Toshiba Semiconductor и Storage(13104)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Емкость	Время выполнения заказа на заводе	Масса	Утверждающее агентство	Количество контактов	Код Pbfree	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь кода соответствия	Емкость при частоте	Приложения	Максимальная рассеиваемая мощность	Пиковая температура оплавления (Цел)	Количество каналов	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Рассеяние мощности	Количество элементов	Подкатегория	Пакет устройств поставщика	Входная емкость	Максимальный выходной ток	Прямой ток	Прямое напряжение	Напряжение изоляции	Максимальный входной ток	Включить время задержки	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Время подъема	Осень (тип.)	Время задержки выключения	Непрерывный ток стока (ID)	Напряжение от затвора до источника (Vgs)	Конфигурация	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Задержка распространения	Выходной ток высокого уровня	Выходной ток низкого уровня	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Защита линии электропередачи	Напряжение - пробой (мин)	Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс)	Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp	Напряжение – обратное зазор (тип.)	Однонаправленные каналы	Обратное напряжение запирания	Обратное напряжение пробоя	Направление	Мощность — пиковый импульс	Двунаправленные каналы	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Ток — выходной высокий, низкий	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.)	Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.)	Искажение ширины импульса (макс.)	Напряжение – выходное питание	Ток — пиковый выход	Широтно-импульсное искажение (PWD)	Текущий коэффициент передачи	Снижение сопротивления до источника	Напряжение пробоя стока к источнику	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Особенность полевого транзистора	РДС на Максе	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)
DF2S23P2FU,H3F	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер			Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s23p2fuh3f-datasheets-0379.pdf	СК-76, СОД-323		12 недель								160пФ при 1 МГц	Общего назначения																														Нет	21,5 В	14А 8/20мкс	27,3 В, тип.	21 В Макс.	1				500 Вт
ТПХ2Р003ПЛ,ЛК	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,72 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-MOSIX-H		Поверхностный монтаж	175°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				8-PowerVDFN		16 недель																																	30 В					830 мВт Ta 116 Вт Tc																												N-канал	6410пФ при 15 В	2 м Ом при 50 А, 10 В	2,1 В @ 500 мкА	100А Тс	86 нК при 10 В			4,5 В 10 В	±20 В
DF2B7ASL,L3F	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,16 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер			Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b7asll3f-datasheets-3291.pdf	0201 (0603 Метрическая единица)		12 недель								8,5 пФ @ 1 МГц	Общего назначения																														Нет	5,8 В	4А 8/20 мкс	20 В	5,5 В					80 Вт	1
SSM3J378R,ЛФ	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСВИ		Поверхностный монтаж	150°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS			SOT-23-3 Плоские выводы		12 недель																																	20 В					1 Вт Та																												P-канал	840пФ при 10 В	29,8 мОм при 3 А, 4,5 В	1 В при 1 мА	6А Та	12,8 нК при 4,5 В			1,5 В 4,5 В	+6В, -8В
DF2B5SL,L3F	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,19 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер			Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b5sll3f-datasheets-4699.pdf	0201 (0603 Метрическая единица)		12 недель								7,2 пФ @ 1 МГц	Общего назначения																														Нет	3,6 В	5,5 А 8/20 мкс	Типовое напряжение 11,5 В	3,3 В Макс.					77 Вт	1
ТК6П65В,РК	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	1,17 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Разрезанная лента (CT)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS	2015 год		ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63		16 недель																														5,8А			650В					60 Вт Тс																												N-канал	390пФ при 300В	1,05 Ом при 2,9 А, 10 В	3,5 В при 180 мкА	5,8А Та	11 нК при 10 В			10 В	±30 В
DF3A6.2CT(ТПЛ3)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Разрезанная лента (CT)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df3a62cttpl3-datasheets-6251.pdf	СК-101, СОТ-883	55пФ	12 недель								55пФ при 1 МГц	Общего назначения																														Нет	5,8 В				2	3В
ТК22А65С5,С5С	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	$5,54	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать							1 (без ограничений)									12 недель
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,39 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df3a56lfvtpl3z-datasheets-8606.pdf	СОТ-723		12 недель				да				8пФ @ 1МГц	Общего назначения																														Нет	5,3 В				2	3,5 В
ССМ3К44МФВ,Л3Ф	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,21 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	150°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS			СОТ-723		12 недель											НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН																				30 В					150 мВт Та																												N-канал	8,5 пФ при 3 В	4 Ом при 10 мА, 4 В	1,5 В @ 100 мкА	100 мА Та				2,5 В 4 В	±20 В
DF2S12P1CT,L3F	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер			Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Не соответствует требованиям RoHS			СОД-882		12 недель								42пФ при 1 МГц	Общего назначения																														Нет	10,5 В	7,5 А 8/20 мкс	32В	10 В Макс.	1				240 Вт
ССМ3К48ФУ,ЛФ	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,31 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСIII		Поверхностный монтаж	150°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Не соответствует требованиям RoHS			СК-70, СОТ-323		12 недель																																	30 В					150 мВт Та																												N-канал	15,1 пФ при 3 В	3,2 Ом при 10 мА, 4 В	1,5 В @ 100 мкА	100 мА Та				2,5 В 4 В	±20 В
DF5A5.6JE,ЛМ	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,25 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Зенер		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5a56jelm-datasheets-4713.pdf	СОТ-553		12 недель								65пФ при 1 МГц	Общего назначения																														Нет	5,3 В				4	2,5 В
SSM5H08TU,ЛФ	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,38 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСIII		Поверхностный монтаж	150°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Не соответствует требованиям RoHS			6-SMD (5 выводов), плоский вывод		12 недель																																	20 В					500мВт Та																												N-канал	125пФ при 10В	160 мОм при 750 мА, 4 В	1,1 В @ 100 мкА	1,5 А Та		Диод Шоттки (изолированный)		2,5 В 4 В	±12 В
ТЛП2451А(Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Трубка	1 (без ограничений)	125°С	-40°С	Оптическая связь	Соответствует RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2451atpf-datasheets-0836.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)		8 недель		CSA, cUL, UL	8							160мВт		1					8-СО		600 мА		1,55 В			500 нс				50 нс						500 нс	400 мА	400 мА	3750 В (среднеквадратичное значение)										Однонаправленный						1,55 В	400 мА 400 мА	50 нс 50 нс	25 мА	500 нс, 500 нс	20 кВ/мкс	350 нс	10 В~30 В	600 мА	350 нс
ТК12А80В,С4С	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	$0,00	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ		Сквозное отверстие	150°С	Трубка	Непригодный			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS			ТО-220-3 Полный пакет		16 недель																	ТО-220СИС																800В					45 Вт Тс																												N-канал	1400пФ при 300В	450 мОм при 5,8 А, 10 В	4 В при 570 мкА	11,5А Та	23 нК при 10 В			10 В	±20 В
TLP250(D4-SIEM,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать							1 (без ограничений)
ТК4Р4П06ПЛ,РК	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	1,37 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-MOSIX-H		Поверхностный монтаж	175°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS	2017 год		ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63		16 недель																	ДПАК																60В					87 Вт Тс																												N-канал	3280пФ при 30 В	4,4 мОм при 29 А, 10 В	2,5 В @ 500 мкА	58А Тс	48,2 нК при 10 В			4,5 В 10 В	±20 В
ТЛП351(ЛФ1,З,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать							1 (без ограничений)
ТПН4Р806ПЛ,Л1К	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,72 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-MOSIX-H		Поверхностный монтаж	175°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				8-PowerVDFN		12 недель																																	60В					630 мВт Ta 104 Вт Tc																												N-канал	2770пФ при 30 В	4,8 мОм при 36 А, 10 В	2,5 В при 300 мкА	72А Тк	29 нК при 10 В			4,5 В 10 В	±20 В
TLP155(Е	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К		1 (без ограничений)			Оптическая связь	Соответствует RoHS			6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов							ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН UL							1			1										ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара	0,02 А		15 нс				ОДИНОКИЙ		200 нс			3750 В (среднеквадратичное значение)										Однонаправленный						1,57 В		35 нс 15 нс	20 мА	200 нс, 200 нс	20 кВ/мкс	50 нс	10 В~30 В	600 мА
SSM3J340R,ЛФ	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,36 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСВИ		Поверхностный монтаж	150°С	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS			SOT-23-3 Плоские выводы		12 недель											НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН																				30 В					1 Вт Та																												P-канал	492пФ при 10 В	45 мОм при 4 А, 10 В	2,2 В @ 250 мкА	4А Та	6,2 нК при 4,5 В			4В 10В	+20В, -25В
ТЛП352(Д4,С)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать							1 (без ограничений)																																		ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара
ТПХ2010ФНХ,L1Q	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСVIII-H	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Разрезанная лента (CT)	1 (без ограничений)	150°С	-55°С	МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS	2014 год		8-PowerVDFN		12 недель	850,995985мг		8									1					8-СОП Прогресс (5x5)	600пФ						14 нс			5,2 нс	4,5 нс	19 нс	5,6А	20 В		250 В					1,6 Вт Та 42 Вт Тс																										168мОм	250 В	N-канал	600пФ при 100В	198 мОм при 2,8 А, 10 В	4 В при 200 мкА	5,6А Та	7 нК @ 10 В		198 мОм	10 В	±20 В
ТЛП351(Д4-ТП5,З,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать						Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)
ТК10А80В,С4С	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	$11,01	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ		Сквозное отверстие	150°С	Трубка	Непригодный			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS			ТО-220-3 Полный пакет		16 недель																	ТО-220СИС																800В					40 Вт Тс																												N-канал	1150пФ при 300В	550 мОм при 4,8 А, 10 В	4 В @ 450 мкА	9,5А Та	19 нК при 10 В			10 В	±20 В
ТЛП523-4(Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие				1 (без ограничений)	85°С	-25°С		Соответствует RoHS	2014 год		ПДИП		32 недели			16			Нет				150 мВт		4		150 мВт	4	Оптопара — транзисторные выходы				50 мА	1,3 В	2,5 кВ	50 мА																							5В				1В	55В	150 мА											2000 %
ССМ3К336Р,ЛФ	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,33 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСVII-H	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С ТДж	Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS	2014 год		SOT-23-3 Плоские выводы		12 недель							неизвестный																							3А			30 В					1 Вт Та																												N-канал	126пФ при 15В	95 мОм при 2 А, 10 В	2,5 В @ 100 мкА	3А Та	1,7 нК при 4,5 В			4,5 В 10 В	±20 В
ТЛП350Ф(Д4-ТП4,З,Ф	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать						Лента и катушка (TR)	1 (без ограничений)																																		ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара
ТК380А60И,С4С	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,81 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСВ		Сквозное отверстие	150°С ТДж	Трубка	Непригодный			МОП-транзистор (оксид металла)	Соответствует RoHS	2016 год		ТО-220-3 Полный пакет		16 недель																	ТО-220СИС																600В					30 Вт																												N-канал	590пФ при 300В	380 мОм при 4,9 А, 10 В	4 В при 360 мкА	9,7 А Тс	20 нК при 10 В			10 В	±30 В

Toshiba Semiconductor и Storage(13104)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии