Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВыпрямительная диодная матрица (12345)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БАТ 54-04W E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/infineontechnologies-bat5404b5003-datasheets-5918.pdf | СК-70, СОТ-323 | EAR99 | ДА | 150°С | Выпрямительные диоды | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 30 В | 5нс | Шоттки | 0,6А | 30 В | 2 мкА при 25 В | 800 мВ при 100 мА | 200 мА постоянного тока | 150°С Макс. | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30JL2C41(Ф) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB2050CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb2045cte345-datasheets-3387.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ2050CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | 150А | 150 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 50В | 150А | Шоттки | 50В | 10А | 1 | 150 мкА при 50 В | 800 мВ при 10 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ2050CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb2045cte345-datasheets-3387.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | МБРБ2050CT | 3 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20А | 150А | 150 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 50В | 150А | Шоттки | 50В | 10А | 1 | 150 мкА при 50 В | 800 мВ при 10 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| MBRB20H35CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 35В | 150А | Шоттки | 35В | 10А | 1 | 100 мкА при 35 В | 630 мВ при 10 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEPB6DTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | ФЕПБ6Д | 3 | Общий катод | 40 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 75А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||
| MBRB15H60CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 150А | 50 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 7,5 А | 1 | 50 мкА при 60 В | 730 мВ при 7,5 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB1560CTHE3/81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДК600-20Н1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-mdd60018n1-datasheets-7995.pdf | Модуль | 500 | МД*600 | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2кВ | 18 мкс | Стандартный | 2кВ | 883А | 2000В | 50 при мА 2000 В | 880 мВ при 500 А | 883А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЭПБ6ДТ-Е3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЕПБ6Д | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 200В | 75А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| MBRB2560CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr2545cte345-datasheets-1229.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ2560CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 25А | 150А | 200 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 15А | 1 | 1 при мА 60 В | 750 мВ при 15 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ2550CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr2545cte345-datasheets-1229.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ2550CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 25А | 150А | 1 мА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 50В | 150А | Шоттки | 50В | 15А | 1 | 1 при мА 50 В | 750 мВ при 15 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС40СМ100КГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps40sm100cr-datasheets-8295.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТПС40 | 3 | Общий анод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 40А | 810 мВ | 530А | 45 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45 мкА | 100 В | 530А | Шоттки | 100 В | 20А | 1 | 45 мкА при 100 В | 810 мВ при 20 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДД600-22Н1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-mdd60018n1-datasheets-7995.pdf | Модуль | 500 | МД*600 | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,2 кВ | 18 мкс | Стандартный | 2,2 кВ | 883А | 2200В | 50 при мА 2200 В | 880 мВ при 500 А | 883А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB20H60CTHE3/81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB2060CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb2045cte345-datasheets-3387.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | МБРБ2060CT | 3 | Общий катод | 30 | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | 150А | 150 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 10А | 1 | 150 мкА при 60 В | 800 мВ при 10 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||
| CD410830 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/powerexinc-cd410830-datasheets-8708.pdf | Модуль POW-R-BLOK™ | 3 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 3 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-Х3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | Стандартный | 800В | 30А | 600А | 1 | 800В | 4 при мА 800 В | 1,4 В при 90 А | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДК600-22Н1 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mdd60018n1-datasheets-7995.pdf | Модуль | 500 | МД*600 | Общий катод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,2 кВ | 18 мкс | Стандартный | 2,2 кВ | 883А | 2200В | 50 при мА 2200 В | 880 мВ при 500 А | 883А | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FEPB6CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-fep6dt5410he345-datasheets-6300.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЕПБ6С | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 6А | 75А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5мкА | 150 В | 75А | 150 В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 150 В | 6А | 1 | 3А | 5 мкА при 150 В | 975 мВ при 3 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| U20DL2C48A(TE24L,Q | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-u20dl2c48ate24lq-datasheets-8660.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Общий катод | ТО-220СМ | 110А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 мкА | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 20А | 200В | 50 мкА при 200 В | 980 мВ при 10 А | 20А | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДА600-18Н1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-mdd60018n1-datasheets-7995.pdf | Модуль | 500 | МД*600 | Общий анод | Модуль | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,8 кВ | 18 мкс | Стандартный | 1,8 кВ | 883А | 1800В | 50 при мА 1800 В | 880 мВ при 500 А | 883А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB15H60CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 150А | 50 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 7,5 А | 1 | 50 мкА при 60 В | 730 мВ при 7,5 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB2535CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr2545cte345-datasheets-1229.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ2535CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 25А | 150А | 200 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 35В | 150А | Шоттки | 35В | 15А | 1 | 200 мкА при 35 В | 820 мВ при 30 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB15H45CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,45 мм | 4,83 мм | 9,14 мм | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ15H45CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 750 мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 50 мкА | 45В | 150А | Шоттки | 45В | 7,5 А | 1 | 50 мкА при 45 В | 630 мВ при 7,5 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||
| FEPB6ATHE3/81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB20H45CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 20А | 750 мВ | 150А | 100 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 45В | 150А | Шоттки | 45В | 10А | 1 | 100 мкА при 45 В | 630 мВ при 10 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB1545CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb1545cthe3ap-datasheets-8642.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ1545CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 690А | 100 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 45В | 690А | Шоттки | 45В | 7,5 А | 1 | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 7,5 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБРБ1535CT-E3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbr1550cte345-datasheets-2302.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ1535CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 840 мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 690А | 100 мкА | 35В | 150А | Шоттки | 35В | 7,5 А | 1 | 100 мкА при 35 В | 570 мВ при 7,5 А | -65°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||
| ДСЭЭ8-08CC | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerDynFRED™ | Радиальное, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/ixys-dsee808cc-datasheets-8634.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 220 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 60А | 60 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30 нс | 30 нс | Стандартный | 800В | 10А | 1 | 60 мкА при 800 В | 1,53 В при 10 А | -40°К~175°К | 1 пара последовательного подключения | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRB15H45CTHE3/81 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-mbrb15h45cthe3ap-datasheets-9484.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБРБ15H45CT | 3 | Общий катод | 2 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 15А | 150А | 50 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | 45В | 150А | Шоттки | 45В | 7,5 А | 1 | 50 мкА при 45 В | 630 мВ при 7,5 А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом |
