Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRF1590CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrf1545ctc0g-datasheets-3221.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 90В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 150А | 1 | 7,5 А | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||
| MBR30L60CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr30l45ctc0g-datasheets-8763.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 480 мкА при 60 В | 600 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР1560CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 300 мкА при 60 В | 750 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR6035PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr6060ptc0g-datasheets-7618.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 1 при мА 35 В | 820 мВ при 60 А | 60А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR40100PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr40100ptc0g-datasheets-0128.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 500 мкА при 100 В | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| SRS10100 МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs1040hmng-datasheets-4865.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 900 мВ при 5 А | 10А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR4050PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr40100ptc0g-datasheets-0128.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 1 при мА 50 В | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR30100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 200 мкА при 100 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR4050PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr40100ptc0g-datasheets-0128.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 1 при мА 50 В | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| МБР3035PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 1 при мА 35 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| HER1604PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300В | 10 мкА | ТО-247АД | 50 нс | Стандартный | 200А | 1 | 8А | 300В | 10 мкА при 300 В | 1 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||
| MBR3045PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 1 при мА 45 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR4060PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr40100ptc0g-datasheets-0128.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 1 при мА 60 В | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR2590CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| HER1606PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-her1603ptc0g-datasheets-3370.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 80нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 8 А | 16А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR3035CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 200 мкА при 35 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR4035PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr40100ptc0g-datasheets-0128.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 1 при мА 35 В | 800 мВ при 40 А | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR30L100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr30l45ctc0g-datasheets-8763.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 500 мкА при 100 В | 770 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR6035PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr6060ptc0g-datasheets-7618.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 1 при мА 35 В | 820 мВ при 60 А | 60А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR3090CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 200 мкА при 90 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR20100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr20100ctc0g-datasheets-6144.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 100 мкА при 100 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR2560CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 200 мкА при 60 В | 750 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR4045PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr40100ptc0g-datasheets-0128.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 1 при мА 45 В | 800 мВ при 40 А | 40А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| СРС2020 МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs2030hmng-datasheets-4236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 20 В | 500 мкА при 20 В | 550 мВ при 10 А | 20А | -55°К~125°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| МБР30L100CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr30l45ctc0g-datasheets-8763.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 В | 500 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 220А | 1 | 15А | 100 В | 500 мкА при 100 В | 770 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||
| MBRS6040CTHMNG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbrs6040ctmng-datasheets-3155.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 100 мкА при 40 В | 1,05 В при 60 А | 60А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR30150PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 500 мкА при 150 В | 1,02 В при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR2550CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 200 мкА при 50 В | 750 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR2545CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 200 мкА при 45 В | 850 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| МБР3090CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 200 мкА при 90 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
