Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Подкатегория | Источники питания | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КАИ-2020-ААА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 60 ДБ. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,44 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 68 дБ | 35 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-50100-АБА-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kaf50100aaajdba-datasheets-0360.pdf | Модуль | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ТАКЖЕ ИМЕЕТ РАЧЕТНЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 69,3 ДБ. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,46 мм | 59,61 мм | КЕРАМИКА | 6 мкмx6 мкм | 70,2 дБ | 350-1100 | 8 | 8176В х 6132В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| KAC-12040-CBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 80°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kac12040cbajdaa-datasheets-0310.pdf | 2,1 В | Без свинца | 9 недель | 267 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 1,71 ДО 1,89 В, ГЛОБАЛЬНЫЕ ЗАТВОРИ, РУЛЕТНЫЕ ЗАТВОРИ. | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 42,5 мм | 38,1 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | СПИ-ИНТЕРФЕЙС | 0,45-1,55 В | 4,70x4,70 мкм | 73 дБ | 4000 | 3000 | 4/3 дюйма | 50 МГц | 70 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||
| KAI-08051-FXA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 39 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-ААА-JP-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1FN0500A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | ДА | 85°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 80 мА | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 800 | 600 | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08670-QXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 12 | 3600 х 2400 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-СР-Б2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JP-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-0340-AAA-CP-AA-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 110 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-FBA-JB-B2-T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336 х 1752 В | 1 дюйм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02150-FBA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-FBA-JB-B2-T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2020-ФБА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 60 ДБ. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,44 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 68 дБ | 35 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-QXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | 9 недель | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 47,24 мм | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 6644 | 1 | 6576Г х 4408В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| KLI-8023-RAA-ED-AA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kli8023aaaeraa-datasheets-3062.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ТАКЖЕ ЕСТЬ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 82 ДБ. | НЕТ | 70°С | 15,5 В | 14,5 В | 6 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 6,1 мм | 93,98 мм | 15,24 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 9x9 мкм | 87 дБ | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-ААА-ЦП-Б2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-QXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 47,24 мм | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 6644 | 1 | 6576Г х 4408В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-40000-FXA-JD-AA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°С~60°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf40000cxajdaa-datasheets-0305.pdf | Модуль | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,43 мм | 57,5 мм | 49 мм | КЕРАМИКА | 6 мкмx6 мкм | 70,2 дБ | 1 | 7304Г х 5478В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН025КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | 355 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE0500A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 800 | 43 | 800В х 600В | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН016КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-СР-Б1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 47,24 мм | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 6644 | 1 | 6576Г х 4408В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН016КА-ГДИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | 3,4 В | Без свинца | 20 недель | 355 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-ААА-ЦП-Б1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ARX550HDSC00XPEA0-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 63-ЛБГА | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M025IA3XTC-TRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m025ia3xtcdrbr-datasheets-1329.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | 15 недель | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02150-FBA-JB-B2-T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02170-QBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170cbajdba-datasheets-0414.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 8,7 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН НИЗКОЙ И 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН ВЫСОКОЙ; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР; ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН, РАСШИРЕННЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ 82,5 | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,2 дБ | 60 | 1920 Г х 1080 В | 1 дюйм |
