Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПУМД30,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nexperiausainc-pumd30115-datasheets-4545.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Двойной | 30 | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 20 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ18,115 | Нексперия США Инк. | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pumh18115-datasheets-4547.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Двойной | 30 | 300мВт | 2 | 150°С | 150°С | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мВ | 50В | 100 мА | 50В | 7В | 50 | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 100 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||
| ACX115EUQ-13R | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-acx115euq13r-datasheets-4491.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 13 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН И ПНП | 270мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | НПН, дополнительный ПНП | 82 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 100 кОм | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR129SH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr129sh6327xtsa1-datasheets-4492.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 26 недель | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Олово | е3 | НПН | Без галогенов | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 150 МГц | 120 | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 5 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR119SH6433XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcr119sh6433xtma1-datasheets-4495.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 26 недель | 6 | да | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR119S | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 300мВ | 100 мА | 150 МГц | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 5 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR35PNH6433XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr35pnh6327xtsa1-datasheets-8233.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 26 недель | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Нет | НПН, ПНП | АЭК-Q101 | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR35PN | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 150 МГц | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR08PNH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-bcr08pnb6327xt-datasheets-8039.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | Олово | Нет | е3 | НПН, ПНП | Без галогенов | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR08PN | Двойной | 250мВт | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 300мВ | 100 мА | 100 МГц | 70 | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 170 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR119SH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcr119sh6433xtma1-datasheets-4495.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 26 недель | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | 250мВт | НЕ УКАЗАН | BCR119S | Двойной | НЕ УКАЗАН | 50В | 300мВ | 100 мА | 120 | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 5 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114EDP6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-smun5111dw1t1g-datasheets-2969.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | ДА | 338мВт | ПЛОСКИЙ | НСБА1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 35 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR198SH6827XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr198sh6827xtsa1-datasheets-4447.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 250мВт | 50В | 100 мА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 190 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4906,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 12 недель | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | 2 | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 5В | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR08PNH6433XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineon-bcr08pnh6433xtma1-datasheets-9401.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 26 недель | 6 | да | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | Олово | НПН, ПНП | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR08PN | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 100 МГц | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 170 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4910,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn4910lf-datasheets-4441.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 12 недель | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | 2 | США6 | 100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 100 мА | 50В | 5В | 120 | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5332DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5332dw1t1g-datasheets-4048.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250мВт | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | НПН/ПНП | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 15 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR10PNH6727XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineon-bcr10pnh6727xtsa1-datasheets-9406.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 26 недель | 6 | да | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | НПН, ПНП | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCR10PN | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 130 МГц | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 при 5 мА 5 В | 130 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSBC123JDP6T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nsbc123jdp6t5g-datasheets-9408.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 2 недели | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | 339 МВт | ПЛОСКИЙ | НСБК1* | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR48PNH6433XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcr48pnh6433xtma1-datasheets-4485.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 26 недель | 6 | да | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | Олово | НПН, ПНП | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR48PN | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 100 МГц | 70 мА 100 мА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 100 МГц 200 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм, 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦП113TUQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adc113tuq13-datasheets-4490.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 13 недель | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 270мВт | 250 МГц | 50В | 100 мА | 500нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4904,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 12 недель | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | 2 | США6 | 100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 100 мА | 50В | 10 В | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1906,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1903lfct-datasheets-0697.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6,010099мг | НПН | 200мВт | США6 | 100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 5В | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR141SH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineon-bcr141sh6327xtsa1-datasheets-9397.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 26 недель | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCR141S | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 300мВ | 100 мА | 130 МГц | 50 | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 5 мА 5 В | 130 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6,010099мг | ПНП | 200мВт | США6 | -100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | -10В | 70 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦП124EUQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-adc124euq13-datasheets-4437.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 270мВт | 250 МГц | 56 | 50В | 100 мА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 250 МГц | 22 кОм, 22 кОм | 22 кОм, 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACX124EUQ-13R | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-acx124euq13r-datasheets-4354.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 13 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | 270мВт | 50В | 100 мА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 250 МГц | 22 кОм, 22 кОм | 22 кОм, 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4901,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6,010099мг | НПН, ПНП | 200мВт | 2 | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 10 В | 30 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4981FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | СОТ-563, СОТ-666 | 18 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -10В | 30 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4907,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 12 недель | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | 2 | США6 | 100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 50В | 100 мА | 50В | 6В | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4904FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 16 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | 100 мА | 50В | 100 мА | 10 В | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1903lfct-datasheets-0697.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 200мВт | США6 | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4986FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 16 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -5В | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм |
