Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRB2535CTHE3_A/P | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr2545cte345-datasheets-1229.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 200 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 12,5 А | 35В | 200 мкА при 35 В | 820 мВ при 30 А | 12,5 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB30H90CTHE3_A/I | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mb30h100cthe3ap-datasheets-3289.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 5 мкА при 90 В | 820 мВ при 15 А | 15А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB20H90CTHE3_A/I | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mb20h100cthe3ai-datasheets-3742.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 90В | 4,5 мкА при 90 В | 770 мВ при 10 А | 10А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB30H50CTHE3_A/P | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb30h60cte381-datasheets-8025.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50В | 60 мкА | 50В | Шоттки | 150А | 1 | 15А | 50В | 60 мкА при 50 В | 680 мВ при 15 А | 15А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB2035CTHE3_A/I | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb2045cte345-datasheets-3387.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 150°С | 30 | 2 | Р-ПССО-Г2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 100 мкА | Шоттки | 150А | 1 | 10А | 35В | 100 мкА при 35 В | 650 мВ при 10 А | 10А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB3035CTHE3_A/P | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb3045cte381-datasheets-5390.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 1000 мкА | Шоттки | 200А | 1 | 15А | 35В | 1 при мА 35 В | 600 мВ при 20 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB30H35CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr30h100cte34w-datasheets-2444.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3 | 175°С | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | Шоттки | 150А | 1 | 15А | 35В | 80 мкА при 35 В | 620 мВ при 15 А | 15А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB3035CTHE3_A/I | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb3045cte381-datasheets-5390.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35В | 1000 мкА | Шоттки | 200А | 1 | 15А | 35В | 1 при мА 35 В | 600 мВ при 20 А | 15А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEPF6BTHE3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЭП6БТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 100 В | 75А | 100 В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 100 В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 100 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| FEP6BTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 100 В | 75А | 100 В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 100 В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 100 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| БВ32-100ХЭ3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UH4PCCHM3/86A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uh4pdchm3ai-datasheets-4392.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | UH4PCC | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | 4А | 40А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 40А | 150 В | ТО-277А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 150 В | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 150 В | 1,05 В при 2 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||
| STPS10120CFP | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GI2404HE3/45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЕПФ6АТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 50В | 75А | 50В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 50В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 50 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| M3060C-E3/4W | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBLB1630CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sbl1640cthe345-datasheets-3005.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | SBLB1630CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 16А | 250А | 500 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 30 В | 250А | Шоттки | 30 В | 8А | 1 | 8А | 500 мкА при 30 В | 550 мВ при 8 А | -40°К~125°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| ДГСК20-025АС-ТУБ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/ixys-dgsk20025a-datasheets-7895.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 250 В | 1,3 мА при 250 В | 1,5 В при 5 А | 12А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEP16CTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep16jte345-datasheets-2466.pdf | ТО-220-3 | 20 недель | 3 | да | Нет | ФЭП16С | 3 | Общий катод | 16А | 200А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 10 мкА | 150 В | 200А | 150 В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 150 В | 16А | 10 мкА при 150 В | 950 мВ при 8 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UGB8HCTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ugb8hcthe345-datasheets-3326.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) - с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 8А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30 мкА | 500В | 65А | 50 нс | Стандартный | 500В | 4А | 1 | 8А | 30 мкА при 500 В | 1,75 В при 4 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| FEP6DTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 75А | 200В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| FEPB6DTHE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | ФЕПБ6Д | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 75А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||
| UB16CCT-E3/8W | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UH4PDC-M3/87A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uh4pdchm3ai-datasheets-4392.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | UH4PDC | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 4А | 40А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 40А | 200В | ТО-277А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 200В | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 2 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||
| СС8П5ЧМ3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss8p5cm386a-datasheets-1786.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | СС8П5С | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 8А | 120А | 50 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | 50В | 120А | ТО-277А | Шоттки | 50В | 4А | 1 | 4А | 50 мкА при 50 В | 700 мВ при 4 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| UH4PCC-M3/86A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uh4pdchm3ai-datasheets-4392.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | UH4PCC | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | 4А | 40А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 40А | 150 В | ТО-277А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 150 В | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 150 В | 1,05 В при 2 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||
| ФЭПБ6ДТ-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЕПБ6Д | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 75А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||
| GI2403HE3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gi2401e345-datasheets-9132.pdf | ТО-220-3 | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | 16А | 125А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 125А | 150 В | ТО-220АБ | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 150 В | 16А | 1 | 8А | 50 мкА при 150 В | 975 мВ при 8 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||
| ФЭПБ6АТ-Е3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 50В | 75А | 50В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 50В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 50 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом |
