Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Тип разъема | Пол | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Контактный материал | Контактное покрытие | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Контактное сопротивление | Полярность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Максимальный импульсный ток | Непрерывный ток стока (ID) | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Экранирование | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Вход | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Время выключения, коммутируемое цепью-ном. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Структура | Количество SCR, Диодов | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | НТЦ Термистор | Входная емкость (Cies) при Vce | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР8020 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, шасси, шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-mbr8020-datasheets-2310.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 11 | Прямой | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 2,54 мм | 80А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки | 20 В | 80А | 1 | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 80 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР7560Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 75А | 800мВ | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 кА | 1 мкА | 60В | Шоттки, Обратная полярность | 60В | 75А | 1 | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 75 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР8060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, шпилька, сквозное отверстие | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbr8060-datasheets-2676.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | Женский | 11 | Прямой | EAR99 | 8541.10.00.80 | 20мОм | ВЕРХНИЙ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 2,54 мм | 80А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 80А | 1 | 5 мА при 20 В | 750 мВ при 80 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРХ10005Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murh10005r-datasheets-4584.pdf | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 800А | ОДИНОКИЙ | АНОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 50В | 75 нс | Стандартная, обратная полярность | 50В | 100А | 2000А | 1 | 50В | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРХ10020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murh10020r-datasheets-4641.pdf | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 800А | ОДИНОКИЙ | АНОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 75 нс | Стандартная, обратная полярность | 200В | 100А | 2000А | 1 | 200В | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 100 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С150К | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, шасси, шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Обжим | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | 21,8 мм | 3,2 мм | 1 | 6 недель | Нет СВХК | 2 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | Разъем, печатная плата, питание | Прямой | EAR99 | Латунь | Золото | 8541.10.00.80 | 5А | 3,2 мОм | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МУПМ-H1 | 150А | 1,2 В | 3,14 кА | КАТОД | Неэкранированный | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,35 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 800В | 800В | Стандартный | 800В | 150А | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 150 А | -65°К~200°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРХ7020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Д-67 | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | ОДИНОКИЙ | АНОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 75 нс | Стандартный | 200В | 70А | 1500А | 1 | 200В | 25 мкА при 200 В | 1 В при 70 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4596 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n4596-datasheets-4756.pdf | ДО-205АА, ДО-8, Шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ | 1N4596 | 150°С | 1 | О-МУПМ-H1 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,35 °С/Вт | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 3500 мкА | Стандартный | 1,4 кВ | 150А | 3000А | 1 | 1400В | 3,5 мА при 1400 В | 1,5 В при 150 А | -60°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРХ7060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Д-67 | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 110 нс | Стандартный | 600В | 70А | 1500А | 1 | 600В | 25 мкА при 600 В | 1,7 В при 70 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ20060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | Д-67 | 1 | 6 недель | 67 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 200А | 3кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 200А | 1 | 5 мА при 20 В | 750 мВ при 200 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ24080Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Д-67 | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | 240А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 80В | Шоттки | 80В | 240А | 1 | 1 мА при 80 В | 840 мВ при 240 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР8060Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1 | О-МУПМ-Д1 | 80А | 1 кА | 1 мкА | ОДИНОКИЙ | АНОД | ВЛАСТЬ | 1 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки, Обратная полярность | 60В | 80А | 1 | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 80 А | -55°К~160°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FR85G05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 85А | 1,369 кА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 400В | 400В | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 400В | 85А | 25 мкА при 100 В | 1,4 В при 85 А | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГКР26/12 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-gkr2604-datasheets-1110.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 25А | 375А | 1200В | 4 мА при 1200 В | 1,55 В при 60 А | -40°К~180°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N8034-GA | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n8034ga-datasheets-3503.pdf | ТО-257-3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | 1N8034 | 250°С | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 10А | 1,8 В | 1,08 °С/Вт | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 140А | 650В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 9,4А | 30А | 1107пФ @ 1В 1МГц | 5 мкА при 650 В | 1,34 В @ 10 А | 9,4 А постоянного тока | -55°К~250°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРХ20020Л | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrh20020l-datasheets-2858.pdf | Д-67 | 1 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 1 | Р-ПУФМ-X1 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 20 В | 200А | 3000А | 1 | 20 В | 3 мА при 20 В | 580 мВ при 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ100XCP12-227 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~175°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-gb100xcp12227-datasheets-2223.pdf | СОТ-227-4 | 18 недель | 30.000004г | 4 | EAR99 | НПН | 8,55 нФ | Одинокий | 1,2 кВ | 1,9 В | 2В | 100А | Стандартный | 1200В | 1 мА | 2 В @ 15 В, 100 А | ПТ | Нет | 8,55 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7640-GA | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~225°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | ТО-276АА | 3 | Другие транзисторы | 16А | N-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 330 Вт Тс | 1534пФ при 35В | 105 мОм при 16 А | 16А Тс 155°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJ25B | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Да, с исключениями | /files/genesicemiconductor-gbj25d-datasheets-1422.pdf | 4 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA080TH65 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/genesicemiconductor-ga080th65227sp-datasheets-4111.pdf | СОТ-227-2 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Кремниевые управляемые выпрямители | 139А | 80000А | СКР | 6,5 кВ | 6500В | 100 мА | 80А | 10,1 мкс | Одинокий | 1 сирийских рупий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC2510W | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-gbpc2510w-datasheets-0780.pdf | 4-Квадратный, GBPC-W | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | GBPC-W | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 12,5 А | 25А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4А | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 4А | 150А | 5 мкА | 5А | 50В | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ151Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1,5 А | 50А | 5 мкА | 5А | 50В | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ01 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-SIP, ГБЛ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБЛ | 4А | 150А | 5 мкА | 5А | 100В | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJ404G | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБЖ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 19 | Прямой угол | 5,05 кВ | КБЖ | 600 мкм | 4А | 120А | 5 мкА | 5А | 400В | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ602Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | 4-СИП, КБЛ | 4 | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 32 | Прямой | 250,25кВ | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | 2 мм | 6А | 180А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 5А | 100В | Однофазный | 1 | 6А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ8М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 8А | 200А | 5 мкА | 5А | 1кВ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ401Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБЛ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | 16 | Прямой | 250,25кВ | 2 мм | 4А | 120А | 5 мкА | 5А | 50В | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЖ2501Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~125°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, КБЖ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 41 | Прямой угол | 5,05 кВ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 600 мкм | 25А | 350А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | 5А | 100В | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,05 В @ 12,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC5004T | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Терминал контроля качества | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/genesicemiconductor-gbpc5004t-datasheets-3369.pdf | 4-Квадратный, GBPC | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 400А | 50А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 25 А | 50А |
