Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SBLF2030CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sbl2040cthe345-datasheets-3048.pdf | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | -55°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 30 В | ТО-220АБ | 0,6 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 250А | 1 | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBLB25L25CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sbl25l20cte345-datasheets-3033.pdf | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 150°С | -55°С | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 25В | ТО-263АБ | 0,39 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 180А | 1 | 12,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLD6001 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmld6001bk-datasheets-3999.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 0,25 Вт | 100 В | 0,0005мкА | 75В | 3 мкс | Стандартный | 75В | 500 пА при 75 В | 1,1 В при 100 мА | 250 мА постоянного тока | -65°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLD6263S TR ИНН/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmld6263ctrpbfree-datasheets-2859.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 5нс | Шоттки | 70В | 200 нА при 50 В | 410 мВ при 1 мА | 15 мА постоянного тока | -65°К~150°К | 2 пары с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLD2004G ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmld2004strpbfree-datasheets-0074.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 0,25 Вт | 300В | 100 мкА | 240В | 50 нс | Стандартный | 240В | 100 нА при 240 В | 1 В при 100 мА | 200 мА | -65°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF25H45CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr25h45cthe345-datasheets-2454.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 45В | ТО-220АБ | 0,54 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ30Х35СТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr30h100cte34w-datasheets-2444.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 35В | ТО-220АБ | 0,56 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ30Х90СТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrf30h90cte345-datasheets-3974.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 90В | ТО-220АБ | 0,67 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 275А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС2045Ч | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBLB25L25CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sbl25l20cte345-datasheets-3033.pdf | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3 | 150°С | -55°С | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 25В | ТО-263АБ | 0,39 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 180А | 1 | 12,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB30H90CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrf30h90cte345-datasheets-3974.pdf | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТИ12205 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/ixysrf-ss275tc12205-datasheets-4449.pdf | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 6 | EAR99 | PD-CASE | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 175°С | 3 | Р-ПДФП-Ф6 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 30 Вт | 1200В | 200 мкА | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 5А | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 5 А | 5А | -55°К~175°К | 3 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС40Л45КГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps40l45cw-datasheets-6251.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | 2 | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | СТПС40 | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 40А | 690мВ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 230А | 600 мкА | 45В | 230А | Шоттки | 1 | 20А | 600 мкА при 45 В | 530 мВ при 20 А | 20А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF25H50CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr25h45cthe345-datasheets-2454.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 50В | ТО-220АБ | 0,6 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLD4448 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmld4448bk-datasheets-3985.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 0,25 Вт | 120 В | 100 мкА | 50В | 4нс | Стандартный | 120 В | 500 нА при 100 В | 1 В при 100 мА | 250 мА | -65°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLD2004G БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmld2004strpbfree-datasheets-0074.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | совместимый | ДА | 150°С | Другие диоды | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 0,25 Вт | 300В | 100 мкА | 240В | 50 нс | Стандартный | 240В | 100 нА при 240 В | 1 В при 100 мА | 200 мА | -65°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR2045CT-E3/4W | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-30CTQ045STRLPBF | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs30ctq045spbf-datasheets-9489.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 11 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30CTQ045S | 3 | Общий катод | 10 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 30А | 760 мВ | 1,06 кА | 2мА | ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | 0,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2мА | 45В | 1,06 кА | Шоттки | 45В | 30А | 1 | 2 при мА 45 В | 760 мВ при 30 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBL3060CT | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-sbl3060ct-datasheets-3959.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | 150°С | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | ТО-220АБ | Шоттки | 250А | 1 | 30А | 60В | 1 при мА 60 В | 700 мВ при 15 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF20H50CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb20h50cthe381-datasheets-3822.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 50В | ТО-220АБ | 0,61 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB20H60CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb20h50cthe381-datasheets-3822.pdf | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 850 мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 60В | 150А | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 1 | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-MURB2020CTTRLP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsmurb2020ctpbf-datasheets-3056.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 11,3 мм | 2 | 11 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MURB2020CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 10А | 1,15 В | 100А | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | 0,5 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 15 мкА | 200В | 100А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 10А | 1 | 15 мкА при 200 В | 850 мВ при 8 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| MBR15H50CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1545ct801he345-datasheets-6277.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 50В | ТО-220АБ | 0,61 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В60100С-5700М3/4Вт | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v60100c5700m34w-datasheets-3968.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF15H50CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1545ct801he345-datasheets-6277.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 50В | ТО-220АБ | 0,61 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB25H50CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr25h45cthe345-datasheets-2454.pdf | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 50В | ТО-263АБ | 0,6 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR30H35CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr30h100cte34w-datasheets-2444.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 35В | ТО-220АБ | 0,56 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ15Х50СТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1545ct801he345-datasheets-6277.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 50В | ТО-220АБ | 0,61 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRF30H35CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr30h100cte34w-datasheets-2444.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 175°С | -65°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 35В | ТО-220АБ | 0,56 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 15А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ15Х35СТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | ШОТТКИ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1545ct801he345-datasheets-6277.pdf | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | КРЕМНИЙ | 35В | ТО-220АБ | 0,55 В | ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | 150А | 1 | 7,5 А |
