Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Пол | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальное номинальное напряжение (переменный ток) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР200100CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 6 | Прямой | EAR99 | 600,6кВ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 4,2 мм | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки | 100В | 200А | 1 | 100А | 5 мА при 20 В | 840 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||
| MBR20040CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 200А | 1 | 100А | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР300150CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr300150ctr-datasheets-9994.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 150 В | 150А | 2000А | 1 | 3 мА при 150 В | 880 мВ при 150 А | -40°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40030CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 10 | Прямой | EAR99 | 600,6кВ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 4,2 мм | 400А | 3кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 400А | 1 | 200А | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ200100Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-mbrt200100r-datasheets-0054.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки, Обратная полярность | 100В | 200А | 1 | 100А | 1 мА при 20 В | 880 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR20005CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-mur20005ct-datasheets-0082.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | 1 | Прямой | 12А | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 800А | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 50В | 75 нс | Шоттки | 50В | 200А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | 200А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR40080CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 12 | Прямой | 600,6кВ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 4,2 мм | 400А | 3кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 80В | Шоттки | 80В | 400А | 1 | 200А | 5 мА при 20 В | 840 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||
| МБР50060CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | Мужской | 6 | Прямой угол | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 4,2 мм | 500А | 600В | 3,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки, Обратная полярность | 600В | 500А | 1 | 250А | 1 мА при 20 В | 800 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||
| MUR30010CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-mur30010ctr-datasheets-0206.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 1,5 кА | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 90 нс | Стандартный | 100В | 300А | 2750А | 1 | 150А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | 300А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ50035Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 500А | 3,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 35В | Шоттки | 35В | 500А | 1 | 250А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТ20020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-murt20020r-datasheets-0292.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 2кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 75 нс | Стандартный | 200В | 200А | 2000А | 1 | 100А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR40060CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-mur40060ct-datasheets-0328.pdf | Башня-близнец | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | 150°С | Общий катод | Выпрямительные диоды | 1,5 кА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 600В | 180 нс | Стандартный | 600В | 400А | 3300А | 200А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 125 А | 400А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR40040CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-mur40040ct-datasheets-0389.pdf | Башня-близнец | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | 150°С | Общий катод | Выпрямительные диоды | 1,5 кА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 400В | 150 нс | Стандартный | 400В | 400А | 3300А | 200А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 125 А | 400А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR40040CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-mur40040ctr-datasheets-0502.pdf | Башня-близнец | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | 150°С | Общий анод | Выпрямительные диоды | 1,5 кА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 400В | 150 нс | Стандартный | 400В | 400А | 3300А | 200А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 125 А | 400А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GC2X50MPS06-227 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 14 недель | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 10 мкА при 650 В | 1,8 В при 50 А | 104А постоянного тока | -55°К~175°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ400150 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt400150-datasheets-1111.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 150 В | 200А | 3000А | 1 | 1 мА при 150 В | 880 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТА600100(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-msrta60080a-datasheets-7014.pdf | Модуль 3-СМД | 10 недель | Общий катод | Три башни | 600А | 5,8 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 25 мкА | 1кВ | 1кВ | Стандартный | 1кВ | 600А | 1000В | 25 мкА при 600 В | 1,2 В при 600 А | 600А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА30060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | Стандартный | 600В | 150А | 2750А | 1 | 0,15 мкс | 25 мкА при 600 В | 1,7 В при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА30040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | Стандартный | 400В | 150А | 2750А | 1 | 0,13 мкс | 25 мкА при 400 В | 1,3 В при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР600150CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr600150ct-datasheets-1314.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 150 В | 300А | 4000А | 1 | 3 мА при 150 В | 880 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА40020R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | Стандартный | 200В | 200А | 3300А | 1 | 0,15 мкс | 25 мкА при 200 В | 1,3 В при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х080А060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 80А | 60В | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 80 А | -40°К~150°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х060А120 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 120 В | 60А | 120 В | 3 мА при 120 В | 880 мВ при 60 А | -40°К~150°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х100А120 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 120 В | 100А | 120 В | 3 мА при 120 В | 880 мВ при 100 А | -40°К~150°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х120А100 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 120А | 100В | 1 мА при 100 В | 840 мВ при 120 А | -40°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТ150140(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | Три башни | 10 недель | Общий катод | 150А | 2,25 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 10 мкА | 1,4 кВ | 1,4 кВ | Стандартный | 1,4 кВ | 150А | 1400В | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 150 А | 150 А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР400100CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | Башня-близнец | 2 | 4 недели | Нет СВХК | 2 | 14 | Прямой | 600,6кВ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | 4,2 мм | 200А | 840мВ | 3кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3кА | 1А | 100В | Шоттки, Обратная полярность | 100В | 400А | 1 | 5 мА при 20 В | 840 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||
| MBR60035CTL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr60035ctl-datasheets-8146.pdf | Башня-близнец | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 150°С | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 35В | 300А | 4000А | 1 | 3 мА при 35 В | 600 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР60030CTL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbr60030ctl-datasheets-8164.pdf | Башня-близнец | 2 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 30 В | 300А | 4000А | 1 | 3 мА при 30 В | 580 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ60040Л | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | Общий катод | Три башни | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 300А | 40В | 5 мА при 40 В | 600 мВ при 300 А | 300А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
