| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5330DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mun5330dw1t1g-datasheets-9880.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | Нет | 10 кГц | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN53**DW1 | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 50В | 6В | 3 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| RN2906FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1503Y,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pbls1503y115-datasheets-9955.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBLS1503 | 6 | Двойной | 30 | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 15 В | 15 В | 150 мВ | 150 мВ | 500 мА | 280 МГц | 50 В 15 В | 100 мА 500 мА | 1,1 В | 1 мкА 100 нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 30 при 5 мА 5 В / 150 при 100 мА. 2В | 280 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА/250 мВ при 50 мА, 500 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4991FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5115DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mun5115dw1t1g-datasheets-9986.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN51**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 250мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS4002Y,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbls4002y115-datasheets-9553.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBLS4002 | 6 | Двойной | 30 | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 150 мВ | 500 мА | 300 МГц | 50В 40В | 100 мА 500 мА | 1 мкА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 30 @ 10 мА 5 В / 150 @ 100 мА 2 В | 300 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 350 мВ при 50 мА, 500 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMG4NTR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohm-umg4ntr-datasheets-7481.pdf | 50В | 100 мА | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 50В | Без свинца | 5 | 13 недель | Нет СВХК | 5 | да | EAR99 | ЦИФРОВОЙ | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | НПН | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *MG4 | 5 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 0,3 В | 100 | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IMH1AT110 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 50В | 30 мА | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *MH1 | 6 | Двойной | 10 | 300мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 56 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМХ2Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 50В | 30 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *MH2 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМХ6Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 50В | 30 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 50В | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1,2. | Нет | 8541.21.00.75 | е3/е2 | ОЛОВО/ ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *MH6 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМБ2Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | -50В | -30 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 13 недель | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | МБ2 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS6002D,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbls6002d115-datasheets-9725.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBLS6002 | 6 | Двойной | 40 | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 150 мВ | 700 мА | 185 МГц | 50В 60В | 100 мА 700 мА | 1 мкА 100 нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 30 @ 20 мА 5 В / 150 @ 500 мА 5 В | 185 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 340 мВ при 100 мА, 1 А | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМБ2НТН | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | -50В | -30 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ПНП | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБ2 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -30 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 68 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДК113ТУ-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-ddc114tu7f-datasheets-7537.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДК113 | 6 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБЛС4005Д,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbls4005d115-datasheets-9543.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBLS4005 | 6 | Двойной | 30 | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 150 мВ | 700 мА | 150 МГц | 50В 40В | 100 мА 700 мА | 1 мкА 100 нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 80 при 5 мА 5 В / 300 при 100 мА 5 В | 150 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 310 мВ при 100 мА, 1 А | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБЛС2002Д,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbls2002d115-datasheets-9572.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПБЛС2002 | 6 | Двойной | 30 | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 150 мВ | 1А | 185 МГц | 50 В 20 В | 100 мА 1 А | 1 мкА 100 нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 30 @ 10 мА 5 В / 220 @ 500 мА 2 В | 185 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 280 мВ при 100 мА, 1 А | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМД6НТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohm-umd6ntr-datasheets-7473.pdf | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 13 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН, ПНП | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *MD6 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 0,3 В | 100 | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМГ8Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 50В | 100 мА | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | Без свинца | 5 | 13 недель | 5 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | 260 | *MG8 | 5 | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMUN5311DW1T3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nsbc114epdxv6t1g-datasheets-8212.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Олово | Нет | е3 | АЭК-Q101 | ДА | 187мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 50В | 250 мВ | 100 мА | 35 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMB9AT110 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-umb9ntn-datasheets-8558.pdf | -50В | -70мА | СК-74, СОТ-457 | 50В | Без свинца | 6 | 7 недель | 6 | да | EAR99 | ЦИФРОВОЙ ВСТРОЕННЫЙ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 4,7. | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБ9 | 6 | Двойной | 10 | 300мВт | 2 | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -70мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 0,3 В | 68 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЭМД16,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumd16115-datasheets-7937.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | МД16 | 6 | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМБ75Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 150 мВт | 50В | 50В | 150 мВ | 100 мА | 250 МГц | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМХ1ФХАТ2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1,0. | не_совместимо | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 150 мВт | 250 МГц | 100 мА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 56 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PRMH9Z | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-prmh9z-datasheets-9304.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 480мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 5 мА 5 В | 230 МГц | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4902,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6,010099мг | НПН, ПНП | 200мВт | 2 | США6 | 100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 10 В | 50 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2906,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 12 недель | 6 | ПНП | 200мВт | США6 | -100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | -50В | -5В | 80 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4902FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | ES6 | 100 мА | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 10 В | 50 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PRMD12Z | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-prmd12z-datasheets-9283.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 4 недели | 480мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 80 при 5 мА 5 В | 230 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЕМБ10,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumb10115-datasheets-8265.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 21. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 300мВт | ПЛОСКИЙ | МБ10 | 6 | Двойной | 300мВт | 2 | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 180 МГц | 100 | 1 мкА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 10 мА 5 В | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМХ9Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 50В | 70 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 13 недель | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7 | Нет | 8541.21.00.75 | е3/е2 | ОЛОВО/ ОЛОВО МЕДЬ | НПН | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *MH9 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 68 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 5 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.