Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Частота кадров | Тип массива | Чувствительность (В/лк.с) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OV07955-N53V-PE | ОмниВижн Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | 14 недель | 3,47 В | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OV06211-A29A | ОмниВижн Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 14 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OV06948-A04A-1C | ОмниВижн Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OV02281-GA4A | ОмниВижн Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE025KA-GDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | 355 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-ААА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2093abackba-datasheets-1102.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,42 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 1920 год | 300-1000 | 18 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1SE012KA-GDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-noiv1se016kagdi-datasheets-1221.pdf | 355-БСПГА, Окно | Без свинца | 23 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 4096Г х 4096В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ12000-2Е12М1ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02170-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170cbajdba-datasheets-0414.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 8,7 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН НИЗКОЙ И 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН ВЫСОКОЙ; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР; ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН, РАСШИРЕННЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ 82,5 | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,2 дБ | 60 | 1920 Г х 1080 В | 1 дюйм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E12M1CA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАНЫЙТВОР, РАСШИРЕННЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН ДО 90 ДБ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 60 дБ | 180 | 2048Г х 2048В | 1 дюйм | 37 кадров в секунду | 5,56 В/лк.с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9В111IA7ATC-ТП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -20°К~60°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v111ia7atctr-datasheets-5445.pdf | 52-БГА | Без свинца | 111 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,55~3,05 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 90 | 640Г х 480В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-47051-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai47051axajpb2-datasheets-2954.pdf | 201-БПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 38 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 69,96 мм | 44,55 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 66 дБ | 7 | 8856Г х 5280В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAC-06040-CBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kac06040abajdba-datasheets-1332.pdf | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН025КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-47051-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai47051qxajdb2-datasheets-2761.pdf | 201-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 38 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 69,96 мм | 44,55 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 66 дБ | 7 | 8856Г х 5280В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 2 | 4864Г х 3232В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-ААА-JP-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КЛИ-2113-РАА-ЭД-АА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kli2113raaedaa-datasheets-2031.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 11,5 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 12,5 В | 11,5 В | 20 Мбит/с | ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,51 мм | 48,01 мм | 15,24 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 14x14 мкм | 76 дБ | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-ФБА-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 27,94 мм | 27,94 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 58 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-08670-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai08670axajdb2-datasheets-2043.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 12 | 3600 х 2400 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08051-QXA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 39 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2020-CBA-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 35 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04022-ФБА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 70°С | -50°С | 15,5 В | 14,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,65 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 7,4х7,4 мкм | 72 дБ | 2048 | 2048 | 4/3 дюйма | ИНТЕРЛАЙН | |||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ12000-2Е5С1ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-16200-АБА-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf16200abacdb1-datasheets-1338.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 60°С | 14,5 В | 24 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,92 мм | 38,6 мм | 35,81 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 6x6 мкм | 69,3 дБ | 4500 | 3600 | ПОЛНЫЙ КАДР | |||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-08670-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 12 | 3600 х 2400 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-08670-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 82 ДБ; ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 И 9,7 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 47,24 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70 дБ | 12 | 3600 х 2400 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMV8000ES-1E5M1PN | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv8000es1e5m1pa-datasheets-6349.pdf | 1,8 В 3,3 В | 107-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 104 | 3360 х 2496 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CHR71000ES-1E5M1PN | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°С~60°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-chr71000es1e5c1pa-datasheets-6460.pdf | 65-ПГА | 3,3 В | 65-ПГА | 3,1 мкмx3,1 мкм | 3 | 10000В х 7096В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JP-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В |
