Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Количество вариантов UART | Количество аналого-цифровых преобразователей |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFR32MG1B732F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p732f256gm32c0-datasheets-2562.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА~9,8 мА | 768 КБ флэш-памяти, 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, О-QPSK | Bluetooth v4.0, Zigbee® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2400-РТР1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-cc2400rtr1-datasheets-5261.pdf | 48-VFQFN | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 мм | 48 | 48 | NRND (Последнее обновление: 2 дня назад) | 900 мкм | 8542.39.00.01 | 1 | 1,6 В~2 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | СС2400 | 48 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 0,005 мА | Не квалифицированный | -101 дБм | 1 Мбит/с | 24 мА | 11 мА~19 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F6135IRGCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc430f6135irgct-datasheets-9729.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | Без свинца | 64 | 12 недель | 64 | I2C, SPI, УАРТ | 128 КБ | да | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 2,2 В | 0,5 мм | СС430F6135 | 64 | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 2 КБ | 12 | 15 мА~36 мА | РИСЦ | 2 КБ | 16б | 13 дБм | Да | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 44 | 1 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20706UA1KFFB1GT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 49-ВФБГА, ФКБГА | 18 недель | 3,3 В | -96,5 дБм | 2 Мбит/с | 12,5 мА | 848 КБ ПЗУ 352 КБ ОЗУ | 26,5 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.2 | 7 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛУ1П-Ф32К32-Р7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24lu1pf32q32t-datasheets-1289.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 13,3 мА | 20 недель | SPI, UART, USB | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 4В~5,25В | -94 дБм | 12 Мбит/с | 12,9 мА~13,3 мА | 32 КБ флэш-памяти 2 КБ SRAM | 11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | SPI, UART, USB | ГФСК | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20703UA1KFFB1GT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ1000-Е-ГМ2Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 620 кГц | 10 недель | 3,6 В | 900 мВ | 42 | I2C, SPI, УАРТ | 25 МГц | 1,8 В~3,6 В | 42-ЛГА (5х7) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 20 дБм | Да | 4 | 22 | 22 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 22 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG21A020F512IM32-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32bg21a010f512im32br-datasheets-9189.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р63Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STA2500DCTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1,25 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sta2500dctr-datasheets-9767.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 6 мм | 2,75 В | 48 | 16 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 1,65~2,85 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,75 В | 0,8 мм | СТА2500 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -88 дБм | 3 Мбит/с | 35,4 мА | 23 мА~35,4 мА | 8 дБм | Bluetooth | I2C, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v2.1 +EDR | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2560AYFVR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 54-БГА, ДСБГА | 4,8 В | УАРТ | Олово | 2,2 В~4,8 В | СС2560 | -95 дБм | 4 Мбит/с | 40,5 мА~41,2 мА | 40,5 мА~41,2 мА | 12 дБм | Bluetooth | И2С, УАРТ | ГФСК, ГМСК | Bluetooth v4.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТА2500DC | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1,25 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sta2500dctr-datasheets-9767.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 6 мм | 48 | 16 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 1,65~2,85 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,75 В | 0,8 мм | СТА2500 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,75 В | -88 дБм | 3 Мбит/с | 35,4 мА | 23 мА~35,4 мА | 8 дБм | Bluetooth | I2C, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v2.1 +EDR | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20707UA2KFFB4G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20707ua1kffb4gt-datasheets-3960.pdf | 49-ВФБГА, ФКБГА | 4,5 мм | 4 мм | 49 | 15 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | Р-ПБГА-Б49 | -96 дБм | 3 Мбит/с | 26 мА | 60 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.2 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р69Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1021РССР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 402–470 МГц 804–960 МГц | Соответствует ROHS3 | 32-VQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | 3В | Без свинца | 7,1 мм | 32 | 6 недель | 32 | СПИ, УАРТ | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | 19,9 мА | е4 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1021 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -109 дБм | 153,6 кбод | 12,3 мА~27,1 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20704UA1KFFB1GT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-bcm20704ua2kffb1g-datasheets-4233.pdf | 49-ВФБГА, ФКБГА | 18 недель | 3,3 В | -95,5 дБм | 2 Мбит/с | 12 дБм | Bluetooth | СПИ, УАРТ | Bluetooth v4.1 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG13P632F512IM32-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128LQI-BL563T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | PSOC® 4 CY8C4xx8 БЛЕ | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 56-UFQFN Открытая площадка | 22 недели | 1,8 В~5,5 В | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 3 дБм | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛЕ1-Ф16К32-Р7 | Нордик Полупроводник АСА | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1q32sample-datasheets-5813.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | 8542.31.00.01 | 1,9 В~3,6 В | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, JTAG, SPI, UART | ГФСК | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛЕ1-F16Q24-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1q32sample-datasheets-5813.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | Олово | 8542.31.00.01 | 1,9 В~3,6 В | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, JTAG, SPI, UART | ГФСК | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24АП2-1CHQ32-R7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24ap21chq32s-datasheets-5810.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 32 | 20 недель | 8542.39.00.01 | ДА | 1,9 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицированный | S-PQCC-N32 | -85 дБм | 1 Мбит/с | 17 мА | 11 мА~15 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | УСАРТ | ГФСК | АНТ™ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4127LQI-BL483T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 56-UFQFN Открытая площадка | 18 недель | 1,8 В~5,5 В | 56-КФН (7х7) | -91 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 16 КБ SRAM | 14,2 мА~20 мА | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛЕ1-F16Q24-R7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1q32sample-datasheets-5813.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | 8542.31.00.01 | 1,9 В~3,6 В | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, JTAG, SPI, UART | ГФСК | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р63Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG13P732F512GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~11 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛУ1П-Ф32К32-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24lu1pf32q32t-datasheets-1289.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 20 недель | SPI, UART, USB | EAR99 | 8542.39.00.01 | 4В~5,25В | -94 дБм | 12 Мбит/с | 12,9 мА~13,3 мА | 32 КБ флэш-памяти 2 КБ SRAM | 11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | SPI, UART, USB | ГФСК | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р68Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛЕ1-Ф16К48-Р | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1q32sample-datasheets-5813.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | Олово | 1,9 В~3,6 В | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, JTAG, SPI, UART | ГФСК | 31 |
