Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | ECCN-код | Дополнительная функция | Код HTS | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Рабочая температура (макс.) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBR3090PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 500 мкА при 90 В | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR2590CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR2545CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr25100ctc0g-datasheets-4505.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 200 мкА при 45 В | 850 мВ при 25 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| МБР3090CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 200 мкА при 90 В | 940 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR3060PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 1 при мА 60 В | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR3050PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 1 при мА 50 В | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR3035PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 1 при мА 35 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR3050CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 200 мкА при 50 В | 770 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR30200PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 100 мкА при 200 В | 1,1 В при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР3050CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 200 мкА при 50 В | 770 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR30100PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 500 мкА при 100 В | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR20L120CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr20l100ctc0g-datasheets-2429.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 120 В | 20 мкА при 120 В | 900 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR2050PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR3060CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 200 мкА при 60 В | 770 мВ при 15 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR30150CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| БАВ99В РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-70, СОТ-323 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 4нс | Стандартный | 85В | 1 мкА при 75 В | 1,25 В при 150 мА | 150 мА | 150°С Макс. | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||
| MBR20L100CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr20l100ctc0g-datasheets-2429.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 20 мкА при 100 В | 850 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР1550CT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 300 мкА при 50 В | 750 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| СРС2050 МНГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-srs2030hmng-datasheets-4236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ (Д2ПАК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 50В | 500 мкА при 50 В | 700 мВ при 10 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| MBR3050PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ptc0g-datasheets-4021.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 1 при мА 50 В | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| МБР2090PT C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR3045CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 200 мкА при 45 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR3035CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr3045ctc0g-datasheets-8765.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 35В | 200 мкА при 35 В | 820 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR20150PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 100 мкА при 150 В | 1,02 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР2050ПТ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 100 мкА при 50 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBR2090CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr20100ctc0g-datasheets-6144.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR20200PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 100 мкА при 200 В | 1,02 В при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR2060PTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД (ТО-3П) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 950 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| MBR1590CTHC0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr15100ctc0g-datasheets-4609.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 100 мкА при 90 В | 920 мВ при 7,5 А | 15А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| МБР2035ПТ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-mbr2060ptc0g-datasheets-3585.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ПРИЗНАНО УЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 100 мкА | ТО-247АД | Шоттки | 150А | 1 | 10А | 35В | 100 мкА при 35 В | 840 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
