Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Удерживай ток | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СС8П5ЧМ3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss8p5cm386a-datasheets-1786.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | СС8П5С | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 8А | 120А | 50 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | 50В | 120А | ТО-277А | Шоттки | 50В | 4А | 1 | 4А | 50 мкА при 50 В | 700 мВ при 4 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| GI2402HE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gi2401e345-datasheets-9132.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 16А | 125А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 100 В | 125А | 100 В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 100 В | 16А | 1 | 8А | 50 мкА при 100 В | 975 мВ при 8 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| UGB8JCTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ugb8hcthe345-datasheets-3326.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 3 | да | Нет | 3 | Общий катод | 8А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 мкА | 600В | 65А | 50 нс | Стандартный | 600В | 4А | 30 мкА при 600 В | 1,75 В при 4 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M6060C-E3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M6035C-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-m6045ce345-datasheets-9195.pdf | ТО-220-3 | 3 | 19 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т3 | 60А | 320А | 140 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 320А | ТО-220АБ | Шоттки | 35В | 30А | 1 | 700 мкА при 35 В | 550 мВ при 30 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||
| СС10П4ЧМ3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss10p3cm386a-datasheets-5594.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | СС10П4С | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 10А | 200А | 550 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 550 мкА | 40В | 200А | ТО-277А | Шоттки | 40В | 5А | 1 | 5А | 550 мкА при 40 В | 530 мВ при 5 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| FEPF6DTHE3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР10100CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1090cte345-datasheets-2695.pdf | ТО-220-3 | 3 | МБР10100CT | Общий катод | ТО-220АБ | 850 мВ | 120А | 100 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 120А | Шоттки | 100 В | 5А | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 5 А | 5А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УХПДЧМ3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uh4pdchm3ai-datasheets-4392.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | UH4PDC | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 4А | 40А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 40А | 200В | ТО-277А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 200В | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 2 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| ФЕПФ6ДТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Без свинца | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 975мВ | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мА | 5мкА | 1,6 кВ | 75А | 200В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||
| FEP16DTTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep16jte345-datasheets-2466.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | ФЭП16Д | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 16А | 200А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 200А | 200В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 16А | 1 | 8А | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 8 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| FEP6ATHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 50В | 75А | 50В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 50В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 50 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| UH4PCC-M3/87A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uh4pdchm3ai-datasheets-4392.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | UH4PCC | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | 4А | 40А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 40А | 150 В | ТО-277А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 150 В | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 150 В | 1,05 В при 2 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||
| M6045C-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-m6045ce345-datasheets-9195.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 3 | Олово | Нет | Общий катод | ТО-220АБ | 60А | 320А | 700 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 700 мкА | 45В | 320А | Шоттки | 45В | 30А | 45В | 700 мкА при 45 В | 610 мВ при 30 А | 30А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БВ32-150ХЭ3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv32200e345-datasheets-9375.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | ОДИНОКИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | БИВ32-150 | 3 | Общий катод | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 18А | 150А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 150 В | 150А | 150 В | ТО-220АБ | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 150 В | 18А | 1 | 9А | 10 мкА при 150 В | 1,15 В при 20 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||
| CD410860 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/powerexinc-cd410860-datasheets-9200.pdf | Модуль POW-R-BLOK™ | 3 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 3 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | Стандартный | 800В | 60А | 1200А | 1 | 800В | 10 при мА 800 В | 1,25 В при 180 А | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEPB6CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЕПБ6С | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 75А | 150 В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 150 В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 150 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| СС8П5ЧМ3/87А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss8p5cm386a-datasheets-1786.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | Нет | СС8П5С | Общий катод | ТО-277А (СМПК) | 8А | 120А | 50 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 мкА | 50В | 120А | Шоттки | 50В | 4А | 50В | 50 мкА при 50 В | 700 мВ при 4 А | 4А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEPF6ATHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 50В | 75А | 50В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 50В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 50 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| FEP6CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 75А | 150 В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 150 В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 150 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| FEPF6CTHE3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEPF6CT-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 75А | 150 В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 150 В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 150 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| FEP16GTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep16jte345-datasheets-2466.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | ФЭП16Г | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 16А | 1,3 В | 125А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 400В | 125А | 400В | ТО-220АБ | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 400В | 16А | 1 | 8А | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 8 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| ФЭП6ДТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 975мВ | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 75А | 200В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| SS8P2CLHM3/87A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss8p3clm386a-datasheets-0127.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | SS8P2CL | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 8А | 120А | 300 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 20 В | 120А | ТО-277А | Шоттки | 20 В | 4А | 1 | 4А | 300 мкА при 20 В | 540 мВ при 4 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||
| GI2401HE3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBLB25L30CTHE3/81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M30L40C-E3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-m30l40ce34w-datasheets-9176.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | Нет | Общий катод | ТО-220АБ | 30А | 280А | 360 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 360 мкА | 40В | 280А | Шоттки | 40В | 15А | 40В | 360 мкА при 40 В | 550 мВ при 15 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UH4PCCHM3/87A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uh4pdchm3ai-datasheets-4392.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | UH4PCC | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | 4А | 40А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 40А | 150 В | ТО-277А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 150 В | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 150 В | 1,05 В при 2 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||
| M30L45C-E3/4W | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-m30l45ce34w-datasheets-9188.pdf | ТО-220-3 | 3 | 19 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 150°С | Общий катод | НЕПРИГОДНЫЙ | 2 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | ТО-220АБ | Шоттки | 45В | 30А | 280А | 1 | 15А | 1 при мА 45 В | 600 мВ при 15 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
