| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Тип монтажа | Пакет/ключи | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN4989,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2904,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4981,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4988,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2903,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1902,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1903,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4982,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2911,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | - | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4984,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1910,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | - | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4906,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4902,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2902,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1907,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4901,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4904,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN4908,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN2908,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| RN1911,LXHF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | - | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | |||
| ЭМД38Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА, 300 мВ при 500 мкА, 10 мА | 1 кОм | 47 кОм, 10 кОм | Ром Полупроводник | |||
| ЭМБ60Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 2 ком | 47 кОм | Ром Полупроводник | |||
| ЭМХ53Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА (ИКБО) | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | - | Ром Полупроводник | |||
| ЭМД52Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Ром Полупроводник | |||
| ЭМБ53Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА (ИКБО) | 2 PNP с предварительным смещением (двойной) | 100 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4 кОм | - | Ром Полупроводник | |||
| ЭМД72Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Ром Полупроводник | |||
| ЭМХ51Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Ром Полупроводник | |||
| ЭМБ52Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Ром Полупроводник | |||
| ЭМХ52Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ЕМТ6 | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА, 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Ром Полупроводник | |||
| НХУМД3Ф | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6-ЦСОП | 350мВт | 80В | 100 мА | 100нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 170 МГц, 150 МГц | 100 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | Нексперия США Инк. |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.