | ВЕРХНИЙ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 3,96 мм | 16А | 225А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 100В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 100В | 16А | 1 | 25 мкА при 100 В | 900 мВ при 16 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| С6Д | GeneSiC Полупроводник | $5,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s6d-datasheets-9637.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 167А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 200В | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 6А | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S6QR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s6qr-datasheets-9674.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 167А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1,2 кВ | 1,2 кВ | Стандартная, обратная полярность | 1,2 кВ | 6А | 1 | 6А | 1200В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| С16ГР | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s16gr-datasheets-9762.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 16А | 370А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 2,5 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 400В | Стандартная, обратная полярность | 400В | 16А | 1 | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 16 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||
| FR6J05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 6А | 135А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 2,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 600В | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 6А | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 6 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3882 | GeneSiC Полупроводник | $6,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3882-datasheets-0028.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1N3882 | ДО-4 | 6А | 90А | 2,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15 мкА | 300В | 300В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 300В | 6А | 300В | 15 мкА при 50 В | 1,4 В при 6 А | 6А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR16JR05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 16А | 225А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 600В | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 600В | 16А | 1 | 25 мкА при 100 В | 1,1 В при 16 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР20К05 | GeneSiC Полупроводник | $11,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 20А | 250А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | 0,6 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 800В | 800В | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 800В | 20А | 1 | 25 мкА при 800 В | 1 В при 20 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФР20МР05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 20А | 250А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,6 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 1кВ | 1кВ | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 1кВ | 20А | 1 | 1000В | 25 мкА при 800 В | 1 В при 20 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| S70QR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 180°С | -65°С | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | Нет СВХК | 2 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Д1 | 70А | 1,1 В | 1,25 кА | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,65 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1,25 кА | 10 мкА | 1,2 кВ | 1,2 кВ | Стандартная, обратная полярность | 1,2 кВ | 70А | 1 | 1200В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 70 А | -65°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||
| ФР30АР02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 75°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 10 | Прямой | EAR99 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 2,54 мм | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 50В | 50В | 200 нс | 200 нс | Стандартная, обратная полярность | 50В | 30А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 30 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||
| ФР30ДР02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 75°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 17 | Прямой | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 2,54 мм | 30А | 300А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,46 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 200В | 200 нс | 200 нс | Стандартная, обратная полярность | 200В | 30А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1 В при 30 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5828 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | Нет СВХК | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1N5828 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-Д1 | 15А | 500мВ | 500А | 1 мкА | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1,8 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | ДО-203АА | Шоттки | 40В | 15А | 1 | 10 мА при 20 В | 500 мВ при 15 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||
| С300ДР | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s300dr-datasheets-1679.pdf | ДО-205АБ, ДО-9, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | 200°С | 1 | Выпрямительные диоды | О-МУПМ-H1 | 300А | 6,85 кА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,16 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 200В | Стандартная, обратная полярность | 200В | 300А | 1 | 10 мкА при 100 В | 1,2 В при 300 А | -60°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| FR40B05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 40А | 500А | 0,8 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 100В | 100В | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 100В | 40А | 25 мкА при 100 В | 1 В при 40 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР3540 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbr3540-datasheets-2048.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 35А | 600А | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 35А | 1 | 1,5 мА при 20 В | 680 мВ при 35 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФР40ДР05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 40А | 500А | 0,8 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 200В | 200В | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 200В | 40А | 25 мкА при 100 В | 1 В при 40 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР3535Р | GeneSiC Полупроводник | $16,60 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 35А | 600А | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 35В | Шоттки, Обратная полярность | 35В | 35А | 1 | 1,5 мА при 20 В | 680 мВ при 35 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FR70GR05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 70А | 870А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 400В | 400В | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 400В | 70А | 25 мкА при 100 В | 1,4 В при 70 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР5040 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mur5040-datasheets-2232.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 175°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 600А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 75 нс | Стандартный | 400В | 50А | 1 | 400В | 10 мкА при 50 В | 1 В при 50 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР6060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | МБР6060 | 1 | О-МУПМ-Д1 | 60А | 700А | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 60А | 1 | 5 мА при 20 В | 750 мВ при 60 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР7520Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 75А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки, Обратная полярность | 20 В | 75А | 1 | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 75 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР8035 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, шасси, шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 20 | Прямой | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 2,54 мм | 80А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 35В | Шоттки | 35В | 80А | 1 | 1 мА при 35 В | 750 мВ при 80 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| С400КР | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s400kr-datasheets-3984.pdf | ДО-205АБ, ДО-9, шпилька | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | 400А | 8,64 кА | ОДИНОКИЙ | 0,14 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 800В | 800В | Стандартная, обратная полярность | 800В | 400А | 10 мкА при 50 В | 1,2 В при 400 А | -60°К~200°К |
