| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Уровень скрининга | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Скорость передачи данных | Размер | разрешение | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭФР32БГ1Б132Ф128ГМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b132f128gm48c0r-datasheets-3352.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 6 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 3 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM20735KMLG | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20735pkml1g-datasheets-4369.pdf | 60-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | 60-КФН (7х7) | -94,5 дБм | 2 Мбит/с | 8мА | 18 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | ГФСК | Bluetooth v4.2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМБ11-ZR210CA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1868 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atsamb11zr210ca-datasheets-3448.pdf | Модуль 39-СМД | 10 541 мм | 7503 мм | 35 | 14 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,8 В~4,3 В | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 3,6 В | 0,61 мм | АТСАМБ11 | Р-XXMA-N35 | ТС 16949 | -95 дБм | 5мА | 1 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 128 КБ ПЗУ 128 КБ ОЗУ | 3,2 мА | 3 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 23 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1B132F128GM48-C0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b132f128gm48c0r-datasheets-3352.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 3 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW4325GKWBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц 5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw4325gkwbgt-datasheets-3463.pdf | 339-XFBGA, WLCSP | 1,2 В~3,3 В | -90 дБм | 54 Мбит/с | 81 мА | 295 мА | 7,5 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | I2C, I2S, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | 802.11a/b/g, Bluetooth v3.0 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2948Б | РФМД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 3 (168 часов) | БИКМОС | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/rfmd-2948b-datasheets-3122.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,7 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3/3,3 В | 0,136 мА | Не квалифицирован | S-XQCC-N32 | 65 мА~110 мА | 95 мА~115 мА | 6 дБм | Wi-Fi | КФСК | 802.11б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5812C-PLQW-1 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 315 МГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 48-КФН (7х7) | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX5043-1-TA05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 27 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ax50431tw30-datasheets-5179.pdf | 28-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 13 недель | Нет СВХК | 28 | СПИ, УАРТ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | 1,8 В~3,6 В | -137 дБм | 125 кбит/с | 6,5 мА~11 мА | 7,5 мА~48 мА | 16 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | 4ФСК, АСК, АФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ПСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX5051-1-WD1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 400–470 МГц 800–940 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ax50511tw30-datasheets-8424.pdf | 28-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | Без свинца | 12 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | 2,2 В~3,6 В | -116 дБм | 600 кбит/с | 17 мА~19 мА | 45 мА | 16 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | АСК, ФСК, МСК, О-QPSK, ПСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | неизвестный | 1,8 В~3,8 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MLX73290RLQ-ABA-000-SP | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Масса | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | 300–960 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/melexistechnologiesnv-mlx73290rlqaba000sp-datasheets-3206.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | СПИ | 2,1 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -120 дБм | -120 дБм | 250 кбит/с | 15 мА~17 мА | 14 мА~37 мА | 13 дБм | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК, ГМСК, ГУК, МСК, ООК | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYBL11573-76FNXIT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | ПРОК™ БЛЕ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cybl1147356lqxi-datasheets-4275.pdf | 56-UFQFN Открытая площадка | 1,8 В~5,5 В | -92 дБм | 1 Мбит/с | 16,4 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ SRAM | 15,6 мА | 3 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX5042-1-TA05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 400–470 МГц 800–940 МГц | 1 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ax50421tw30-datasheets-3056.pdf | 28-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 2,8 В | Без свинца | 28 | 16 недель | СПИ, УАРТ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 2,3 В~2,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,5 мм | S-XQCC-N28 | -123 дБм | 600 кбит/с | 17 мА~23 мА | 13 мА~37 мА | 13,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK, ПСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5823C-PLQW-1 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Масса | 3 (168 часов) | 433 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-ata5823cplqw1-datasheets-3025.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 48-КФН (7х7) | -117 дБм | 20 кбит/с | 14,5 мА | 21 мА | 11,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATWILC3000A-MU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchip-atwilc3000amut-datasheets-5625.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | I2C, SDIO, SPI, UART | 3,6 В | АТВИЛК3000 | 48-КФН (5х5) | -98 дБм | -98 дБм | 72,2 Мбит/с | 92 мА | 325 мА | 19 дБм | 18 | Bluetooth, Wi-Fi | I2C, SDIO, SPI, UART | 8ПСК, ГФСК, КФСК | 802.11b/g/n, Bluetooth v4.0 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX-SFEU-1-01-TB05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 868 МГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-axsfazapi101tx30-datasheets-8821.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 40 | СПИ, УАРТ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 600 бит/с | 10 мА | 19 мА~49 мА | 14 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ГФСК | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATWINC3400A-MU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchip-atwinc3400amut-datasheets-5627.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 19 недель | I2C, SDIO, SPI, UART | 2,7 В~3,6 В | АТВИНК3400 | 48-КФН (6х6) | -98 дБм | -98 дБм | 72,2 Мбит/с | 83,7 мА~91,8 мА | 256 КБ ПЗУ 708 КБ ОЗУ | 276 мА~325 мА | 20 дБм | 18 | Bluetooth, Wi-Fi | I2C, SDIO, SPI, UART | 8ПСК, ГФСК, КФСК | 802.11b/g/n, Bluetooth v4.0 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX5042-1-TW30 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400–470 МГц 800–940 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ax50421tw30-datasheets-3056.pdf | 28-VFQFN Открытая колодка | 2,8 В | Без свинца | 28 | СПИ, УАРТ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Золото | 2,3 В~2,8 В | -123 дБм | 600 кбит/с | 17 мА~23 мА | 13 мА~37 мА | 13,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, О-QPSK, ПСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМБ11Г18А-МУ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamb11g18amuy-datasheets-2484.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 48 | 19 недель | I2C, SPI, УАРТ | да | 1 | ДА | 2,3 В~4,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,4 мм | АТСАМБ11 | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -96 дБм | 4,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 128 КБ ПЗУ 128 КБ ОЗУ | 3мА | 3,5 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5811C-PLQW-1 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 433 868 МГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 48-КФН (7х7) | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПРОСИТЕ, ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC35667FSG-006(ЭЛ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc35667fsg006el-datasheets-3307.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 16 недель | 40-ВКФН (5х5) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MLX73290RLQ-BBM-000-TU | Мелексис Технологии Н.В. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | 300–960 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 32-VFQFN Открытая колодка | 20 недель | СПИ | 2,1 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -120 дБм | -120 дБм | 250 кбит/с | 15 мА~17 мА | 14 мА~37 мА | 13 дБм | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК, ГМСК, ГУК, МСК, ООК | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ2460-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | 0°С~60°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf2460t-datasheets-2314.pdf | 36-VFQFN Открытая колодка | 3В | 36 | 16 недель | 2-проводной, I2C, I2S, SPI | 8542.39.00.01 | 34 мА | ДА | 2,2 В~3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицирован | S-PQCC-N36 | -80 дБм | 4 Мбит/с | 32 мА~33 мА | 2 Б | 12 мА~34 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | И2С, И2С, СПИ | ГФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX5243-1-TA05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 27 МГц~1,05 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ax52431tw30-datasheets-4967.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | Без свинца | 20 | 12 недель | Нет СВХК | 20 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -137 дБм | 125 кбит/с | 6,5 мА~11 мА | 48 мА | 16 дБм Макс. | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 4ФСК, АСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ПСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC35667FTG-005(ЭЛ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | ТК | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc35667fsg006el-datasheets-3307.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 8,7 мА | 40 | 1,8 В~3,6 В | -92 дБм | 6,3 мА | 0 дБм | Bluetooth | I2C, ШИМ, SPI, UART | Bluetooth v4.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATBTLC1000A-UU-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,541 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atbtlc1000auut-datasheets-3091.pdf | 31-УФБГА, ВЛЦП | 2,262 мм | 2,142 мм | 31 | 19 недель | I2C, SPI, УАРТ | да | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~4,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | АТБТЛК1000 | Р-ПБГА-Б31 | -96 дБм | 3,4 Мбит/с | 4мА | 128 КБ ПЗУ 128 КБ ОЗУ | 3мА | 3,5 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 13 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATR2406-PNQW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -10°К~60°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 60°С | -10°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-atr2406pnqw-datasheets-2377.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | СПИ | 2,9 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -93 дБм | -93 дБм | 1125 Мбит/с | 57мА | 42 мА | 4 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ГФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX8052F151-2-TX30 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400–470 МГц 800–940 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ax8052f1512tb05-datasheets-3072.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 15 недель | 40 | СПИ, УАРТ | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Золото | 2,2 В~3,6 В | -116 дБм | 600 кбит/с | 17 мА~19 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,25 КБ SRAM | 13 мА~45 мА | ВСПЫШКА | 8052 | 1 КБ | 8б | 16 дБм | Да | 5 | 21 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | АСК, ФСК, МСК, ПСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC35675XBG-001(ЭЛ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ТК | Поверхностный монтаж | -30°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц~2,484 ГГц | Соответствует RoHS | 2017 год | 52-ТФБГА | 18 недель | 1,8 В~3,6 В | -92 дБм | 921,6 кбит/с | 6,3 мА | 192 КБ флэш-памяти, 64 КБ ОЗУ | -4 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | ПРОСИТЬ | Bluetooth v4.1 | 7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AX8052F151-2-TB05 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400–470 МГц 800–940 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ax8052f1512tb05-datasheets-3072.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 19 недель | Нет СВХК | 40 | СПИ, УАРТ | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 2,2 В~3,6 В | -116 дБм | 600 кбит/с | 17 мА~19 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,25 КБ | 13 мА~45 мА | ВСПЫШКА | 8052 | 8,3 КБ | 8б | 16 дБм | Да | 5 | 21 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | АСК, ФСК, МСК, ПСК |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.