Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Конфигурация | Соединение корпуса | Скорость | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние – выключено (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип триака | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Производитель |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHD13003C,126 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-phd13003c126-datasheets-4730.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | EAR99 | 2,1 Вт | 400В | 1,5 А | 100 мкА | НПН | 5 @ 1А 2В | 1,5 В при 500 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PHE13003A,126 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-phe13003a126-datasheets-3919.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | EAR99 | 2,1 Вт | 400В | 1А | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В @ 250 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMDPB760ENX | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BYV32EB-300PJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 8 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 300В | 20 мкА при 300 В | 1,25 В при 10 А | 20А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TYN30Y-800TQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Изолированная вкладка | 8 недель | 800В | 30А | 60 мА | 1В | 350А 385А | 15 мА | 19А | Стандартное восстановление | 1,5 В | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ234-800Д,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ОБ2051В | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ168ГВ.115 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-bt168gw115-datasheets-8587.pdf | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BYC20X-600P | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | Переключающий диод | Да, с исключениями | /files/nxpsemiconductors-byc20x600p-datasheets-0920.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА416X-800CTQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | С | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ТО-220Ф | Одинокий | 800 В | 16 А | 35 мА | 1 В | 160А, 176А | 35 мА | Логика — чувствительные ворота | ВеЭн Полупроводники | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА202-1000CTQP | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные выводы | ТО-92-3 | Одинокий | 1 кВ | 2 А | 40 мА | 1 В | 25А, 27,5А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | ВеЭн Полупроводники | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EC103D1,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | EAR99 | EC103 | СКР | 400В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 8А 9А | 12 мкА | 500 мА | Чувствительные ворота | 1,35 В | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BT151X-500RNQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 500В | Стандартное восстановление | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BT169H-LML | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | 800В | 800 мА | 3мА | 800мВ | 9А 10А | 50 мкА | 500 мА | Чувствительные ворота | 1,7 В | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ169ДЕП | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 400В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 8А 9А | 200 мкА | 500 мА | Чувствительные ворота | 1,7 В | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ151-800Р,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-bt151800r127-datasheets-4339.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | БТ151 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | ОДИНОКИЙ | АНОД | ТО-220АБ | 800В | СКР | 800В | 800В | 12А | 20 мА | 1,5 В | 120А 132А | 15 мА | 7,5 А | Стандартное восстановление | 1,75 В | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||
TYN16X-800RT, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~150°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | TYN16 | СКР | 800В | 16А | 40 мА | 1,3 В | 210А 231А | 25 мА | 10,2А | Стандартное восстановление | 1,5 В | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ169Х,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | EAR99 | БТ169 | СКР | 800В | 800 мА | 3мА | 800мВ | 9А 10А | 100 мкА | 500 мА | Чувствительные ворота | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ258У-600Р,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | БТ258 | 1 | Р-ПСИП-Т3 | ОДИНОКИЙ | АНОД | 600В | СКР | 600В | 600В | 8А | 6мА | 1,5 В | 75А 82А | 200 мкА | 5А | Чувствительные ворота | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Z0109MN,135 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Z0109 | 1 | Р-ПДСО-Г4 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 1А | 1,3 В | 8А 8,5А | 10 мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА208-800Б,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | НЕТ | БТА208 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | БЕЗДЕМПФЕРИРУЮЩИЙ СИМИСТОР | 800В | 800В | 8А | 60 мА | 1,5 В | 65А 71А | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MAC223A6,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-mac223a6127-datasheets-3866.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 25А | 30 мА | 1,5 В | 190А 230А | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТ131-600,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | 3 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | НЕТ | НИЖНИЙ | БТ131 | 1 | О-PBCY-T3 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 1А | 5мА | 1,5 В | 12,5 А 13,8 А | 3мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ОТ407,116 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-ot407116-datasheets-5315.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | ТО-92-3 | Одинокий | 800В | 1А | 10 мА | 1,3 В | 12,5 А 13,8 А | 7мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА204С-800С, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | НЕТ | БТА204 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ТО-220АБ | БЕЗДЕМПФЕРИРУЮЩИЙ СИМИСТОР | 800В | 800В | 4А | 20 мА | 1,5 В | 25А 27А | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BT134W-600,135 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БТ134 | 1 | Р-ПДСО-Г4 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 1А | 15 мА | 1,5 В | 10А 11А | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА2008-1000DN/L03EP | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ДТ-Триак™ | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Непригодный | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Одинокий | 1кВ | 800 мА | 10 мА | 1В | 9А 9,9А | 5мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Z0107NN,135 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Z0107 | 1 | Р-ПДСО-Г4 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 1А | 10 мА | 1,3 В | 8А 8,5А | 5мА | Логика — чувствительные ворота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА316-800Э,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | БТА316 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 16А | 15 мА | 1,5 В | 140А 150А | 10 мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
БТА312-800С,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | НЕТ | БТА312 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 12А | 1,5 В | 95А 105А | 35 мА | Стандартный |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.