Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБРФ30L120CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf30l120ctc0g-datasheets-3398.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 120 В | 20 при мА 120 В | 950 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF2045CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf20200ctc0g-datasheets-6235.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| МБРФ3060CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 200 мкА при 60 В | 900 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF2550CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 2 при мА 50 В | 750 мВ при 12,5 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF3050CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | 200 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 200А | 1 | 15А | 50В | 200 мкА при 50 В | 900 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| MBRF3080CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 80В | 200 мкА при 80 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBR2535CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 200 мкА при 35 В | 850 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRF25150CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 200А | 1 | 12,5 А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| MBRF2550CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 2 при мА 50 В | 750 мВ при 12,5 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRF2035CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf20200ctc0g-datasheets-6235.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBR30L120CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr30l120ctc0g-datasheets-3512.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 120 В | 20 мкА при 120 В | 950 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBR25150CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRF3050CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 200 мкА при 50 В | 900 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF2090CT C0G | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ30200CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 200 мкА при 200 В | 1,05 В при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBR2090PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF3090CT C0G | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF3090CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 200 мкА при 90 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF3035CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 200 мкА при 35 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF15100CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1545ctc0g-datasheets-3221.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 150А | 1 | 7,5 А | 100В | 100 мкА при 100 В | 920 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| MBRF25150CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 200А | 1 | 12,5 А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| MBRF1045CTHC0G | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF3045CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | 200 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 200А | 1 | 15А | 45В | 200 мкА при 45 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| MBRF20150CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf20200ctc0g-datasheets-6235.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,05 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF2535CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 2 при мА 35 В | 820 мВ при 12,5 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRF2590CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 200А | 1 | 12,5 А | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||
| MBRF2545CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf25100ctc0g-datasheets-4711.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 2 при мА 45 В | 820 мВ при 12,5 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBRF30150CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 200 мкА при 150 В | 1,05 В при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| MBR10100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr10h150ctc0g-datasheets-0143.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100 мкА при 100 В | 950 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBRF30100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf3060ctc0g-datasheets-8761.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 200 мкА при 100 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
