Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Количество вариантов UART | ОЗУ (слова) | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC2564NYFVR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2564yfvt-datasheets-0203.pdf | 54-БГА, ДСБГА | Без свинца | 360 мкА | 54 | 54 | УАРТ | 2 | да | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,2 В~4,8 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,6 В | СС2564 | -95 дБм | 4 Мбит/с | 40,5 мА~41,2 мА | 40,5 мА~41,2 мА | 12 дБм | Bluetooth | И2С, УАРТ | ГФСК, ГМСК | Bluetooth v4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТА2500Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1,25 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sta2500dctr-datasheets-9767.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 6 мм | 2,75 В | 48 | 16 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,65~2,85 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,75 В | 0,8 мм | СТА2500 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -88 дБм | 3 Мбит/с | 35,4 мА | 23 мА~35,4 мА | 8 дБм | Bluetooth | I2C, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v2.1 +EDR | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRF24AP2-USBQ32-R7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24ap2usbq32s-datasheets-5828.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 2мА | 32 | 20 недель | 8542.39.00.01 | ДА | 4 В~5,25 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицирован | S-PQCC-N32 | -85 дБм | 1 Мбит/с | 22 мА | 16 мА~20 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | USB | ГФСК | АНТ™ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V131F64GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | совместимый | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55CEU6TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2402 ГГц~2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 48-UFQFN Открытая площадка | 10 недель | совместимый | 1,71 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V131F32GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4127FNI-BL493T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | PSOC® 4 CY8C41xx БЛЕ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 68-УФБГА, ВЛЦП | 3,91 мм | 68 | 18 недель | I2C, ИК-порт, LIN, SPI, SSP, UART, USART | 5А992.Б | Медь, Серебро, Олово | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 25 мА | Р-ПБГА-Б68 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 16,5 мА~20 мА | Внутренний | 36 | ВСПЫШКА | Обнаружение/сброс понижения напряжения, ЖК-дисплей, LVD, POR, ШИМ, WDT | РУКА | 16 КБ | 32б | 3 дБм | Да | 4 | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 16000 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYBL10561-56LQXIT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cybl1056156lqxi-datasheets-4404.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 13 недель | 1,9 В~5,5 В | -89 дБм | 1 Мбит/с | 16,4 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 15,6 мА | 3 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.1 | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43362SKUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43362kubgt-datasheets-9380.pdf | 69-УФБГА, ВЛБГА | 2,92 мм | 69 | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б69 | -97 дБм | 72 Мбит/с | 52 мА~59 мА | 448 КБ ПЗУ 240 КБ ОЗУ | 260 мА~320 мА | 18,5 дБм | Wi-Fi | JTAG, SPI, UART | 16КАМ, 64КАМ, БПСК, КФМН | 802.11b/г/н | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф64Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2531F128RHAR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | Без свинца | 40 | 6 недель | Нет СВХК | 40 | SPI, USART, USB | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2531 | 40 | 8 | -97 дБм | 250 кбит/с | 20,5 мА~24,3 мА | 128 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 28,7 мА~33,5 мА | 8 КБ | 4,5 дБм | 802.15.4 | SPI, USART, USB | Зигби® | 21 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V132F64GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55CCU7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2402 ГГц~2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 48-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | 7 мм | 48 | 10 недель | совместимый | ДА | 1,71 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 30 | 64 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG21A020F768IM32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32bg21a010f512im32br-datasheets-9189.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSR8645B04-IBBC-R | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | BlueCore® CSR8645™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/qualcomm-csr8645b04ibbcr-datasheets-4934.pdf | 68-ВФБГА | 10 недель | I2C, SPI, UART, USB | -90 дБм | 9 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART, USB | Bluetooth v4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф64Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -116 дБм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ14П732Ф256ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20746A0KFBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 64-ВФБГА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ14П732Ф256ГМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG14P732F256GM32-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX-SFJK-API-1-01-TB05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 922 МГц | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-axsfjkapi101tx30-datasheets-8809.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 52 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 600 бит/с | 15 мА | 45 мА | 13 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | УАРТ | ФСК, ГФСК | СИГФОКС™ | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ14П532Ф256ГМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG14P733F256GM48-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е16А-МУТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 32 | 12 недель | Нет СВХК | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | ВСПЫШКА | РУКА | 8 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 8000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ14П632Ф256ИМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG14P632F256IM48-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OL2385AHN/001A0Y | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-ol2385ahn001a0y-datasheets-4701.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 1,9 В~5,5 В | 260 | 48 | НЕ УКАЗАН | -124 дБм | 29 мА | 14 дБм | СПИ, УАРТ | СПРОСИТЕ, ФСК | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2543RHMT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 32 | I2C, SPI, UART, USART | Нет | 8542.31.00.01 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2543 | Другие микропроцессорные ИС | 2,5/3,3 В | -98 дБм | 2 Мбит/с | 21,2 мА | 32 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 26 мА~29,4 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, СПИ, УСАРТ | ГФСК, МСК | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ14П632Ф256ИМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ |
