Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Стабильное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Тестовый ток | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПУМБ11,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumb11115-datasheets-8251.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБ11 | 6 | Двойной | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЭМХ10,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumh10125-datasheets-7441.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 4 недели | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21,36 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | P*MH10 | 6 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 100 мА 5 В | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcr135sh6327xtsa1-datasheets-8160.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 26 недель | 6 | Олово | Нет | НПН | Без галогенов | 250 мВт | BCR135S | Двойной | PG-SOT363-6 | 250 мВт | 50В | 50В | 300мВ | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 70 | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 5 мА 5 В | 150 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ17,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pumh17115-datasheets-7918.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ2,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-pumh2115-datasheets-7944.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 1 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 150°С | 30 | 2 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1910FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН | 100мВт | ES6 | 100 мА | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 5В | 120 | 100на ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ20,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pumh20115-datasheets-7967.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 20 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4987FE,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -6В | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ4,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-pumh4115-datasheets-7925.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | P*MH4 | 6 | Двойной | 40 | 2 | 100А | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 0,3 В | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 200 @ 1 мА 5 В | 3,5 пФ | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 13 недель | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 10. | не_совместимо | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН И ПНП | 0,15 Вт | 50В | 150 мВт | 250 МГц | 100 мА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМД16,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pumd16115-datasheets-7937.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 4 недели | 453,59237мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,1. | Нет | 5% | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МД16 | 6 | Двойной | 40 | 200мВт | 2 | 100 мА | 3,6 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 5В | 80 | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМД10,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-pumd10115-datasheets-8055.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 21. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МД10 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 230 МГц | 50В | 100 мА | 100на ИКБО | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 10 мА 5 В | 230 МГц | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ7,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pumh7115-datasheets-8062.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 4 недели | 453,59237мг | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | P*MH7 | 6 | Двойной | 40 | 2 | 100А | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 200 @ 1 мА 5 В | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX143EU-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dcx114yu7f-datasheets-7356.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DCX143 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | 100 мА | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 250 МГц | 50 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В / 40 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ13,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumh13115-datasheets-8099.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | СООТНОШЕНИЕ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 10. | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 100 @ 10 мА 5 В | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМД15,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-pumd15115-datasheets-8124.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ15,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumh15115-datasheets-8074.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 150°С | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДА114Ю-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dda114yu7f-datasheets-8068.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДА114 | 6 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицирован | -100 мА | 50В | 50В | -300мВ | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | -5В | 100 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПИМН31,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pimn31115-datasheets-7795.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | 420мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПИМН31 | 6 | Двойной | 30 | 420мВт | 2 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 500 мА | 50В | 5В | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 50 мА 5 В | 300 мВ при 2,5 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ11,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nexperiausainc-pumh11115-datasheets-7700.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МН11 | 6 | 30 | 2 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 230 МГц | 50В | 100 мА | 1 мкА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 30 при 5 мА 5 В | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX123JU-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dcx114yu7f-datasheets-7356.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DCX123 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | 100 мА | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 100 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДК114Ю-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-ddc114tu7f-datasheets-7537.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | 6 | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДДК114 | 6 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 5В | 100 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 68 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMUN5211DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mun5211dw1t1g-datasheets-7234.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 187мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MUN51**DW1T | 6 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 35 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5230DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5230dw1t1g-datasheets-7778.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | 10 кГц | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 50В | 6В | 3 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВМУН5333DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nsvmun5333dw1t1g-datasheets-7783.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 8 недель | 6,010099мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | ДА | 250 мВт | MUN53**DW1 | 6 | 2 | Двойной | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5135DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mun5135dw1t1g-datasheets-7812.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,047. | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN51**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПУМХ1,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pumh1115-datasheets-7593.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | P*MH1 | 6 | 2 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 50В | 100 мА | 100 нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 5 В | 230 МГц | 150 мВ при 500 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5333DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsvmun5333dw1t1g-datasheets-7783.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННОЕ СООТНОШЕНИЕ РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ 10 | Олово | Нет | е3 | НПН, ПНП | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN53**DW1 | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2902,LF(CT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 12 недель | 6,010099мг | да | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | неизвестный | ПНП | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 200 МГц | -10В | 50 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5215dw1t1g-datasheets-7835.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Олово | Нет | 10 кГц | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 256мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 50В | 6В | 160 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм |
